[发明专利]半导体结构及其制造方法无效
申请号: | 200810083890.1 | 申请日: | 2008-03-11 |
公开(公告)号: | CN101236951A | 公开(公告)日: | 2008-08-06 |
发明(设计)人: | 黄志亿;吴志伟 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L23/538;H01L21/48;H01L21/768;H01P3/08;H01P11/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种半导体结构,尤指一种减少共振效应的半导体结构及其制造方法。
背景技术
对于愈趋高频的电路设计,信号的完整性也越受到重视。举例来说,两平行电板在直流电压(DC)状态下可视为一个电容器,而在高频的微波领域中,则可将其视为一个波导管。波导管就如同一个共振腔,在共振频率发生的时候,表示平行电板将会传播此频率的电磁波。换句话说,就是想要传输的信号在共振频率发生的时候,将会有部分的能量传播到平行电板上,而这并不是传递信号时所乐见的,因为这样会使部分信号的能量损耗在平行电板上,从信号传输端到接收端的能量可能就不完整,而得到较差的信号品质。从另一个角度来看,如果平行电板间具有一高频的噪声(Noise),且刚好符合平行电板间的共振频率,则此噪声也会经由平行电板耦合到传输线,信号传输的品质将大受影响。
一般尝试在半导体结构中,利用旁路穿孔(via)的方式增加回流路径,减少共振效应来降低平行电板(例如:电源板层/接地板层)之间的共振及耦合效应,其中又以半导体结构中的夹心带线(Strip Line)最容易受到平行电板之间共振效应的影响,因此,已知技术中衍生出许多改善夹心带线受到共振效应影响的方法。
请参阅图1,图1为已知技术于夹心带线的两旁设置导孔的结构的示意图。如图1所示,在传统的半导体结构中,为了改善信号传递的完整性,在夹心带线10的两旁设置两排导孔12是最常用来减少共振效应、降低穿透损耗的方法,通过设置两排导孔12的方式,让同一属性的平行电板短路(short)在一起,除了能有效提供电流回流的路径,也形成一种屏蔽(Shielding)效应,让平行电板间的共振不会影响到夹心带线10。
但是实际上,这并不是一个可以完全解决共振效应的方法,因为一般的夹心带线10受到平行电板间的共振影响甚巨,即使在夹心带线10两旁设置两排导孔12,也无法完全的屏除平行电板间共振的影响。此外,利用在夹心带线10的两旁设置两排导孔12来减少共振效应的方式,需要许多数量的导孔12,相对的必须耗费极高的成本,而且,利用此种设置两排导孔12的方式,在特定频率时,平行电板间仍然存在着一定的穿透耗损,并无法有效解决共振效应的问题。因此,如何在不耗费太高的成本之前提下,有效改善共振效应的影响并且解决穿透损耗的问题,已成为一种半导体结构发展的重要课题。
发明内容
因此,本发明的目的之一在于提供一种半导体结构及其制造方法,用以减少共振效应对信号传递的影响。
本发明的实施例披露一种半导体结构,该半导体结构包含第一信号层、第二信号层、一导线层以及至少一导孔。该导线层形成于该第一信号层以及该第二信号层之间,导线层上的第一端点以及第二端点间设置有一导线。至少一导孔用以导通第一信号层以及第二信号层。其中,该至少一导孔趋近于第一端点以及第二端点而设置。
本发明的另一实施例披露一种半导体制造方法,该半导体制造方法包含有下列步骤:形成第一信号层以及第二信号层;在第一信号层以及第二信号层之间形成一导线层,并于导线层上设置第一端点及第二端点;在导线层上的第一端点以及第二端点之间设置一导线;以及设置至少一导孔以导通第一信号层以及第二信号层;其中,该至少一导孔趋近于第一端点以及第二端点而设置。
为让本发明的上述和其他目的、特征、和优点能更明显易懂,下文特举出优选实施例,并配合所附图示作详细说明。
附图说明
图1为已知技术在夹心带线的两旁设置导孔的结构的示意图。
图2A为本发明的半导体结构的剖面图。
图2B为本发明的半导体结构沿着图2A中A-A`剖线的剖面的俯视图。
图3为本发明的半导体结构的穿透损耗随频率变化的测量数据。
图4为本发明的半导体制造方法的方法流程图。
附图标记说明
10 夹心带线
12、38 导孔
30 半导体结构
32 第一信号层
34 第二信号层
36 导线层
40 芯片
42 打线
44 接合垫
321 第一介电层
323 第一信号线路
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