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[实用新型]一种温控旋转内循环可调式烘箱-CN202020377065.9有效
发明人：赵亚东;张华;武彦青;张雅钦 -专利权人：大连纳新保持器科技有限公司
申请日： 2020-03-23 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： F26B11/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种温控旋转内循环可调式烘箱，包括底板、DHG‑9030烘箱主体、转动盘和箱门，所述底板的顶部通过减震装置固定安装有DHG‑9030烘箱主体，所述DHG‑9030烘箱主体内底部的中央位置处固定安装有转动盘，所述DHG‑9030烘箱主体底部的中央位置处固定安装有YRF60伺服电机，所述YRF60伺服电机的输出端与转动盘固定连接，所述YRF60伺服电机与DHG‑9030烘箱主体电性连接，所述DHG‑9030本实用新型设置了减震装置，通过减震装置可以对外界的震动进行缓冲，避免震动对DHG‑9030烘箱主体造成影响，该温控旋转内循环可调式烘箱设置了放置盘，放置盘用于对物体进行放置，使用完之后，可以把放置盘从DHG
一种温控旋转循环调式烘箱

[发明专利]具有低正向电压的发光器件及其制造方法-CN201210116522.9无效
发明人：张剑平;王红梅;闫春辉 -专利权人：亚威朗集团有限公司
申请日： 2012-04-19 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：一种降低正向电压的发光器件，通过采用二维电子气(2DEG)和二维空穴气(2DHG)结构获得优良横向导电性。更具体说，就是通过在2DEG和2DHG结构中形成的垂直导电通道来提高2DEG和2DHG结构的纵向导电性，导电通道是在2DEG和2DHG结构中形成的非连续结构，该非连续结构可以是通过刻蚀2DEG或2DHG结构形成的开口，或是通过外延晶面控制在粗化表面上生长2DEG或2DHG结构而形成的孔洞。
具有正向电压发光器件及其制造方法

[实用新型]一种用于制药的电热鼓风干燥箱-CN201922078518.8有效
发明人：金鹏;潘亚金;张中稳;王贡献 -专利权人：湖北浩信药业有限公司
申请日： 2019-11-27 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： F26B9/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于制药的电热鼓风干燥箱，包括DHG‑9023B电热鼓风干燥箱主体、放置腔、PID智能控制仪表面板和底板，所述底板的四个角固定安装有螺杆，所述底板底部四个角靠近螺杆的位置处安装有万向轮，所述底板的顶部通过缓冲座固定安装有DHG‑9023B电热鼓风干燥箱主体，所述DHG‑9023B电热鼓风干燥箱主体正面的一侧设有放置腔。本实用新型设置了万向轮，通过万向轮可以直接推动DHG‑9023B电热鼓风干燥箱主体进行移动，不需要耗费大量的人力物力，方便快捷，然后通过拧动螺杆可以对DHG‑9023B电热鼓风干燥箱主体进行固定支撑。
一种用于制药电热鼓风干燥箱

[发明专利]具有二维电子气和二维空穴气的半导体器件-CN201180036891.0有效
发明人： A·中岛;S·N·E·马达蒂尔 -专利权人：谢菲尔德大学
申请日： 2011-06-07 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：所述半导体层布置为形成由极化层隔开的2DHG和2DEG。所述器件包括多个电极：第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极电连接到所述2DHG，以使电流能够通过所述2DHG在所述第一电极和所述第二电极之间流动；以及第三电极，所述第三电极电连接到所述2DEG，从而当相对于其他电极中的至少一个的正电压被施加到所述第三电极时，所述2DEG和所述2DHG将至少部分地耗尽。
具有二维电子空穴半导体器件

[发明专利]一种具有结型半导体层的HEMT器件-CN201510456005.X有效
发明人：罗小蓉;杨超;熊佳云;魏杰;吴俊峰;彭富;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2015-07-29 - 公布日： 2017-11-03 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明的器件，主要为通过在栅漏之间的势垒层上表面生长一层结型半导体层，结型半导体层与势垒层形成二维空穴气(2DHG)。栅极金属与结型半导体层形成整流结构避免栅上加正压时造成栅极‑2DHG‑2DEG的泄漏电流，同时漏电极与结型半导体之间采用隔离层阻断2DHG；另一方面，栅漏之间的2DHG与2DEG形成极化超结，阻断状态时辅助耗尽漂移区
一种具有半导体 hemt 器件

