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[发明专利]一种具有中空结构的铁掺杂二硒化钼纳米材料及其制备方法与电催化氮还原应用-CN202011572917.0在审
发明人：丁良鑫;滕浩;郭浩;罗荻 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： C25B1/27 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有中空结构的铁掺杂二硒化钼纳米材料及其制备方法与电催化氮还原应用。该方法包括：将硒粉溶解于水合肼中；将钼盐和铁盐溶解于DMF中，得到金属盐溶液；将水合硒前驱体溶液加入金属盐溶液中，升温进行溶剂热反应，洗涤，干燥，得到该材料。所述铁掺杂二硒化钼材料为中空的、具有多孔结构的材料。将铁掺杂二硒化钼在乙醇中分散后滴涂在碳布上制备成电极，本发明提供的铁掺杂二硒化钼材料就可以应用于常温常压下电催化氮还原反应。该催化剂具有制备方法简单、比表面积大、催化活性高、稳定性优异等优点。
一种具有中空结构掺杂二硒化钼纳米材料及其制备方法电催化还原应用

[发明专利]太阳能电池中的具有可控厚度的硒化钼子层及其形成方法-CN201310150954.6有效
发明人：陈世伟;李文钦;严文材;吴忠宪;陈冠竹 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-04-26 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明提供了一种太阳能电池，其具有钼背电极层和位于钼背电极上方的硒化钼欧姆接触层。硒化钼层包括精确控制的厚度。在钼背电极层和硒化钼之间存在明显的界面。通过在最初形成的钼层上方形成钼层或氮化钼层或钼氧化层来产生硒化钼层从而使得这两层之间存在界面。实施硒化和硫化工艺以选择性地将含钼层转换为硒化钼但并不将保持为钼层的最初的钼背电极转换。本发明还提供了太阳能电池中的具有可控厚度的硒化钼子层及其形成方法。
太阳能电池中的具有可控厚度硒化钼子层及其形成方法

[发明专利]从氨浸渣中浸出回收钼的方法-CN200910180101.0有效
发明人：唐军利;唐丽霞;厉学武;罗建海 -专利权人：金堆城钼业股份有限公司
申请日： 2009-09-29 - 公布日： 2010-03-03 - 主分类号： C22B3/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种从氨浸渣中浸出回收钼的方法。其特征在于其过程包括下列步骤：(1)将氨浸渣脱水烘干；(2)将烘干后的氨浸渣过筛，分为筛上物、筛下物；(3)将筛上物加入碳酸钠和水进行搅拌浆化；(4)加热浆化液至95～100℃，向浆化液中滴加次氯酸钠溶液，恒温搅拌，次氯酸钠溶液滴加完毕后，进行过滤，得到钼的一次碱浸液；(5)将筛下物加入碳酸钠和水进行搅拌浆化；(6)在步骤(5)中的浆化液中滴入步骤(4)的钼的一次碱浸液，得到钼的碱浸液；(7)从钼的碱浸液中回收钼本发明的方法，工艺简便易行，反应在常压下进行，浸取过程易于控制，操作简便、安全、可靠，工艺稳定，生产成本低，浸取率高。
氨浸渣中浸出回收方法

[发明专利]氧化钼直接合金化炼钢工艺-CN201310416652.9有效
发明人：刘吉刚 -专利权人：江阴兴澄特种钢铁有限公司
申请日： 2013-09-13 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： C22C33/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种氧化钼直接合金化炼钢工艺。其特征在于：冶炼过程由以下环节组成：a.将氧化钼原料加入未装入或部分装入钢或铁液的盛装容器或冶炼炉中，然后继续装入钢或铁液，保持氧化钼原料在钢或铁液中混冲一定时间；b.钢或铁液在盛装容器或冶炼炉中镇静后，在钢或铁液面或渣面上加入一定量还原剂；c.冶炼后期钢或铁液中钼元素含量稳定后，加入含钼合金调节钢或铁液成分。本发明具有钼合金化冶炼工艺操作简单、钼合金元素收得率高、合金化冶炼时间短、冶炼能源消耗量少、冶炼成本低的特点，设备适应性广泛，可应用与含钼量0.001~15%钢种的冶炼。
氧化钼直接合金炼钢工艺

