[发明专利]覆晶封装结构及其制程

权利要求书

1.一种覆晶封装制程，包括：

提供一芯片，该芯片具有一有源表面以及多个位于该有源表面上的焊垫；

于该芯片的该些焊垫上形成多个凸块；

于该有源表面上形成一挡墙，该挡墙避开该些凸块形成区域围出一区块；

于该区块内的该有源表面上形成一非导电胶体，以包覆该些凸块；以及

于形成该挡墙与该非导电胶体之后，令该芯片通过该些凸块与一芯片承载器电性连接。

2.如权利要求1所述的覆晶封装制程，其特征在于，该挡墙的材质包括二阶段热固性胶体，而令该芯片与该芯片承载器电性连接的方法包括：

部分固化该二阶段热固性胶体，以使该二阶段热固性胶体形成B阶胶体；

翻转该芯片，以使该芯片透过该些凸块与该芯片承载器电性连接；以及

固化该B阶胶体与该非导电胶体，使该芯片粘着于该芯片承载器上。

3.如权利要求1所述的覆晶封装制程，其特征在于，该挡墙的材质包括防焊材料，而令该芯片与该芯片承载器电性连接的方法包括：

翻转该芯片，以使该芯片透过该些凸块与该芯片承载器电性连接；以及

固化该非导电胶体，使该芯片粘着于该芯片承载器上。

4.一种覆晶封装制程，包括：

提供一芯片，该芯片具有一有源表面以及多个位于该有源表面上的焊垫；

于该芯片的该些焊垫上形成多个凸块；

于一芯片承载器上形成一挡墙；

于该挡墙所围出的一区块内的该芯片承载器上形成一非导电胶体；以及

于形成该挡墙与该非导电胶体之后，令该芯片通过该些凸块与该芯片承载器电性连接，以使该非导电胶体包覆该些凸块，且该挡墙位于被该非导电胶体包覆的该些凸块周边。

5.如权利要求4所述的覆晶封装制程，其特征在于，该挡墙的材质包括二阶段热固性胶体，而令该芯片与该芯片承载器电性连接的方法包括：

部分固化该二阶段热固性胶体，以使该二阶段热固性胶体形成B阶胶体；

翻转该芯片，以使该芯片通过该些凸块与该芯片承载器电性连接；以及

固化该B阶胶体与该非导电胶体，使该芯片粘着于该芯片承载器上。

6.如权利要求4所述的覆晶封装制程，其特征在于，该挡墙的材质包括防焊材料，而令该芯片与该芯片承载器电性连接的方法包括：

翻转该芯片，以使该芯片通过该些凸块与该芯片承载器电性连接；以及

固化该非导电胶体，使该芯片粘着于该芯片承载器上。