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[实用新型]一种大片OGS基板-CN201320532354.1有效
发明人：王进东 -专利权人：江苏宇天港玻新材料有限公司
申请日： 2013-08-29 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本实用新型提供一种大片OGS基板，基板的一面为感应面、背离感应面的一侧为触摸面，所述感应面侧包括直接形成于基板上边框处的图案化的黑色边框层、图案化的ITO层、直接形成于所述黑色边框层上方的钼铝钼层、以及形成于所述钼铝钼层及所述ITO层上的保护层，OGS边框走线材料为形成于所述黑色边框层上方的钼铝钼层。本实用新型的大片OGS基板，降低生产成本、提高产能、附着力更好、均匀性更佳；钼铝钼刻线为黄光曝光工艺，偏移量小，精度高，适合高端产品。
一种大片 ogs 基板

[发明专利]一种钒酸铈改性二硒化钼复合光催化剂的制备-CN201711479049.X在审
发明人：张松利;马开梅;梁智萍 -专利权人：兴化市精密铸锻造产业研究院有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2018-08-21 - 主分类号： B01J27/057 文献下载
摘要：本发明公开了一种钒酸铈改性二硒化钼复合光催化剂的制备方法及其在环境污染物治理领域的应用，属于材料制备及光催化研究领域。该催化剂的特点有：具有维的形貌特征，由2维结构的二硒化钼片与钒酸铈纳米粒子复合而成。在制备光催化剂过程中，采用工艺简单的水热法合成出钒酸铈改性二硒化钼复合光催化剂。在钒酸铈的作用下，钒酸铈改性二硒化钼复合光催化剂表现出高的光催化性能，促进了二硒化钼光催化剂的应用。
二硒化钼钒酸铈复合光催化剂改性制备光催化剂光催化性能环境污染物水热法合成材料制备纳米粒子形貌特征光催化催化剂应用复合治理表现研究

[发明专利]一种二硒化钼微球负载银复合光催化剂的制备-CN201711484381.5在审
发明人：张松利;马开梅;梁智萍 -专利权人：兴化市精密铸锻造产业研究院有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2018-08-17 - 主分类号： B01J27/057 文献下载
摘要：本发明公开了一种二硒化钼微球负载银复合光催化剂的制备方法及其在环境污染物治理领域的应用，属于材料制备及光催化研究领域。该催化剂的特点有：具有3维的形貌特征，由维结构的二硒化钼微球与银纳米粒子复合而成。在制备光催化剂过程中，采用工艺简单的水热法合成出二硒化钼微球负载银复合光催化剂。在二硒化钼和银的共同作用下，复合光催化剂表现出高的光催化性能，促进了二硒化钼光催化剂的研究。
二硒化钼复合光催化剂微球负载银制备光催化剂光催化性能环境污染物水热法合成银纳米粒子材料制备形貌特征光催化催化剂复合研究应用治理表现

[发明专利]一种MEMS器件及其晶圆级真空封装方法-CN201210346195.6有效
发明人：何凯旋;郭群英;陈博;王鹏;汪祖民;王文婧;黄斌;陈璞;徐栋;吕东锋 -专利权人：华东光电集成器件研究所
申请日： 2012-09-18 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种MEMS器件及其晶圆级真空封装方法，其特征在于：采用硅硅直接键合技术实现晶圆级真空封装，硅衬底（10）上键合的硅结构层（15）采用低阻硅片，直接在硅结构层上刻蚀形成电互联引线（5），在硅盖帽本发明具有如下优点：采用全硅结构，键合后无残余应力，能够大大提高器件工作性能；利用低阻硅作为电极引线，避免了硅硅直接键合过程中高温对金属电极的破坏；硅硅直接键合气密性极好，大大降低了封装成本；这种方法一致性和可靠性高
一种 mems 器件及其晶圆级真空封装方法

[发明专利]一种晶体硅硅片蒸镀减反射膜的方法-CN201710329065.4在审
发明人：李明;吴得轶;成秋云 -专利权人：湖南红太阳光电科技有限公司
申请日： 2017-05-11 - 公布日： 2017-09-15 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体硅硅片蒸镀减反射膜的方法，对装载有晶体硅硅片的载体进行预热处理后，再送入至工艺腔室进行蒸镀减反射膜。本发明的晶体硅硅片蒸镀减反射膜的方法具有控制简单、提高生产效率以及保持温度稳定等优点。
一种晶体硅片减反射膜方法