[发明专利]从高碳钼镍矿中分离钼镍的方法-CN201410491632.2在审
发明人：丁尉骑;潘朋成;袁红梅;杨春华;丁舜;周跃银 -专利权人：江苏光明新材料有限公司
申请日： 2014-09-23 - 公布日： 2016-04-20 - 主分类号： C22B34/34 文献下载
摘要：本发明公开了从高碳钼镍矿中分离钼镍的方法，该方法工艺流程包括粉碎、混料、制球、焙烧、酸浸出、酸碱度调整、过滤分离、钼提取和镍提取。所用原料高碳钼镍矿在粉碎后与碳酸钙混合并制成球状，球状混料经焙烧，使得含有的硫化钼转化为氧化钼、硫化镍转化为氧化镍。降温后将球状混料投入到盛有水的容器内，缓慢加入量取的硫酸和氧化钠，在强酸条件下浸泡使氧化钼生成钼盐，氧化镍生成镍盐。过滤分离获得滤液和残渣，先用活性炭吸附滤液中的钼，再往滤液中添加碳酸钠，经沉淀而获得镍。本发明工艺流程短，实施条件要求低，钼镍分别提取，得率高，易实现工业化实现。
高碳钼镍矿中分离方法

[发明专利]一种钠掺杂钼平面溅射靶材的制备方法-CN201310099385.7有效
发明人：徐从康 -专利权人：无锡舒玛天科新能源技术有限公司
申请日： 2013-03-26 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种钠掺杂钼平面溅射靶材，由钼和钠构成，由钼和钠组成，其中钼原子数量为90-99%，其余为钠原子。还提供上述钠掺杂钼平面溅射靶材的制备方法。本发明提供的钠掺杂钼平面溅射靶材在钼背电极中掺杂了钠元素，能够大幅提高铜铟镓硒薄膜电池的转换效率，降低生产成本，使铜铟镓硒薄膜电池大规模工业化。该制备方法以三氧化钼、氢氧化钠和钼金属为原料，经过反应、球磨、过筛、热压等工艺制成钠掺杂钼平面溅射靶材，工艺简单、成本低廉，适于工业化生产，制得的靶材相对密度高可达到95%以上、氧密度高可达250ppm
一种掺杂平面溅射制备方法

[发明专利]一种用于加氢脱氧反应的双功能催化剂及其制备方法和应用-CN202211051338.0有效
发明人：仵奎;周含洲;王威燕;李尚剑;罗梅 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： B01J27/051 文献下载
摘要：催化剂由金属硼化物和二硫化钼组成，其中二者的摩尔比为0.1‑2.0。该催化剂金属硼化物分散度高，与二硫化钼接触充分，能够有效发挥催化剂的双功能属性；同时催化剂制备过程简单，无须高温硫化或还原操作，避免了颗粒团聚和有毒有害气体的排放。催化剂采用以下方法制备：将金属盐与硼氢化钠反应制备出了金属硼化物沉淀，利用其表面缺陷的高亲和力与二硫化钼复合，得到金属硼化物‑二硫化钼双功能催化剂。
一种用于加氢脱氧反应功能催化剂及其制备方法应用

[发明专利]一种制取特种钼粉的方法-CN200810146531.6无效
发明人：陈强;张常乐;冯鹏发 -专利权人：金堆城钼业股份有限公司
申请日： 2008-09-02 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： B22F9/22 文献下载
摘要：一种制取特种钼粉的方法，涉及一种用于制备热喷涂、机械加工行业及精密器件压制专用特种钼粉的方法。其特征在于其制备过程的步骤包括：(1)将常规钼粉进行烧结，增大粒度；(2)对增大粒度的钼粉进行分级，粒度相近的钼粉用等离子设备球化处理，冷却收集；(3)球化后钼粉进行还原，过筛分级后得到特种钼粉。本发明的方法制备的钼粉流动性好、工艺简单、成品率高、用于热喷涂、精密器件压制等领域的特种钼粉的制备工艺。
一种制取特种方法

