[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体芯片，第一表面上配设有半导体元件的第一电极，并且与上述第一表面相对置的第二表面上配设有上述半导体元件的第二电极；

连接在上述半导体芯片的第一表面上的第一导电性部件；

连接在上述半导体芯片的第二表面上的第二导电性部件；

第一外部电极，与上述第一导电性部件连接，并且具有比上述第一导电性部件大的连接面积；

第二外部电极，与上述第二导电性部件连接，并且具有比上述第二导电性部件大的连接面积；以及

密封材料，在上述第一外部电极与上述第二外部电极之间利用加热而被熔融及硬化来密封上述半导体芯片、上述第一导电性部件和上述第二导电性部件。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，在上述第一外部电极和上述第二外部电极上进行电镀处理。

3.一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体芯片，第一表面上配设有半导体元件的第一电极，并且与上述第一表面相对置的第二表面上配设有上述半导体元件的第二电极；

连接在上述半导体芯片的第一表面上的导电性部件；

外部电极，与上述导电性部件连接，并且具有比上述导电性部件大的连接面积；以及

密封材料，利用加热而被熔融及硬化来密封上述半导体芯片和上述导电性部件。

4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，在上述外部电极和上述半导体芯片的上述第二表面上实施电镀处理，形成电镀膜。

5.如权利要求1～4中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，上述密封材料被形成为片状。

6.如权利要求1～4中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，利用具有相同性质但其颜色不同的多个片状密封材料密封上述半导体芯片。

7.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

在片状密封材料上形成通孔的工序；

将设置了上述通孔的片状密封材料分别粘接到第一外部电极和第二外部电极上的工序；

将导电性材料填充到粘接在上述第一外部电极上的第一片状密封材料和粘接在上述第二外部电极上的第二片状密封材料的各个通孔中的工序；

在第一表面上配设了半导体元件的第一电极并且与上述第一表面相对置的第二表面上配设了上述半导体元件的第二电极的半导体芯片上，将由填充到上述第一片状密封材料的通孔中的导电性材料形成的第一导电性部件连接到上述第一电极上，并且将由填充到上述第二片状密封材料的通孔中的导电性材料形成的第二导电性部件连接到上述第二电极上的工序；

从上述第一外部电极和上述第二外部电极向被上述第一导电性部件和第二导电性部件夹着的上述半导体芯片加压并加热来熔融上述第一片状密封材料和上述第二片状密封材料，从而密封上述半导体芯片、上述第一导电性部件和上述第二导电性部件的工序；以及

进一步加热并硬化上述第一片状密封材料和第二片状密封材料的工序。

8.一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体芯片，第一表面上配设有半导体元件的第一电极，并且与上述第一表面相对置的第二表面上配设有上述半导体元件的第二电极；

连接在上述半导体芯片的第一表面上的第一导电性部件；

连接在上述半导体芯片的第二表面上的第二导电性部件；以及

密封材料，在上述第一导电性部件与第二导电性部件之间利用加热而被熔融及硬化来密封上述半导体芯片；

上述第一导电性部件和上述第二导电性部件的与配设在上述半导体芯片的表面上的电极接触的一端具有比上述半导体芯片的表面积小的面积，另一端具有比上述半导体芯片的表面积大的面积。

9.如权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，上述第一导电性部件和上述第二导电性部件具有：从上述一端延伸到上述另一端的电流的第一导通路径、与该第一导通路径成直角地连接并延伸而构成上述另一端的第二导通路径、以及与上述第二导通路径成直角地连接并与上述第一导通路径并列地延伸的第三导通路径。

10.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，上述第三导通路径的长度比上述第一导通路径的长度短。