[发明专利]裸片尺寸半导体元件封装及其制造方法

权利要求书

1.一种裸片尺寸半导体元件封装，包含：

一绝缘基板，包括一第一表面、一第二表面及贯穿该第一表面及该第二表面的一通孔，又该通孔具有一第一开口及一第二开口；

一第一金属层，设于该绝缘基板的该第一表面及该通孔的该第一开口上；

一裸片，包括一第一电极及一第二电极，设于该通孔内，该第一电极电性连接至该第一金属层；

一绝缘层，覆盖于该绝缘基板的该第二表面及环设该通孔的该第二开口上；以及

一第二金属层，设于该绝缘层及该第二开口上，且电性连接至该第二电极。

2.根据权利要求1所述的裸片尺寸半导体元件封装，其另包含至少两导电部及至少两端电极，该两导电部及该两端电极依序叠置于该绝缘基板的相对两侧边，并各自与该第一金属层及该第二金属层电性连接。

3.根据权利要求1所述的裸片尺寸半导体元件封装，其另包含设于该第一电极及该第一金属层中间的一导电胶。

4.根据权利要求3所述的裸片尺寸半导体元件封装，其中该导电胶为银胶。

5.根据权利要求1所述的裸片尺寸半导体元件封装，其中该绝缘基板的材料为FR-4基板、氧化铝陶瓷、氮化铝、玻璃或石英。

6.根据权利要求1所述的裸片尺寸半导体元件封装，其中该第一金属层的材料为银、钯、铝、铬、镍、钛、金、铜或铂。

7.根据权利要求1所述的裸片尺寸半导体元件封装，其中该第二金属层的材料为银、钯、铝、铬、镍、钛、金、铜或铂。

8.根据权利要求1所述的裸片尺寸半导体元件封装，其中该绝缘层的该材料可为聚酰亚胺、环氧树脂、苯并环丁烯树脂或高分子聚合物。

9.根据权利要求1所述的裸片尺寸半导体元件封装，其中该绝缘层填充于该通孔内。

10.根据权利要求2所述的裸片尺寸半导体元件封装，其中该导电部的材料为银或铜。

11.根据权利要求2所述的裸片尺寸半导体元件封装，其中该端电极的材料为镍锡合金。

12.一种裸片尺寸半导体元件封装的制造方法，包含步骤如下：

提供一具有一通孔的绝缘基板及一具有一第一电极及一第二电极的裸片，其中该绝缘基板包括一第一表面及一第二表面，又该通孔具有一第一开口及一第二开口；

于该绝缘基板的第一表面及该通孔的第一开口上形成一第一金属层；

将该裸片置于该通孔内，并电性连接该第一电极至该第一金属层；

覆盖一绝缘层于该绝缘基板的第二表面；以及

于该绝缘层及该第二开口上形成一第二金属，其中该第二金属电性连接至该第二电极。

13.根据权利要求12所述的裸片尺寸半导体元件封装的制造方法，其另包含去除该绝缘层的上表层部分以露出该第二电极的步骤。

14.根据权利要求13所述的裸片尺寸半导体元件封装的制造方法，其中去除该绝缘层采用研磨、干式蚀刻或湿式蚀刻的步骤。

15.根据权利要求12所述的裸片尺寸半导体元件封装的制造方法，其另包含于该绝缘基板的相对两侧边依序及分别形成一导电部及一端电极的步骤，其中位于该两侧边的该两端电极分别与该第一金属层及该第二金属层电性连接。

16.根据权利要求15所述的裸片尺寸半导体元件封装的制造方法，其中该导电部以沾银或沾铜的步骤形成。

17.根据权利要求15所述的裸片尺寸半导体元件封装的制造方法，其中该端电极以电镀镍与锡的步骤形成。

18.根据权利要求12所述的裸片尺寸半导体元件封装的制造方法，其另包含于该第一金属层上涂布一导电胶以结合该第一电极的步骤。

19.根据权利要求18所述的裸片尺寸半导体元件封装的制造方法，其中该导电胶为银胶。

20.根据权利要求12所述的裸片尺寸半导体元件封装的制造方法，其中该绝缘基板的材料为FR-4基板、氧化铝陶瓷、氮化铝、玻璃或石英。

21.根据权利要求12所述的裸片尺寸半导体元件封装的制造方法，其中该第一金属层的材料为银、钯、铝、铬、镍、钛、金、铜或铂。