[实用新型]半导体机台的改良机构无效
| 申请号： | 200720125506.0 | 申请日： | 2007-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN201153117Y | 公开（公告）日： | 2008-11-19 |
| 发明（设计）人： | 刘相贤;简文隆;郑启民;蔡明仑;江宗宪 | 申请（专利权）人： | 力鼎精密股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/67;H01L21/311;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陈肖梅;谢丽娜 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 机台 改良 机构 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体机台的改良机构，其特征在于，包括：
一蚀刻制程室，具有多个晶圆载盘与一溅射清洁装置；
多个沉积制程室；以及
一移转室，设置于该蚀刻制程室与所述的沉积制程室之间，并用于移转该蚀刻制程室与所述的沉积制程室内的多个晶圆。
2.如权利要求1所述的半导体机台改良机构，其特征在于，该溅射清洁装置具有提供氩气溅击粒子的构造。
3.如权利要求1所述的半导体机台改良机构，其特征在于，所述的沉积制程室为物理气相沉积室或化学气相沉积室。
4.如权利要求1所述的半导体机台改良机构，其特征在于，该些晶圆载盘的数目为至少两个或两个以上，以该蚀刻制程室的大小为限。
5.如权利要求1所述的半导体机台改良机构，其特征在于，该移转室根据一移转路线，以移转该蚀刻制程室与所述的沉积制程室内的多个晶圆。
6.如权利要求5所述的半导体机台改良机构，其特征在于，该移转室设于该移转路线的中心位置，而该蚀刻制程室与所述的沉积制程室则设于该移转路线的外围位置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
