[发明专利]电子元件封装体及其制作方法有效
申请号: | 200810109132.2 | 申请日: | 2008-05-23 |
公开(公告)号: | CN101587903A | 公开(公告)日: | 2009-11-25 |
发明(设计)人: | 林佳升;黄郁庭;赖志隆 | 申请(专利权)人: | 精材科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L23/48;H01L21/60 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子元件 封装 及其 制作方法 | ||
1.一种电子元件封装体,包含:
半导体芯片,具有基底;
支撑块,与该基底间隔一既定距离;以及
接合垫,具有一表面,其横跨于该基底与该支撑块上。
2.如权利要求1所述的电子元件封装体,其中该支撑块与该基底共平面。
3.如权利要求1所述的电子元件封装体,还包含绝缘层,位于该支撑块与该基底之间,以隔离该基底与该支撑块,且该接合垫横跨于该绝缘层上。
4.如权利要求1所述的电子元件封装体,其中该支撑块与该基底由相同材料构成。
5.如权利要求4所述的电子元件封装体,其中该支撑块由硅材料构成。
6.如权利要求1所述的电子元件封装体,还包含导线层,与该支撑块及该接合垫的侧面接触。
7.如权利要求1所述的电子元件封装体,还包含封装层,覆盖该半导体芯片及该支撑块。
8.如权利要求7所述的电子元件封装体,其中该封装层与该半导体芯片及该支撑块之间还包含间隔层。
9.如权利要求1所述的电子元件封装体,其为背光式影像感测元件封装体,包含:
以该半导体芯片的基底作为第一基底,其具有受光面及背光面,且该背光面包含感光元件区;
第二基底,接合至该第一基底的背光面;
第一封装层,覆盖该第一基底的受光面;
第二封装层,覆盖该第二基底;
导线层,形成于该第二封装层上,且延伸至该接合垫及该支撑块的侧面上,以电性连接该接合垫;以及
导电凸块,设置于该第二封装层上,且电性连接该导线层。
10.一种电子元件封装体的制作方法,包括:
提供晶片,具有包含多个管芯区的基底,以承载或形成多颗半导体芯片,且多个接合垫形成于该基底上;以及
对该基底实施晶片级封装工艺,其包含:
图案化该基底以于每个管芯区隔离出支撑块,以使该支撑块与该基底间隔一既定距离,且暴露该接合垫。
11.如权利要求10所述的电子元件封装体的制作方法,其中该基底包含第一表面及相对的第二表面,这些接合垫形成于该基底的第一表面上,且该基底的第二表面被图案化以隔离出该支撑块,并形成图案化开口以暴露出该接合垫。
12.如权利要求11所述的电子元件封装体的制作方法,其中这些半导体芯片包含光电元件,且该晶片级封装还包含:
以该基底为第一基底,且以该第一表面为背光面,及该相对的第二表面为出光面或受光面;
设置第一封装层,以覆盖该第一基底的出光面或受光面;
接合该第一基底的背光面至第二基底上;以及
沿着两管芯区间的预定切割道的位置,分离该第二基底,以形成多个对应管芯区的承载板。
13.如权利要求12所述的电子元件封装体的制作方法,其中该晶片级封装工艺还包含:
形成绝缘层,以至少包覆这些承载板的侧面;
设置第二封装层,以覆盖该第二基底及该绝缘层;
于两管芯区间的该预定切割道的位置形成通道凹口;
形成导线层于该第二封装层上,且沿着该通道凹口延伸至该接合垫与该支撑块的侧面上,以电性连接该接合垫;
设置导电凸块于该第二封装层上,且电性连接该导线层;以及
沿该预定切割道分离该第一封装层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的