[发明专利]一种还原气氛下金属化瓷片的校平方法-CN202010241056.1在审
发明人：吴跃东 -专利权人：吴跃东
申请日： 2020-03-31 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： C04B41/80 文献下载
摘要：本发明公开了一种还原气氛下金属化瓷片的校平方法，本发明属于电子元件制备技术领域，一种还原气氛下金属化瓷片的校平方法，其特征在于采用经过磨制而且具有高平整度的高温钼合金作为校平底板、压块，将金属化瓷片放置于底板、压块之间，再将校平底板、金属化瓷片、压块作为整体放置在用钼合金做成的钼舟里，然后将钼舟放置于具有3H2+N2作为还原气氛保护的钼丝炉中；在1290～1350℃工艺温度下将钼舟以400～600mm/h速度缓慢推过，校平完成后冷却至室温。采用经过磨加工而且具有高平直度的高温钼合金底板和校平压块，可以耐受金属化瓷片加热校平的高温，而不变形，加之用高比重的钼压块作为配重，保证了金属化瓷片的校平效果；另一方面，采用具有还原气氛保护的钼丝炉作为加热设备，防止了金属化瓷片发生氧化。
一种还原气氛金属化瓷片平方

[发明专利]基于二维二硫化钼纳米薄膜与碲化镉晶体的II型异质结近红外光电探测器及其制备方法-CN201811336892.7在审
发明人：吴翟;赵智慧;王媛鸽;贾诚;吴恩平;史志锋;李新建 -专利权人：郑州大学
申请日： 2018-11-12 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开了基于二维二硫化钼纳米薄膜与碲化镉晶体的II型异质结近红外光电探测器及其制备方法，是在碲化镉晶体表面平铺有二维二硫化钼纳米薄膜，在二维二硫化钼纳米薄膜和碲化镉晶体上分别设置有与其呈欧姆接触的金属电极，碲化镉与二硫化钼形成II型异质结、两金属电极作为两输出级，即构筑成为异质结型近红外光电探测器。本发明的近红外光电探测器，制备工艺简单，在室温下实现了高响应度、高探测率和快响应速度，并为高性能宽波段的红外探测器的设计提供了一种途径。
二硫化钼碲化镉近红外光电探测器纳米薄膜二维异质结金属电极晶体的制备红外探测器晶体表面欧姆接触异质结型制备工艺高响应快响应宽波段输出级探测率平铺构筑

[发明专利]高硅钼球铁材料及其制备方法-CN201210499812.6有效
发明人：高顺;程凤军;宋彦丞;唐中权 -专利权人：常州南车汽车零部件有限公司;南车戚墅堰机车车辆工艺研究所有限公司
申请日： 2012-11-29 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： C22C37/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种高硅钼球铁材料及其制备方法。该高硅钼球铁材料以重量百分比计含有：C：2.90%～3.35%；Si：4.40%～4.80%；Mo：0.50%～0.75%；Cr：0.30%～0.50%；V：0.20%～0.45%；Mn：0.10%～0.30%该高硅钼球铁材料的抗拉强度≥710MPa，屈服强度≥500MPa，延伸率≥10%，硬度为230～265HBW5/750。该高硅钼球铁材料还含有微量的Sn和Sb。本发明的高硅钼球铁材料消除了碎块石墨和石墨恶化层，保证了不同壁厚处的球化等级，同时解决了显微缩松等缺陷的。
高硅钼球铁材料及其制备方法

[发明专利]宽温域抗氧化二氧化硅包覆二硅化钼粉体的制备方法-CN202210902938.7有效
发明人：张睿;郑添;汪奇尧;金双玲;王晓瑞;金鸣林 -专利权人：上海应用技术大学
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C01B33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽温域抗氧化高发射率二氧化硅包覆二硅化钼粉体的制备方法：①将二硅化钼粉末分散在由乙醇、氨水和导向剂四丙基溴化铵组成的溶液中；②将四乙氧基硅烷用一定量乙醇稀释；③搅拌条件下将步骤②所得的溶液滴加到步骤①所得分散液中，其中，四乙氧基硅烷水解缩聚形成二氧化硅并包覆在二硅化钼颗粒外表面；④经离心分离，水和乙醇洗涤，并烘干得到二氧化硅包覆二硅化钼样品；⑤将步骤④得到的样品在空气中高温热处理得到二氧化硅包覆二硅化钼粉体本产品具有使用温度宽、抗氧化性能好和红外辐射率高的优点，是理想的高温热防护领域高红外辐射率涂料的重要组分。
宽温域抗氧化二氧化硅包覆二硅化钼粉体制备方法

[发明专利]磁场下粉末扩散法制备高硅硅钢薄带的方法及装置-CN201710582103.7有效
发明人：龙琼;杨婷;彭南丹;孙启辉;余正平;曾英;路坊海;罗勋 -专利权人：贵州理工学院
申请日： 2017-07-17 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： B22F3/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁场下粉末扩散法制备高硅硅钢薄带的方法及装置，该方法采用在待加工的低硅钢带上布置孔，然后对待加工低硅钢带进行表面强化处理，往孔内填充铁硅合金粉并对粉末轧制成型，然后在磁场环境下对其进行热处理，得到具有一定取向的硅含量为6.5wt％Si的磁性能优异的高硅硅钢薄带，本发明可以实现长尺寸、连续操作，且可以制备出近终型的薄带，因而可以显著降低制备成本。
磁场粉末扩散法制备高硅硅钢方法装置

