[发明专利]半导体芯片封装件、电子装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体芯片封装件，所述半导体芯片封装件包括：

半导体芯片，包括具有多个键合焊盘的第一表面、面向第一表面的第二表面和侧壁；

模制延伸部分，围绕半导体芯片的第二表面和侧壁；

多个再分布图案，从键合焊盘延伸到模制延伸部分上，并电连接到键合焊盘；

多个凸点焊球，位于再分布图案上；

模制层，被构造为覆盖半导体芯片的第一表面和模制延伸部分，同时暴露每个凸点焊球的一部分，

其中，模制层在彼此相邻的凸点焊球之间具有凹月牙表面。

2.根据权利要求1所述的半导体芯片封装件，其中，凸点焊球之一与凹月牙表面之一之间接触的点的位置处于从凸点焊球具有最大横截面的水平面延伸不超过凸点焊球的最大直径的大约1/7的水平面的高度处。

3.根据权利要求1所述的半导体芯片封装件，其中：

凹月牙表面包括：第一高度，从第一表面到与凸点焊球接触的部分；第二高度，从第一表面到凸点焊球之间的最低部分，第一高度和第二高度之间的高度差为凸点焊球的最大直径的长度的1/5。

4.根据权利要求1所述的半导体芯片封装件，其中，凹月牙表面具有糙面精整。

5.根据权利要求1所述的半导体芯片封装件，其中，模制延伸部分由与模制层相同的材料制成。

6.根据权利要求1所述的半导体芯片封装件，还包括：

绝缘层，位于半导体芯片的第一表面和再分布图案之间。

7.根据权利要求6所述的半导体芯片封装件，其中，绝缘层还设置在半导体芯片和再分布图案之间。

8.根据权利要求1所述的半导体芯片封装件，其中，模制层包含环氧模塑料。

9.根据权利要求8所述的半导体芯片封装件，其中，在低于玻璃转变温度的温度范围内，环氧模塑料的热膨胀系数低于50ppm/℃。

10.根据权利要求8所述的半导体芯片封装件，其中，环氧模塑料的弹性模量为3GPa或更大。

11.一种电子装置，所述电子装置包括：

半导体芯片封装件，其包括：半导体芯片，包括具有多个键合焊盘的第一表面、面向第一表面的第二表面和侧壁；模制延伸部分，围绕半导体芯片的第二表面和侧壁；多个再分布图案，从键合焊盘延伸到模制延伸部分上，并电连接到键合焊盘；多个凸点焊球，位于再分布图案上；模制层，被构造为覆盖半导体芯片的第一表面和模制延伸部分，同时暴露每个凸点焊球的一部分，其中，模制层在彼此相邻的凸点焊球之间具有凹月牙表面；

布线基底，半导体芯片封装件安装在布线基底的一个表面上。

12.根据权利要求11所述的电子装置，还包括：

多个布线基底焊球，位于布线基底的面向所述一个表面的表面上。

13.一种制造半导体芯片封装件的方法，所述方法的步骤包括：

准备半导体芯片，所述半导体芯片具有包括键合焊盘的第一表面、面向第一表面的第二表面和侧壁；

形成围绕半导体芯片的第二表面和侧壁的模制延伸部分；

形成再分布图案，所述再分布图案延伸到模制延伸部分上并电连接到键合焊盘；

在再分布图案上形成凸点焊球；

形成模制层以覆盖第一表面并暴露每个凸点焊球的一部分，从而模制层在彼此相邻的凸点焊球之间具有凹月牙表面。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，凸点焊球之一与凹月牙表面之一之间接触的点的位置处于从凸点焊球具有最大横截面的水平面延伸不超过凸点焊球的最大直径的大约1/7的水平面的高度处。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，凹月牙表面包括：

第一高度，从第一表面到与凸点焊球接触的部分；

第二高度，从第一表面到凸点焊球之间的最低部分，

第一高度和第二高度之间的高度差为凸点焊球的直径长度的1/5。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，第一高度和第二高度之间的高度差至少为10μm。

17.根据权利要求13所述的方法，其中，模制延伸部分包含与模制层相同的材料。