[实用新型]一种半导体芯片封装结构

权利要求书

1.一种半导体芯片封装结构，其特征在于：包括半导体芯片和包覆体(9)，所述半导体芯片被真空包覆于所述包覆体(9)中，所述半导体芯片为氮化镓芯片。

2.如权利要求1所述半导体芯片封装结构，其特征在于：所述氮化镓芯片为氮化镓晶体管、氮化镓放大器模块或者氮化镓单片微波集成电路。

3.如权利要求2所述半导体芯片封装结构，其特征在于：所述氮化镓晶体管由下至上依次包括基片(1)、半导体层(3)和隔离层(4)，该氮化镓晶体管还包括源极(5)、漏极(6)和栅极(7)，所述源极(5)和漏极(6)设置于所述隔离层(4)上且电性连接所述半导体层(3)，所述栅极(7)设置于所述隔离层(4)上，所述栅极(7)位于所述源极(5)和漏极(6)之间。

4.如权利要求3所述半导体芯片封装结构，其特征在于：所述包覆体(9)外设置有电性连接对应源极(5)、漏极(6)和栅极(7)的外接端口。

5.如权利要求3所述半导体芯片封装结构，其特征在于：所述隔离层(4)上设置有钝化层(10)。

6.如权利要求5所述半导体芯片封装结构，其特征在于：所述钝化层(10)的厚度小于20nm。

7.如权利要求3所述半导体芯片封装结构，其特征在于：所述氮化镓晶体管还包括设置于所述基片(1)和所述半导体层(3)之间的成核层(2)，所述半导体层(3)和所述隔离层(4)之间形成异质结，所述半导体层(3)的材料为氮化物半导体材料，所述隔离层(4)的材料为与所述半导体层(3)的材料形成异质结的半导体材料。

8.如权利要求3所述半导体芯片封装结构，其特征在于：所述半导体层(3)和所述隔离层(4)的材料为In_xAl_yGa_zN_1-x-y-z，0≤x，y，z≤1。

9.如权利要求5所述半导体芯片封装结构，其特征在于：所述钝化层(10)的材质为SiN、GaN或SiO₂，所述基片(1)的材料为蓝宝石、SiC、GaN或Si。

10.如权利要求1至9中任一项所述半导体芯片封装结构，其特征在于：所述包覆体(9)中空气的压强小于1.0×10^-2Torr。