[发明专利]一种二碲化钼纳米线材料的制备及二碲化钼纳米线材料-CN201811292957.2有效
发明人：许曼章;张志勇;刘政;赵武;闫军锋;贠江妮;翟春雪;郭昱希;李强;王学文;郑璐 -专利权人：西北大学
申请日： 2018-11-01 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种二碲化钼纳米线材料的制备及二碲化钼纳米线材料，二氧化硅/硅片为衬底，钼粉和碲粉为原料，在所述衬底的二氧化硅面采用化学气相沉积法进行二碲化钼纳米线的生长；所述二碲化钼纳米线的生长容器为石英管工艺简单，成本低廉，二碲化钼纳米线质量高。
一种二碲化钼纳米线材制备

[发明专利]提高低品位高泥化矽卡岩矿石铜钼分离钼精矿回收率方法-CN201711247374.3在审
发明人：张磊;赵明福;宋超;孙东阳;于鸿宾;郑晔;郝福来;高金昌 -专利权人：长春黄金研究院
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： B03B7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高低品位高泥化矽卡岩矿石铜钼分离钼精矿回收率方法，属于矽卡岩铜钼矿石铜钼分离钼精矿的方法。包括混合精矿的预先抛尾作业，铜钼分离粗选作业，粗精矿再磨作业，钼粗精矿再磨后钼精选作业。有利于铜钼分离作业流程畅通使钼回收率的提高，解决了铜钼混合精矿铜钼分离钼精矿经过多次精选后钼回收率偏低问题，通过混合精矿预先抛尾作业，铜精矿再次返回预先抛尾作业使钼精矿回收率大幅度提高。
提高品位高泥化矽卡岩矿石分离精矿回收率方法

[发明专利]一种制取二硅化钼的工艺与专用设备-CN99112205.4无效
发明人：周延飞;姜进;隋玉俭;王广群;谢新钊;冯培忠;姜波;王英朝;路建军 -专利权人：烟台高技术产业总公司
申请日： 1999-05-20 - 公布日： 2003-04-30 - 主分类号： C01B33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种制取二硅化钼制品的工艺与配套的专用自蔓延反应器，它是在现有的制取二硅化钼制品的工艺，经过改进加进自蔓延反应工艺，通过将硅粉与钼粉混合，压制成块放到自蔓延反应器中，充入氮气和氢气，通过加热丝加热反应，使硅与钼达到完全的化学反应，其生成物二硅化钼本身已具有良好的理化性能，再经过制粉、烧结而成的制品，其强度与致密性都很高，晶粒细密，气孔率低，吸水率也低，成品率高，使用寿命可提高3倍。
一种制取二硅化钼工艺专用设备

[发明专利]一种二硫化钼薄膜的制备方法-CN201710600863.6有效
发明人：赵士超;翁嘉鑫;吕燕飞;金圣忠 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2017-07-21 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种二硫化钼薄膜材料的制备方法。目前二硫化钼薄膜可通过化学气相沉积法生长，这种方法制备的二硫化钼薄膜往往存在重复性差、结晶质量低的问题，从而影响了二硫化钼薄膜性能研究和应用。本方法采用在化学气相沉积法中引入矿化剂，促进了硫化钼薄膜的生长。以固态硫化钼粉末为源，水蒸气作为矿化剂，低压高温下在基底上获得二硫化钼薄膜。该方法制备二硫化钼薄膜具有薄膜厚度可控、晶形完整和制备重复性高的优点，对于化学气相沉积法制备二硫化钼以及二维过渡金属硫族化合物等二维材料的制备是有益的。
二硫化钼薄膜制备化学气相沉积矿化剂硫化钼薄膜过渡金属硫族化合物水蒸气低压高温二硫化钼二维材料厚度可控性能研究生长二维基底晶形引入应用

[发明专利]一种高纯致密球形钼粉的制备方法及应用-CN201710417547.5有效
发明人：刘金涛;陈连忠;陈海群;朱兴营;周法;马建平 -专利权人：中国航天空气动力技术研究院
申请日： 2017-06-06 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： B22F9/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种高纯致密球形钼粉的制备方法及其应用，属于球形金属粉末材料制备技术领域。本发明以常规还原钼粉为原料，通过调整造粒工艺主动控制造粒钼粉的粒径范围，并对脱胶排杂烧结后得到的钼粉进一步筛分，有效控制等离子球化处理前造粒钼粉的粒径，有利于最终球化钼粉的粒度控制。造粒及筛分处理后的钼粉粒径分布窄，配合输入功率、送粉速率及气体流量等球化工艺参数，可以有效降低钼粉等离子球化处理过程中的汽化及烧损，有利于生产工艺的稳定，极大的提高了生产效率及产品品质；通过将氢气引入钼粉的脱胶排杂及烧结工艺，有效的降低了球化前钼粉的杂质含量；同时钼粉的筛分、球化、冷却、收集均在氩气保护气氛下进行操作，有效的降低了产品的氧含量。
一种高纯致密球形制备方法应用