[实用新型]半导体机台的改良机构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半导体机台的改良机构，特别是有关于一种借助蚀刻制程室内多个晶圆载盘的配置，以提升溅射清洁效率的半导体机台的改良机构。

背景技术

一般而言，半导体制程如经过蚀刻制程以产生一介层洞(via hole)或一接触洞(contact hole)后，在洞内常遗留一些聚合物残留物，此类残留物可能影响后续的沉积制程的品质，必须通过清洁加以去除。常用的清洁方法有电浆清洗(plasma clean)与氩气溅射清洁(Argon sputterclean)两种，电浆清洗的原理为利用喷出的电浆，与洞内的残留物接触后产生化学或物理变化，以清洁洞内表面，电浆清洗的特色在于速度快但清洁度较差。氩气溅射清洁的原理为利用游离氩气粒子，对晶圆进行溅射轰击，以移除残留物，其特色在于清洁度好但速度较慢。业界基于生产效率的需求，多采用电浆清洗的方式。然而，因电浆清洗的清洁度较差，后续的沉积制程的良率会受到电浆清洗的清洁度较差的影响而严重降低，故如何兼顾清洁制程的品质与速度成为半导体制程的重要关键之一。

发明内容

有鉴于此，本实用新型的目的在于克服现有技术的不足与缺陷，提出一种半导体机台的改良机构，特别是一种借助蚀刻制程室内多个晶圆载盘的配置，以提升溅射清洁效率的半导体机台的改良机构。

为达上述目的，本实用新型提供一种半导体机台的改良机构，其包括：一蚀刻制程室，具有多个晶圆载盘与一溅射清洁装置；多个沉积制程室；以及一移转室，设置于该蚀刻制程室与所述的沉积制程室之间，并用于移转该蚀刻制程室与所述的沉积制程室内的多个晶圆。

本实用新型具有以下有益技术效果：本实用新型的半导体机台通过蚀刻制程室内多个晶圆载盘的配置，达到提升溅射清洁效率的功能，以提高半导体制程效率。

附图说明

图1为根据本发明的一实施例，一种半导体机台的改良机构示意图。

图中符号说明

10半导体机台的改良机构

11蚀刻制程室

111多个晶圆载盘

12多个沉积制程室

13移转室

具体实施方式

以下以具体的实施例，对本实用新型揭示的各形态内容加以详细说明。

参照图1，图1为根据本实用新型所提供的一种半导体机台的改良机构10的示意图，其中包括一蚀刻制程室11、多个沉积制程室12、以及一移转室13。蚀刻制程室11内设置有多个晶圆载盘111与一溅射清洁装置(未显示)。移转室13设置于蚀刻制程室11与多个沉积制程室12之间，亦即，移转室13连接蚀刻制程室11与多个沉积制程室12，用以移转蚀刻制程室11与多个沉积制程室12内的多个晶圆(未显示)。举例而言，移转室13根据一移转路线以移转蚀刻制程室11与多个沉积制程室12内的多个晶圆，其中，移转路线可为一圆周，而移转室13设于此圆周的中心位置，蚀刻制程室11与多个沉积制程室12则设于此圆周的外缘位置。

其中，在蚀刻制程后，多个晶圆上经常会产生接触洞(contact hole，未显示)或介层洞(via hole，未显示)等结构，以便于后续半导体制程中线路的连接。若舍弃电浆清洗方式而采用溅射清洁方式，其特色在于清洁度好但速度较慢，溅射清洁装置具有提供氩气溅击粒子功能的构造，对于接触洞与介层洞此氩气溅击粒子具有高品质的清洁效果。然而，氩气溅射清洁的速度较慢，故需改善其清洁速度慢的缺点，本发明提供的方式在蚀刻制程室11中设置多个晶圆载盘111，以同时对多个晶圆进行氩气溅射清洁，以提高制程效率。其中，晶圆载盘111的数目可视需要而定，例如根据蚀刻制程室11的大小而定，其数目较佳为至少两个或以上，以蚀刻制程室11的大小为限，且只要能达到提高制程清洁效率的目的即可。进一步，多个沉积制程室12的数量须对应于多个晶圆载盘111的数量(例如图1中显示三个晶圆载盘111，而沉积制程室12的数量亦为三个)，才能达到提高整体制程效率的功效。

其中，多个沉积制程室可为物理气相沉积室或化学气相沉积室；此外亦可能为进行金凸块或铅锡凸块封装的制程室，而所述溅射清洁装置可在晶圆接受金凸块或铅锡凸块封装前，用于清洁晶圆表面，使凸块附着更强。

虽然本实用新型已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本实用新型，任何本领域技术人员，在不脱离本实用新型的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，例如变更晶圆载盘或变更沉积制程室的数量。因此本实用新型的保护范围当视权利要求书的范围所界定者为准。