[发明专利]三维石墨烯气凝胶负载二硫化钼纳米片杂化材料的制备方法及其应用-CN201610362513.6在审
发明人：马杰;沈威;陈君红 -专利权人：同济大学
申请日： 2016-05-27 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H01G9/20 文献下载
摘要：本发明属新能源纳米功能材料技术领域，具体涉及一种三维石墨烯负载二硫化钼纳米片杂化材料制备方法及其应用。本发明通过水热还原自组装法制备三维石墨烯气凝胶宏观体，在三维石墨烯气凝胶骨架上采用H₂还原的方法长纳米片层晶相二硫化钼。本发明制备的三维石墨烯负载二硫化钼纳米片杂化材料，三维石墨烯的大比表面为二硫化钼纳米片生长提供更多活性位点，将其作为活性催化剂分散在三维石墨烯气凝胶表面，两者之间通过分子间作用力形成异质结结构，充分暴露二硫化钼纳米片边缘活性二硫化钼高催化性同三维石墨烯高比表面积、优异导电性相结合，将该杂化材料应用到染料电池对电极制备进行电池组装获得高效光电转化效率。
三维石墨凝胶负载二硫化钼纳米片杂化材料制备方法及其应用

[发明专利]用于甲(乙)醇直接气相羰基化的含钼组分催化剂制备方法-CN99116132.7无效
发明人：彭峰 -专利权人：华南理工大学
申请日： 1999-04-06 - 公布日： 2002-06-26 - 主分类号： B01J23/28 文献下载
摘要：本发明是用于甲(乙)醇直接气相羰基化含钼组分催化剂的制备方法，其方法是把钼酸铵溶于水，用活性炭浸渍其中，钼含量为10～20％，吸附钼酸铵的活性炭，静置一定时间并搅拌数次，在恒温箱中高温干燥一定时间后，再用一定硫含量的硫化铵溶液进行液相硫化，使硫与钼摩尔比为2～6，静置一定时间后，再高温烘干一定时间，最后用纯氢气流在一定温度下还原活化。本发明可制得高活性、高选择性、高稳定性的用于甲(乙)醇直接气相羰基化的含钼组分催化剂。
用于接气羰基化组分催化剂制备方法

[发明专利]一种钼气相沉积成型一体化装置和方法-CN202210241275.9有效
发明人：孙院军;曾毅;郑泽华;丁向东;孙军 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种钼气相沉积成型一体化装置和方法，成型装置包括钼源气化升华区、反应还原区、强化沉积区和在线固结成型区；以气态三氧化钼为原料，以均匀气相还原为基础，以电场强化定向沉积为核心，实现产品定型和高效沉积和在线固结成型本发明以物理升华法制备高纯MoO3含钼气源，突破传统钼气相沉积法以氟化钼和羰基钼在原料制备过程中的毒性与沉积过程的污染；以均匀气相还原实现钼粒子尺度的精确控制；提供电场的定向作用实现钼粒子高效定向沉积，显著提升沉积效率；本发明克服传统钼气相沉积原料毒性、过程气体污染、效率低、成本高的缺点，实现钼金属材料短流程、高效、连续和绿色化制造，对钼金属材料成型技术的发展具有颠覆性影响
一种钼气相沉积成型一体化装置方法

