[发明专利]发光装置芯片封装物及支撑结构的形成方法

权利要求书

1.一种发光装置芯片封装物，包括：

该发光装置芯片；以及

一支撑结构，其中该发光装置芯片设置于该支撑结构之上，且其中该支撑结构具有用于提供该发光元件芯片的电性连结的一第一组贯穿硅介层物以及用于提供该发光元件芯片散热的一第二组贯穿硅介层物，其中该第一组贯穿硅介层物依照一第一图案密度的一第一图案而设置为，而该第二组贯穿硅介层物依照一第二图案密度的一第二图案设置，而其中该第一组贯穿硅介层物与该第二组贯穿硅介层物具有一相同深度。

2.如权利要求1所述的发光装置芯片封装物，其中该第一组贯穿硅介层物与该第二组贯穿硅介层物具有相同形状、相同尺寸与相同深宽比。

3.如权利要求1所述的发光装置芯片封装物，其中该第一组贯穿硅介层物的该第一图案相同于该第二组贯穿硅介层物的该第二图案，而该第一组贯穿硅介层物的该第一图案密度相同于该第二组贯穿硅介层物的该第二图案密度。

4.如权利要求1所述的发光装置芯片封装物，其中该第一图案密度与该第二图案密度间具有介于0.1-5％的绝对值的一差值。

5.如权利要求4所述的发光装置芯片封装物，其中该第一图案密度高于该第二图案密度，以降低该第一组贯穿硅介层物的边缘效应。

6.一种用于发光装置芯片的支撑结构的形成方法，包括：

准备用于图案化多个贯穿硅介层物的一光掩模，其中所述多个贯穿硅介层物分成至少一第一组与一第二组，而其中该第一组的贯穿硅介层物提供了与发光装置芯片的电性连接，而该第二组贯穿硅介层物提供了发光装置芯片的散热，该第一组贯穿硅介层物与该第二组贯穿硅介层物的深度介于15-40微米，而该第一图案密度与该第二图案密度间的差值具有为0.1-5％的一绝对值；

沉积一抗蚀剂层于作为该支撑结构的一基板之上；

采用该光掩模以图案化位于该基板上的该抗蚀剂层；以及

借由用于硅的一深反应性离子蚀刻工艺以于图案化该抗蚀剂层后蚀刻该基板。

7.如权利要求6所述的用于发光装置芯片的支撑结构的形成方法，还包括：

早于沉积该抗蚀剂层之前，沉积一牺牲介电层于该基板之上。

8.如权利要求6所述的用于发光装置芯片的支撑结构的形成方法，其中该用于硅的深反应性离子蚀刻工艺采用了SF₆做为反应气体。

9.如权利要求6所述的用于发光装置芯片的支撑结构的形成方法，其中该抗蚀剂层为一干膜抗蚀剂，而其中该干膜抗蚀剂保护了所述多个贯穿硅介层物的侧壁免于受到一湿抗蚀剂的污染。

10.如权利要求6所述的用于发光装置芯片的支撑结构的形成方法，其中该第一组贯穿硅介层物与该第二组贯穿硅介层物具有相同形状、相同尺寸与相同深宽比，借以改善芯片内的蚀刻均匀度。