[发明专利]芯片封装体及其制造方法

权利要求书

1.一种芯片封装体，包括：

芯片，具有半导体元件；

上盖层，设置于该芯片的上方；

间隔层，设置于该上盖层与该芯片之间，并围绕该半导体元件形成空腔；以及

遮光层，设置于该上盖层与该芯片之间，该遮光层与该间隔层具有重叠部分，且延伸至该空腔中。

2.如权利要求1所述的芯片封装体，其中该半导体元件与该遮光层间隔水平距离。

3.如权利要求2所述的芯片封装体，其中该水平距离介于2μm至100μm之间。

4.如权利要求1所述的芯片封装体，其中该重叠部分等同于该间隔层宽。

5.如权利要求1所述的芯片封装体，其中该重叠部分不大于该间隔层宽度的二分之一。

6.如权利要求1所述的芯片封装体，其中该遮光层包括染料、颜料、金属材料、黑光致抗蚀剂或抗反射涂料。

7.如权利要求1所述的芯片封装体，其中该间隔层设置于该遮光层与该芯片之间。

8.如权利要求7所述的芯片封装体，其中该间隔层与该遮光层之间还包括粘着层。

9.如权利要求7所述的芯片封装体，其中该间隔层与该芯片之间还包括粘着层。

10.如权利要求1所述的芯片封装体，其中该间隔层设置于该遮光层及该上盖层之间。

11.如权利要求10所述的芯片封装体，其中该遮光层包括由该重叠部分沿着该间隔层的侧壁延伸至该上盖层上的部分。

12.如权利要求1所述的芯片封装体，其中该遮光层包括多层吸光波长范围不同的膜层。

13.一种芯片封装体的制造方法，包括下列步骤：

提供上盖层及包括多个芯片的晶片，其中每一芯片上设有半导体元件；

接合该上盖层与该晶片，且在两者之间设置间隔层及遮光层，其中该间隔层围绕该半导体元件，在该上盖层及该芯片之间形成空腔，其中该遮光层与该间隔层具有重叠部分，且延伸至该空腔中；以及

切割该晶片以分离该多个芯片。

14.如权利要求13所述的芯片封装体的制造方法，其中该半导体元件与该遮光层间隔水平距离。

15.如权利要求13所述的芯片封装体的制造方法，其中该遮光层包括染料、颜料、金属材料、黑光致抗蚀剂、抗反射涂料或前述材料的组合。

16.如权利要求13所述的芯片封装体的制造方法，其中接合该上盖层与该晶片的步骤，还包括：

形成间隔层于该芯片上；

形成遮光层于该上盖层上；及

以粘着层接合该间隔层与该遮光层。

17.如权利要求13所述的芯片封装体的制造方法，其中接合该上盖层与该晶片的步骤，还包括：

形成遮光层于该上盖层上；

形成间隔层于该遮光层上，部分覆盖该遮光层；及

以粘着层接合该间隔层及该芯片。

18.如权利要求13所述的芯片封装体的制造方法，其中接合该上盖层与该晶片的步骤，还包括：

形成间隔层于该上盖层上；

顺应性形成遮光层于该间隔层及该上盖层上；及

以粘着层接合该间隔层上的遮光层及该芯片。

19.如权利要求18所述的芯片封装体的制造方法，其中该遮光层覆盖该间隔层的侧壁。

20.如权利要求13所述的芯片封装体的制造方法，其中该遮光层包括多层吸光波长范围不同的膜层。