[发明专利]布线层、半导体装置、液晶显示装置有效
| 申请号: | 201080039374.4 | 申请日: | 2010-08-19 |
| 公开(公告)号: | CN102484138A | 公开(公告)日: | 2012-05-30 |
| 发明(设计)人: | 高泽悟;白井雅纪;石桥晓 | 申请(专利权)人: | 株式会社爱发科 |
| 主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786;C22C9/01;G02F1/1343;G02F1/1368;H01B5/14;H01L21/28;H01L21/3205;H01L23/52;H01L29/423;H01L29/49 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 何欣亭;王忠忠 |
| 地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 布线 半导体 装置 液晶 显示装置 | ||
1.一种布线层,与玻璃基板接触,其中
所述布线层由与所述玻璃基板接触的密接膜和与所述密接膜接触的铜薄膜构成,
所述密接膜包含铜、镁以及铝,在铜、镁以及铝的合计原子数为100at%时,含镁的范围为0.5at%以上5at%以下,含铝的范围为5at%以上15at%以下。
2.一种半导体装置,其中包括半导体层、形成在所述半导体层上的栅极绝缘膜、和隔着所述栅极绝缘膜而与所述半导体层相向的栅极电极,在所述半导体层中,在与所述栅极电极相向的部分设有沟道区域,在所述沟道区域的两侧设有源极区域和漏极区域,在所述源极区域和所述漏极区域分别与源极电极层和漏极电极层接触,
所述栅极电极层具有密接膜和与所述密接膜接触而形成的铜薄膜,该密接膜包含铜、镁以及铝,在铜、镁以及铝的合计原子数为100at%时,含镁的范围为0.5at%以上5at%以下,含铝的范围为5at%以上15at%以下,
所述密接膜与玻璃基板接触。
3.一种液晶显示装置,其中包括权利要求1所述的布线层和所述玻璃基板,在所述玻璃基板上配置有像素电极、位于所述像素电极上的液晶、和位于所述液晶上的上部电极,
所述像素电极与所述布线层电连接。
4.一种液晶显示装置,其中包括权利要求2所述的半导体装置和所述玻璃基板,在所述玻璃基板上配置有像素电极、位于所述像素电极上的液晶、和位于所述液晶上的上部电极,
所述像素电极与所述漏极电极层或者源极电极层的任一个电连接。
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