[发明专利]HEMT器件及其制造方法-CN201710181293.1有效
发明人：张新川 -专利权人：苏州能讯高能半导体有限公司
申请日： 2017-03-24 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供的HEMT器件在阻挡层内形成3DHG。高浓度的3DHG与有源层的2DHG形成p‑n结，从而抑制了有源层中的2DEG注入到阻挡层，降低了阻挡层泄漏电流，另外3DHG使阻挡层的导带抬高，提高了2DEG的限域性，从而抑制了HEMT器件的“短沟道效应
hemt 器件及其制造方法

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202010824843.9有效
发明人：黎子兰;张树昕 -专利权人：广东致能科技有限公司
申请日： 2020-08-17 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：其中所述第二沟道区在所述第一沟道区之上，所述第一栅掺杂区在所述第一沟道区和所述第二沟道区之间；第一势垒层，其中在第一沟道层与第一势垒层之间形成具有垂直界面的第一异质结，在所述第一异质结内形成垂直的2DEG或2DHG；第一电极，其在所述第一栅掺杂区下方与所述第一异质结内的2DEG或2DHG电接触；第二电极，其在所述第一栅掺杂区上方与所述第一异质结内的2DEG或2DHG电接触；以及第三电极，其在所述第一栅掺杂区与所述第一异质结内的2DEG或2DHG电接触。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种半导体器件及其制备方法-CN202010285914.2在审
发明人：黎子兰 -专利权人：广东致能科技有限公司
申请日： 2020-04-13 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件及其制造方法；所述半导体器件包括：第一沟道层；第一势垒层，其在第一沟道层与第一势垒层之间形成第一异质结，在所述第一异质结内形成垂直的2DEG或2DHG；第一成核层，其经配置以用于从异质衬底生成所述第一沟道层，其中，所述第一沟道层位于所述第一成核层的上方；第一电极，其与所述第一异质结的2DEG或2DHG电接触；以及第二电极，其与所述第一异质结的2DEG或2DHG电接触。
一种半导体器件及其制备方法

[发明专利]沟槽型半导体器件及其制造方法-CN202011519449.0在审
发明人：杨涛涛;邱凯兵 -专利权人：比亚迪半导体股份有限公司
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：其中，所诉势阱层(104)和势垒层(105)的极化效应在交界面形成2DEG或2DHG。该沟槽型半导体器件利用异质结形成的2DEG或2DHG作为沟道载流子。势阱层和势垒层之间的界面平行于栅电极层指向漏极层的方向，使得沟槽结构尺寸更小，加上2DEG或2DHG高载流子迁移率的特点，从而提高了元胞功率密度，进一步降低了导通电阻。
沟槽半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种脂多糖结合蛋白多肽及其制药用途-CN201610150319.1有效
发明人：武艺;谢展利;阳艾珍 -专利权人：苏州大学
申请日： 2016-03-16 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： C07K14/81 文献下载
摘要：具体而言，本发明的脂多糖结合蛋白多肽（DHG15）包含15个氨基酸，其氨基酸序列如SEQ ID NO:1所示。本发明的脂多糖结合蛋白多肽DHG15具有很好的可溶性，并且序列源自人体自身HK蛋白，无细胞毒性。经腹腔注射后，可以降低小鼠由LPS导致的内毒素血症的死亡率，并且抑制炎症因子的产生。DHG15与LPS的多糖链结合后，阻断了LPS与HK蛋白的结合；于此同时，LPS中的脂质A部分仍然暴露在外，LBP、sCD14、CTBP及其它脂蛋白仍然可以与之结合，并将其递呈至肝脏解毒，因此具有双重保护作用
一种多糖结合蛋白多肽及其制药用途