[发明专利]一种制备高强高塑钼合金的方法-CN202210551577.6在审
发明人：秦明礼;樊峰嵩;杨军军;陈刚;刘思佳;许贺彬;贾宝瑞;吴昊阳;章林;曲选辉 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： B22F9/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种制备高强高塑钼合金的方法，属于粉末冶金领域。具体制备方法为：以机械合金化法或湿化学法结合氢气还原制取纳米第二相粒子掺杂金属钼粉；采用常压烧结或无压烧结制备高强高塑钼合金。本方法制备的高强高塑钼合金相对致密度优选大于98.0％，平均晶粒尺寸优选小于2μm，室温压缩率不低于20.0％，室温压缩强度超过3.0GPa，兼具强度和塑性。本发明的方法为制备纳米氧化物弥散增强钼合金提供了新的思路，具有原料简单易得，工艺简单快捷，生产周期短、成本低、操作方便等优点。
一种制备高强高塑钼合金方法

[发明专利]一种二硒(硫)化钼(钨)/碳复合材料及其制备方法和应用-CN201710193486.9有效
发明人：方静;胡红星;王梦然;张鹏;邹磊;赖延清;李劼 -专利权人：中南大学
申请日： 2017-03-28 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H01M4/58 文献下载
摘要：本发明公开了一种二硒(硫)化钼(钨)/碳复合材料及其制备方法和应用；该复合材料是由二硒化钼、二硫化钼、二硒化钨、二硫化钨中至少一种与碳复合构成多孔泡沫结构；其制备方法是将钼源和/或钨源、硒源和/或硫源、碳源和二氧化硅模板剂加入水中后，加热搅拌，形成溶胶；所述溶胶经过烘干后，置于惰性气氛中煅烧；煅烧产物通过腐蚀去除二氧化硅模板剂，即得复合材料，该方法实现了二硒(硫)化钼(钨)活性物质和碳合成、复合，以及造孔同步进行，大大简化工艺，有利于工业化生产，制备的复合材料具有特殊多孔状泡沫状结构，具有高比容量以及能有效缓解充放电过程的体积膨胀的特性，用于锂离子电池或钠离子电池，表现出优异循环性能、高比容量等优点。
一种化钼复合材料及其制备方法应用

[发明专利]一种硅硅键合检测图像的处理方法及系统-CN201610021552.X在审
发明人：陶智;闫晓军;李海旺;徐天彤;谭啸;余明星 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2016-01-13 - 公布日： 2016-06-22 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅硅键合检测图像的处理方法及系统，该方法包括：获取硅硅键合检测图像；去除待处理图像中的背景因素。得到对比度增强图案；设定键合阈值，将对比度增强图像中边界小于键合阈值的矩阵数值归为0；将边界大于等于键合阈值的灰度值归为255，得到键合边界对比图像；对键合边界对比图像的边界进行处理，得到键合边界图；计算硅硅键合率本发明通过对图像进行各种变换，从而能够明确地划定的边界图像中提取到硅硅键合率，从而可以准确的分析硅硅键合效率。
一种硅硅键合检测图像处理方法系统

[发明专利]一种全硅MEMS器件结构及其制造方法-CN201410535339.1有效
发明人：何凯旋;郭群英;黄斌;王鹏;陈博;陈璞;王文婧;刘磊 -专利权人：华东光电集成器件研究所
申请日： 2014-10-13 - 公布日： 2015-02-18 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种全硅MEMS器件，由衬底SOI硅片(17)、结构层硅片(10)及盖帽SOI硅片(16)经硅硅直接键合后组成，其特征在于：结构层硅片(10)及盖帽SOI硅片的顶层硅(6)采用低阻硅；盖帽SOI硅片的顶层硅(6)制成电互联线，通过键合面(5)与结构层硅进行硅硅直接键合，将该处结构层的电信号通过电互联线引出到盖帽SOI硅片中的硅电极(9)，与设置在硅电极(9)上的压焊点(3)电学连接，硅电极(9)与结构层硅硅直接键合。本发明优点在于：采用盖帽层体硅引线，避免结构层刻蚀反溅损伤；采用两次硅硅直接键合，无残余应力，硅硅直接键合气密性好，真空封装时无需额外添加吸气剂，能够有效降低成本。
一种 mems 器件结构及其制造方法

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