[发明专利]半导体组件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体组件，其特征在于，至少包含：

一导体结构沉积于一介电层中，其中该导体结构至少包含：

一复合阻障层衬设于该介电层的一开口中，其中该复合阻障层包括一原子层沉积层、一钽或钛层以及一阻障层，该原子层沉积层是沿着该开口的数个侧壁与一底面设置，该钽或钛层是覆盖该原子层沉积层，而该阻障层是覆盖该钽或钛层且具有至少一增强阻障附着的元素或化合物；以及

一铜膜填满该开口且与该阻障层接界。

2.根据权利要求1所述的半导体组件，其特征在于，该原子层沉积层为选自于由氮化钽、氮化钛、氮化钨、钴以及氮化钴所组成的一族群。

3.根据权利要求1所述的半导体组件，其特征在于，具有该至少一增强阻障附着的元素或化合物的该阻障层含有锰、铬、钒、铌或钛。

4.根据权利要求1所述的半导体组件，其特征在于，该开口为一双重金属镶嵌开口，该底面包括一低洼底面以及一隆起底面，该低洼底面至少包含一下方层且该下方层包括掺杂杂质的半导体材料，而该隆起底面至少包含一栅极结构且该栅极结构是设于该下方层上。

5.根据权利要求1所述的半导体组件，其特征在于，该底面至少包含一部分，该部分至少包含一下方层，且该下方层包括一金属面或掺杂杂质的半导体材料。

6.一种半导体组件的制造方法，其特征在于，至少包含：

利用一原子层沉积法，以沿着一开口的数个侧壁沉积一原子层沉积氮化钽层且覆盖该开口的一底面，其中该开口是贯穿一介电层；

形成一钽或钛层于该原子层沉积氮化钽层上；

形成一锰基阻障层于该钽或钛层上；以及

沉积一铜膜于该开口中，使得该铜膜与该锰基阻障层接触并填满该开口，从而于该开口中形成一导体结构。

7.根据权利要求6所述的半导体组件的制造方法，其特征在于，至少包含：

在沉积该铜膜于该开口中之后，进行一热回火步骤。

8.根据权利要求7所述的半导体组件的制造方法，其特征在于，该热回火步骤是于充满一形成气体的一环境中进行。

9.根据权利要求6所述的半导体组件的制造方法，其特征在于，该锰基阻障层包含铜。

10.根据权利要求9所述的半导体组件的制造方法，其特征在于，该锰基阻障层的锰的浓度为0.5原子百分比至2原子百分比。