[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1、一种半导体结构，包含：

一第一信号层；

一第二信号层；

一导线层，形成于该第一信号层以及该第二信号层之间，该导线层上的第一端点以及第二端点间设置有一导线；以及

至少一导孔，用以导通该第一信号层以及该第二信号层；

其中，该至少一导孔趋近于该第一端点以及该第二端点而设置。

2、如权利要求1所述的半导体结构，其中该至少一导孔包含第一组导孔以及第二组导孔，该第一组导孔对称于该第一端点而设置，该第二组导孔则对称于该第二端点所设置。

3、如权利要求2所述的半导体结构，其中于该第一组导孔以及该第二组导孔分别包含至少有三个导孔。

4、如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一信号层包含有第一介电层以及第一信号线路，该第二信号层包含有第二介电层以及第二信号线路，其中，该第一信号线路位于该第一介电层以及该导线层之间，而该第二信号线路位于该第二介电层以及该导线层之间。

5、如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一信号层以及该第二信号层具有相同电位，该至少一导孔用以于该第一信号层以及该第二信号层形成短路。

6、如权利要求5所述的半导体结构，其中该至少一导孔中每一个导孔具有一导电柱，用以将该第一信号层以及该第二信号层短路。

7、如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一端点以及该第二端点分别设置有第一导电柱以及第二导电柱，该第一导电柱设置于该第一信号层以及该导线层之间，而该第二导电柱设置于该第二信号层以及该导电层之间。

8、一种半导体结构的制造方法，包含下列步骤：

(A)形成第一信号层以及第二信号层；

(B)在该第一信号层以及该第二信号层之间形成一导线层，并在该导线层上设置第一端点以及第二端点；

(C)在该导线层上的该第一端点以及该第二端点之间设置一导线；以及

(D)设置至少一导孔以导通该第一信号层以及该第二信号层；

其中，该至少一导孔趋近于该第一端点以及该第二端点而设置。

9、如权利要求8所述的方法，其中该至少一导孔包含第一组导孔以及第二组导孔，该第一组导孔对称于该第一端点而设置，该第二组导孔则对称于该第二端点所设置。

10、如权利要求9所述的方法，其中该第一组导孔以及该第二组导孔分别包含至少三个导孔。

11、如权利要求8所述的方法，其中步骤(A)还包含：

(A1)形成第一介电层以及第一信号线路以构成该第一信号层；以及

(A2)形成第二介电层以及第二信号线路以构成该第二信号层；

其中，该第一信号线路位于该第一介电层以及该导线层之间，而该第二信号线路位于该第二介电层以及该导线层之间。

12、如权利要求11所述的方法，其中该第一信号层及该第二信号层具有相同电位。

13、如权利要求12所述的方法，其中该至少一导孔用以于该第一信号层以及该第二信号层形成短路。

14、如权利要求13所述的方法，其中该至少一导孔中每一个导孔具有一导电柱，用以将该第一信号层以及该第二信号层短路。

15、如权利要求8所述的方法，其中步骤(C)还包含：分别于该第一端点以及该第二端点上设置第一导电柱以及第二导电柱，该第一导电柱设置于该第一信号层以及该导线层之间，而该第二导电柱设置于该第二信号层以及该导线层之间。