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- [发明专利]半导体装置-CN201210114943.8有效
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水村章;安茂博章;大石哲也
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索尼株式会社
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2009-03-11
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2012-09-12
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H01L27/02
- 本发明公开了一种半导体装置，其包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管各由多个鳍式晶体管形成，并且所述第一晶体管和所述第二晶体管被并联连接从而在电气方面共用源极，其中所述多个鳍式晶体管各自包括鳍式活性层，所述鳍式活性层从半导体基板上突出，在所述鳍式活性层的一端上形成有用作所述源极的源极层且在所述鳍式活性层的另一端上形成有漏极层，从而形成沟道区域，所述鳍式活性层被配置为平行地彼此相邻，并且所述漏极层被布置为使电流在所述第一晶体管与所述第二晶体管中以相反的方向流过所述多个鳍式晶体管该半导体装置提供了集成的鳍式场效应晶体管之间的窄间距宽度和极好匹配。
- 半导体装置
- [实用新型]抗射频干扰的电容式麦克风装置-CN201020670019.4有效
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张胜坤;杨道沧
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美律电子(深圳)有限公司
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2010-12-17
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2011-11-02
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H04R19/04
- 本实用新型公开了一种抗射频干扰的电容式麦克风装置，包括：一电极、一场效晶体管、一并联电容、一过滤电阻及一RC电路。电极一端连接于一输出端，另一端连接于一接地端，场效晶体管具有一闸极、一源极和一汲极，闸极与电极连接，源极连接于接地端，汲极连接于输出端，并联电容设置于输出端与接地端之间，且分别连接于电极的两端，过滤电阻设置于场效晶体管之闸极与电极之间，过滤噪声进入电容式麦克风装置内，RC电路跨设在输出端与接地端之间，阻隔高频讯号进入该电容式麦克风装置内。本实用新型所述的抗射频干扰的电容式麦克风装置，其场效晶体管旁可设置二极管，作为静电防护，以确保零组件的性能不致于受静电而损伤。
- 射频干扰电容麦克风装置
- [发明专利]阻抗匹配的设计方法与电路-CN200310122563.X无效
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吕学士
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瀰工科技股份有限公司
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2003-12-12
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2005-06-15
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H03H11/28
- 本发明提出的阻抗匹配设计方法包含下列步骤：并联连接一电容于一具共射极(共源极)构型(configuration)双极(场效)晶体管的集极(漏极)；以及通过反馈作用而使从双极(场效)晶体管基极(栅极)看入的阻抗具有所欲的电阻值以达成阻抗匹配使阻抗匹配的电路也被提出，包含：一第一双极(场效)晶体管，一电感，一第一电阻，一第一电源供应，一电容，一第二双极(场效)晶体管，一第二电阻，一第二电源供应以及一第三电阻，其中，通过在该第二双极(场效)晶体管基极(栅极)所产生一等效的一电容与一电阻并联组合使输入该第一双极(场效)晶体管基极(栅极)一输入阻抗产生所欲的电阻值，以达成阻抗匹配。
- 阻抗匹配设计方法电路
- [发明专利]液晶显示器供电及放电电路-CN200710073076.7有效
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屠家辉;周通
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群康科技（深圳）有限公司;群创光电股份有限公司
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2007-02-02
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2008-08-06
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G02F1/133
- 本发明公开一种液晶显示器供电及放电电路，其包括一电源，一控制讯号输入端，一供放电端，一第一偏置电阻，一第二偏置电阻，一放电电阻，一二极管，一充电电容，一NPN双极晶体管，一P沟道增强型MOS场效晶体管和一N沟道增强型MOS场效晶体管。该NPN双极晶体管的基极连接到控制讯号输入端，发射极接地，集电极通过第一偏置电阻连接到电源。该P沟道增强型MOS场效晶体管的栅极分别通过放电电阻和二极管连接到NPN双极晶体管的集电极，并且通过充电电容连接到源极，源极连接到电源，漏极连接到供放电端。该N沟道增强型MOS场效晶体管的栅极连接到NPN双极晶体管的集电极，源极接地，漏极通过第二偏置电阻连接到供放电端。
- 液晶显示器供电放电电路
- [发明专利]一种防反接供电电路及车辆-CN202210347652.7在审
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张杰;黄美娟;王志伟
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中汽创智科技有限公司
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2022-04-01
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2022-07-29
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H02H11/00
- 本申请公开一种防反接供电电路及车辆，该电路包括：场效晶体管、第一防反接电路、第二防反接电路和第三防反接电路；场效晶体管的源端与第一防反接电路的一端连接，场效晶体管的栅端与第三防反接电路的一端连接，场效晶体管与第二防反接电路连接第一防反接电路的另一端与第三防反接电路连接，第三防反接电路另一端与第二防反接电路连接，第一防反接电路与第二防反接电路连接；响应于表征负压馈入的异常电信号，第二防反接电路处于断开的状态，第一防反接电路和第三防反接电路处于导通的状态，以使场效晶体管处于断开的状态利用本申请提供的技术方案可以防止负电馈入对车载电器的损坏，提高场效晶体管断开的效率。
- 一种反接供电电路车辆
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