[发明专利]一种渐变极化掺杂的增强型GaN纵向场效应晶体管-CN202110825574.2在审
发明人：罗小蓉;贾艳江;张成;邓思宇;魏杰;廖德尊;孙涛;郗路凡 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-07-21 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明主要特征在于：通过引入Al组分渐变的极化掺杂层产生极化电场，形成高浓度三维空穴气(3DHG)，突破难以实现高浓度P型GaN的瓶颈，高浓度3DHG能有效阻断栅极侧壁沟道，实现器件增强型。
一种渐变极化掺杂增强 gan 纵向场效应晶体管

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202010288188.X在审
发明人：黎子兰 -专利权人：广东致能科技有限公司
申请日： 2020-04-13 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件及其制造方法；其中半导体器件，包括：第一沟道层；第一势垒层，其中在第一沟道层与第一势垒层之间形成具有垂直界面的第一异质结，在所述第一异质结内形成垂直的2DEG或2DHG；第一电极，其位于所述第一异质结的上侧，经配置以与所述第一异质结内的2DEG或2DHG电接触，其中所述第一电极与所述第一异质结上方的第一外部电压连接；以及第二电极，其位于所述第一异质结的下侧，经配置以与所述第一异质结内的2DEG或2DHG电接触，其中所述第二电极与所述第一异质结下方的第二外部电压连接。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种双异质结紫外探测器-CN201810928201.6在审
发明人：王俊;郭进;余第喜;金里;赵恒;程国云;王国胜;李由 -专利权人：中国电子科技集团公司第三十八研究所
申请日： 2018-08-14 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开了一种双异质结紫外探测器，所述GaN吸收层的上表面形成正的极化电荷，下表面形成负的极化电荷；在极化电荷的作用下，所述AlN缓冲层和GaN吸收层的界面间形成作为光生空穴的输送通道二维空穴气2DHG本发明采用AlGaN/GaN/AlN双异质结代替传统的AlGaN/GaN单异质结，光生空穴将能通过2DHG沟道快速输运，从而消除单沟道结构光生空穴迁移速度慢导致的信号“拖尾”现象。光生空穴通过2DHG的有效收集将进一步提高器件的量子效率和响应频率。由于双沟道极化电荷的存在将更容易在GaN吸收区形成垂直的电场分布。
光生空穴极化电荷双异质结吸收层紫外探测器输送通道上表面肖特基接触层单沟道结构二维电子气二维空穴气单异质结电场分布工作模式光生电子量子效率响应频率有效收集传统的垂直的双沟道吸收区下表面探测器沟道入射输运拖尾迁移

[发明专利]一种肖特基二极管及其制造方法-CN201910718112.3有效
发明人：黎子兰 -专利权人：广东致能科技有限公司
申请日： 2019-08-05 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明涉及一种肖特基二极管，包括：衬底，其包括垂直界面；沟道层，其设置在垂直界面之外；沟道提供层，其设置在沟道层之外，沟道层中邻近沟道层与沟道提供层的界面形成垂直的二维电子气2DEG或者二维空穴气2DHG；第一电极，其与垂直的二维电子气2DEG或二维空穴气2DHG电连接，形成欧姆接触；以及第二电极，其与沟道提供层形成肖特基接触。
一种肖特基二极管及其制造方法

[发明专利]一种极化掺杂增强型HEMT器件-CN201710222890.4有效
发明人：罗小蓉;彭富;杨超;魏杰;邓思宇;欧阳东法;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-04-07 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明的技术方案，通过在缓冲层上依次生长Al组分渐变的第一势垒层和第二势垒层，两层势垒层的Al组分变化趋势相反，势垒层内部由于极化差分别诱导产生三维电子气(3DEG)和三维空穴气(3DHG)；同时，凹槽绝缘栅结构位于源极远离漏极的一侧且与源极接触首先，由于整个第一势垒层中都存在较高浓度的电子，极大提升器件的导通电流；其次，3DHG夹断源极与3DEG之间的纵向导电沟道，从而实现增强型，由凹槽栅电极上施加电压实现对导电沟道进行控制，且可通过对部分导电沟道进行掺杂调控阈值电压；再次，3DEG‑3DHG形成极化超结，在阻断状态时辅助耗尽漂移区，优化器件的横向电场分布，提高器件耐压。
一种极化掺杂增强 hemt 器件

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