[发明专利]半导体管芯封装及其制作方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

获得包括引线框架结构和模塑材料的预模制衬底，其中所述引线框架结构包括第一导电部分、第二导电部分以及在所述第一导电部分与所述第二导电部分之间的中间部分；

切割所述中间部分以使所述第一导电部分与所述第二导电部分电隔离；

将半导体管芯附连到所述衬底；以及

将所述第一和第二导电部分电耦合到所述半导体管芯。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述中间部分使用蚀刻共用来形成。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一和第二导电部分的表面与所述模塑材料的外表面基本上共面。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，将所述第一导电部分和所述第二导电部分电耦合到所述半导体管芯包括将所述第一导电部分引线接合到所述半导体管芯以及将所述第二导电部分引线接合到所述半导体管芯。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，切割包括使用锯子、激光器或水射流来切割所述中间部分。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在将所述管芯附连到所述半导体管芯之后，使用包封材料对所述半导体管芯进行包封，其中所述包封材料填充所述第一导电部分与第二导电部分之间的区域。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预模制衬底处于预模制衬底的阵列中。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述导电部分不延伸通过所述模塑材料。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述经附连的半导体管芯与所述第一导电部分的至少一部分重叠。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述引线框架结构还包括在由多个第一导电部分限定的区域内的导电中央部分。

11.一种半导体管芯封装，包括：

包括引线框架结构和模塑材料的预模制衬底，其中所述引线框架结构包括第一导电部分、第二导电部分以及在所述第一导电部分与所述第二导电部分之间的腔体；

在所述预模制衬底上的半导体管芯；以及

覆盖所述半导体管芯并填充所述第一导电部分与所述第二导电部分之间的腔体的包封材料。

12.如权利要求11所述的半导体管芯封装，其特征在于，所述半导体管芯包括功率MOSFET。

13.如权利要求11所述的半导体管芯封装，其特征在于，所述半导体管芯包括垂直器件。

14.如权利要求11所述的半导体管芯封装，其特征在于，所述半导体管芯具有远离所述衬底的第一表面和靠近所述衬底的第二表面，其中诉述封装还包括将所述管芯的所述第一表面耦合到所述衬底的引线接合。

15.如权利要求11所述的半导体管芯封装，其特征在于，所述半导体管芯直接处于所述衬底的绝缘部分上。

16.如权利要求11所述的半导体管芯封装，其特征在于，所述半导体管芯不具有远离所述包封材料测向延伸的引线。

17.如权利要求11所述的半导体管芯封装，其特征在于，所述腔体通过切割形成。

18.如权利要求11所述的半导体管芯封装，其特征在于，所述腔体通过使用锯子、激光器或水射流的切割来形成。

19.如权利要求11所述的半导体管芯封装，其特征在于，所述经附连的半导体管芯与所述第一导电部分的至少一部分重叠。

20.如权利要求11所述的半导体管芯封装，其特征在于，所述引线框架结构还包括在由多个第一导电部分限定的区域内的导电中央部分。

21.一种方法，包括：

获得包括第一表面和第二表面的预模制衬底，其中所述预模制衬底包括引线框架结构和模塑材料，其中所述引线框架结构包括焊盘区，其中所述焊盘区的外表面和所述模塑材料的外表面基本上共面，并且与所述预模制衬底的所述第二表面重合；以及

将至少两个半导体管芯附连到预模塑衬底的所述第一表面。