[发明专利]金属基座半导体无效
申请号: | 01109339.0 | 申请日: | 2001-02-28 |
公开(公告)号: | CN1373509A | 公开(公告)日: | 2002-10-09 |
发明(设计)人: | 陈坤忠 | 申请(专利权)人: | 讯利电业股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/12 | 分类号: | H01L23/12 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 寿宁,顾红霞 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金属 基座 半导体 | ||
1.一种金属基座半导体,其特征在于其包括有:
一基座,其具有耐高温、热传导体的板体,其在设定位置设有一槽座及一定位座;
一绝缘层,其具有耐高温的电绝源材质、附着于该基座的表面,并形成适当厚度稳固结合;
一导电接线,其具有良好导体,该导电接线连接该定位座的周边;
一晶片元件,其是套置于该基座的定位座、接触该绝缘层,该晶片元件的导线对应该导电接线相连通;
藉由上述结构,该基座、绝缘层一体结合成耐高温构造,该晶片元件固定于该定位座、并接触该绝缘层,其可供特殊高温烘烤处理稳固结合,且使用时可快速散热。
2.根据权利要求1所述的金属基座半导体,其特征在于所述基座为铝材质,其表面以阳极处理形成硬氧皮层的绝缘层。
3.根据权利要求1所述的金属基座半导体,其特征在于所述导电接线以铜材质溅镀于该绝缘层。
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