[发明专利]用于生长Ⅲ族氮化物半导体晶体的方法以及用于Ⅲ族氮化物半导体晶体的生长装置

权利要求书

1.一种用于生长III族氮化物半导体晶体的方法，该方法通过对包 含III族氮化物半导体的材料进行升华以及对所升华的材料气体进行沉 积，所述方法包括以下步骤：

准备包括热屏蔽部的腔，所述热屏蔽部用于屏蔽来自所述腔中的 所述材料的热辐射；

将所述材料设置在所述腔中的所述热屏蔽部的一侧；以及

通过加热要被升华的所述材料以及在所述腔中的所述热屏蔽部的 另一侧上沉积所述材料气体，来生长所述III族氮化物半导体晶体，

其中，

所述热屏蔽部包括多个板状部，所述多个板状部处于用于设置所 述材料的第一空间和用于生长所述III族氮化物半导体晶体的第二空间 之间，所述多个板状部被设置成在所述第一空间和所述第二空间中的 每个之中形成分隔的第三空间，并且所述多个板状部具有用于允许所 述材料气体通过的通孔，并且，

其中，生长所述III族氮化物半导体晶体的步骤包括以下步骤：

在所述第三空间中将所述材料气体沉积为其它III族氮化物半导体 晶体；以及

通过升华所述其它III族氮化物半导体晶体，来在所述第二空间中 生长所述III族氮化物半导体晶体。

2.根据权利要求1所述的用于生长III族氮化物半导体晶体的方 法，其中，

所述热屏蔽部具有比所述III族氮化物半导体晶体的热辐射速率更 低的热辐射速率。

3.根据权利要求1所述的用于生长III族氮化物半导体晶体的方 法，其中，

使得从所述材料到所述第三空间的材料气体传输速率大于从所述 第三空间到所述第二空间中的所述III族氮化物半导体晶体的材料气体 传输速率。

4.根据权利要求3所述的用于生长III族氮化物半导体晶体的方 法，其中，

所述板状部被设置成当从所述第二空间看所述第一空间时，所述 板状部的各个所述通孔彼此不重叠。

5.根据权利要求3所述的用于生长III族氮化物半导体晶体的方 法，其中，分隔所述第一空间和所述第三空间的板状部的通孔的面积 大于分隔所述第三空间和所述第二空间的板状部的通孔的面积。

6.根据权利要求1所述的用于生长III族氮化物半导体晶体的方 法，进一步包括排出部分所述材料气体的步骤。

7.根据权利要求1所述的用于生长III族氮化物半导体晶体的方 法，其中，

所述III族氮化物半导体晶体为Al_xGa_(1-x)N晶体，其中0＜x≤1。