[发明专利]覆晶封装结构及其制程

说明书

技术领域

本发明是有关于一种芯片封装结构及其制程，且特别是有关于一种可防止配置于芯片承载器上的芯片倾斜的芯片封装结构及其制程。

背景技术

在现今的资讯社会中，均追求高速度、高品质、多工能性的产品，而就产品外观而言，是朝向轻、薄、短、小的趋势迈进。一般电子产品均具有芯片及与芯片连接的基板(例如芯片承载器)，芯片主要可通过打线接合(wire bonding，WB)技术、覆晶接合(flip chip，FC)技术或是卷带自动接合(tape automatedbonding，TAB)技术与基板电性连接。而现有覆晶接合及卷带自动接合封装技术中，芯片的有源表面上主要配置有多个凸块，芯片透过凸块与基板电性连接，然后在芯片与基板之间会填充一封胶体(encapsulant)以保护凸块且增加芯片和基板的接合度。

因芯片是通过凸块从基板接收到信号或传送信号到基板，所以凸块与基板之间接合的可靠度对于芯片与基板之间的信号传输品质有决定性的影响。一般而言，凸块可视需求而配置于芯片的有源表面的中心区域或者是周边区域。当凸块需配置于芯片的有源表面的中心区域时，凸块将位于芯片的多个中心焊垫上。

图1绘示现有的具有中心焊垫的覆晶封装结构的剖面图。请参照图1，覆晶封装结构100具有一芯片承载器110、一芯片120、多个凸块130(于图1中仅绘示一个凸块130做为代表)以及一封胶体140。其中，芯片120配置于芯片承载器110上。芯片120具有多个中心焊垫122，这些中心焊垫122配置于芯片120的有源表面124的一中心区域F内。凸块130配置于中心焊垫122上，并电性连接于芯片120以及芯片承载器110之间，也就是说凸块130也是配置于芯片120的有源表面124的中心区域F内。封胶体140配置于芯片120以及芯片承载器110之间并包覆凸块130。

于现有技术中，封胶体140的材质为液态胶材时，制作覆晶封装结构100的方法为先将芯片120与芯片承载器110接合，之后再以点胶方式涂布于芯片120周边，并利用毛细作用使其流入芯片120与芯片承载器110之间。然而，以此种方法需先将芯片120固定于芯片承载器110后才填入封胶体140，且凸块130配置于芯片120的有源表面124的中心区域F内，因此将芯片120与芯片承载器110接合时容易有倾斜问题。此外，封胶体140需透过毛细现象填充于芯片120与芯片承载器110之间，因此封胶体140容易因为不易填满芯片120与芯片承载器110之间而产生孔隙且需时较久。

而后，随着业界于材料与制程上的不断研发，非导电胶体(Non-conductivepaste，NCP)亦可被用做为封胶体140。当封胶体140的材质为非导电胶体时，制作覆晶封装结构100的方法可以是先在芯片承载器110上涂布封胶体140，然后再将芯片120配置于芯片承载器110上使凸块130与芯片承载器110连接。然而，此方法容易因封胶体140的表面不平坦而造成芯片120倾斜，且封胶体140容易溢流并产生孔洞。

发明内容

本发明提出一种覆晶封装制程，可于芯片接合至芯片承载器时使芯片获得支撑而不易倾斜，且可防止非导电胶体溢流。

为具体描述本发明的内容，在此提出一种覆晶封装制程。首先，提供一芯片，芯片具有一有源表面以及多个位于有源表面上的焊垫。接着，于芯片的焊垫上形成多个凸块。然后，于有源表面上形成一挡墙，挡墙避开凸块形成区域围出一区块。之后，于区块内的有源表面上形成一非导电胶体，以包覆凸块。然后，令芯片通过凸块与一芯片承载器电性连接。

在本发明的一实施例中，挡墙的材质包括二阶段热固性胶体，而令芯片与芯片承载器电性连接的方法可以是先部分固化二阶段热固性胶体，以使二阶段热固性胶体形成B阶胶体。然后，翻转芯片，以使芯片通过凸块与芯片承载器电性连接。之后，固化B阶胶体与非导电胶体以使芯片粘着于芯片承载器上。

在本发明的一实施例中，挡墙的材质包括防焊材料，而令芯片与芯片承载器电性连接的方法可以是先翻转芯片，以使芯片通过凸块与芯片承载器电性连接。然后，固化非导电胶体，使芯片粘着于芯片承载器上。

在本发明的一实施例中，覆晶封装制程还包括于芯片承载器上形成多个焊球，其中焊球与芯片分别位于芯片承载器的二相对表面。