[发明专利]非易失性半导体存储装置及其制造方法

权利要求书

1.一种非易失性半导体存储装置，其特征在于，具有：

元件隔离层，多个该元件隔离层形成在第一导电型的半导体层上；

槽，其形成为在所述元件隔离层之间，该槽的第一侧壁为与元件隔离层正交的平面，该槽的第二侧壁为与所述元件隔离层非正交的平面；

第二导电型的源极层，其在所述槽内的所述第二侧壁及所述槽的底面上形成；

浮栅，其在所述槽内隔着第一绝缘膜形成；以及

控制栅，其形成为隔着第二绝缘膜与所述浮栅局部重叠，在所述半导体层上隔着第三绝缘膜延伸至所述元件隔离层上且与该元件隔离层正交。

2.一种非易失性半导体存储装置，其特征在于，具有：

元件隔离层，多个该元件隔离层形成在第一导电型的半导体层上；

控制栅，其形成为在所述半导体层上隔着第三绝缘膜延伸至所述元件隔离层上且与该元件隔离层正交；

槽，其在所述半导体层内形成，第一侧壁为与所述控制栅的一端面连续的平面，第二侧壁由与第一侧壁不平行的平面构成；

第二导电型的源极层，其在所述第二侧壁及所述槽的底面上形成；以及

浮栅，其形成为隔着第二绝缘膜与所述控制栅局部重叠，且在所述槽内隔着第一绝缘膜延伸。

3.如权利要求1或2所述的非易失性半导体存储装置，其特征在于，所述半导体层为硅层，所述第一侧壁的面方位为(100)面。

4.如权利要求1～3中任一项所述的非易失性半导体存储装置，其特征在于，所述槽内的第一绝缘膜在所述第二侧壁及所述槽的底面上形成的膜厚度比所述第一侧壁的第一绝缘膜厚。

5.如权利要求1～4中任一项所述的非易失性半导体存储装置，其特征在于，所述槽具有由与所述元件隔离层的端面平行的平面构成的第三侧壁和第四侧壁，当从该槽的上方看时，由所述第一侧壁、第二侧壁、第三侧壁、第四侧壁形成梯形形状。

6.一种非易失性半导体存储装置的制造方法，其特征在于，具有：

在第一导电型的半导体层上形成多个元件隔离层的工序；

形成槽的工序，该槽形成为在所述元件隔离层之间，该槽的第一侧壁为与元件隔离层正交的平面，该槽的第二侧壁由与所述元件隔离层非正交的平面构成；

离子注入在所述第二侧壁及所述槽的底面沿倾斜方向或垂直方向入射且在所述第一侧壁平行地入射的杂质离子，从而在该第二侧壁及所述槽的底面上形成第二导电型的源极层的工序；

在所述源极层形成后，在所述槽内隔着第一绝缘膜形成浮栅的工序；

形成控制栅的工序，该控制栅形成为隔着第二绝缘膜与所述浮栅局部重叠，在所述半导体层上隔着第三绝缘膜延伸至所述元件隔离层上且与该元件隔离层正交。

7.一种非易失性半导体存储装置的制造方法，其特征在于，具有：

在第一导电型的半导体层上形成多个元件隔离层的工序；

形成在所述半导体层上隔着第三绝缘膜延伸至所述元件隔离层上且与该元件隔离层正交的控制栅的工序；

在所述控制栅形成后，在所述半导体层内形成槽的工序，该槽形成为第一侧壁为与所述控制栅的一端面连续的平面，第二侧壁由与第一侧壁不平行的平面构成；

离子注入在所述第二侧壁及所述槽的底面沿倾斜方向或垂直方向入射且在所述第一侧壁平行地入射的杂质离子，从而在该第二侧壁及所述槽的底面上形成第二导电型的源极层的工序；

形成隔着第二绝缘膜与所述控制栅局部重叠且在所述槽内隔着第一绝缘膜延伸的浮栅的工序。

8.如权利要求6或7所述的非易失性半导体存储装置的制造方法，其特征在于，所述半导体层为硅层，所述第一侧壁的面方位为(100)面。