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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种氧化钇陶瓷的高温金属化工艺-CN201610422195.8在审
发明人：高永泉;翟文斌;姚明亮 -专利权人：常熟市银洋陶瓷器件有限公司
申请日： 2016-06-16 - 公布日： 2016-09-21 - 主分类号： C04B41/90 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化钇陶瓷的高温金属化工艺，采用活化钼锰法高温金属化工艺对氧化钇陶瓷进行高温金属化，包括以下具体步骤：制备钼锰膏剂、制备金属化涂层、钼锰金属化层的烧成、电镀镍。通过上述方式，本发明得氧化钇陶瓷的高温金属化工艺，采用活化钼锰法对氧化钇陶瓷进行高温金属化，生产设备比真空磁控溅射要求低且设备价格也低，同时由于采用丝网印刷涂覆和连续式气氛保护隧道窑进行金属化，可以采用自动化生产，便于大规模连续生产，由于活化钼锰法的工艺特点，其烧结后形成的钼层和陶瓷结合强度高。
一种氧化钇陶瓷高温金属化工艺

[发明专利]微波焙烧钼精矿球块制备纯三氧化钼的方法-CN201910490887.X有效
发明人：李光辉;孙虎;姜涛;余俊杰;彭志伟;罗骏;饶明军;张鑫 -专利权人：中南大学
申请日： 2019-06-06 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： C01G39/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种微波焙烧钼精矿球块制备纯三氧化钼的方法；属于有色冶金行业中钼铼冶金技术领域。本发明将钼精矿粉末、含有狭义的结构水的骨料、水混合均匀后球团；对钼精矿球团进行干燥处理，脱除游离水；将干燥后的钼精矿球团装进容器中并放入微波加热装置中进行鼓风微波加热至750℃及以上，钼精矿中的钼以MoO3的形式从钼精矿球团中挥发；得到高纯三氧化钼。本发明工艺流程短、设备简单、生产效率高、能耗低、产品附加值高等优势，适合进行工业化应用。
微波焙烧精矿制备氧化钼方法

[发明专利]镍包二硫化钼的制备方法-CN201610309515.9在审
发明人：蔡兴明;程群;孙艳丽;钟明信;朱辉 -专利权人：江油核宝纳米材料有限公司
申请日： 2016-05-11 - 公布日： 2016-08-10 - 主分类号： B22F9/30 文献下载
摘要：本发明公开了镍包二硫化钼的制备方法，包括以下步骤：(a)将镍原料制备成为Ni(CO)₄液体；(b)将Ni(CO)₄液体汽化为Ni(CO)₄蒸汽；(c)将Ni(CO)₄蒸汽通入包复炉中与流态化二硫化钼粉体进行气相沉积包复；(d)获取羰基法镍包二硫化钼。本发明镍包二硫化钼的制备方法通过将蒸汽Ni(CO)₄与流态化二硫化钼粉体沉积包复的方法制取获得羰基法镍包二硫化钼，原料利用率高、包复效果好、产品活性高、质量稳定，方法易操作。
二硫化钼制备方法

[发明专利]一种利用促进剂生长单层二硫化钼或二硒化钼的方法-CN202010770393.X有效
发明人：王珊珊;李守恒;徐淘;江天;程海峰 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2020-08-04 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： C30B25/00 文献下载
摘要：本发明总体地涉及新型二维半导体材料制备技术领域，提供了一种利用促进剂生长单层二硫化钼或二硒化钼的方法，它使用化学气相沉积法(CVD)在促进剂碱土金属氯化物的作用下在氧化硅基底上直接生长大尺寸、高质量、高光致发光强度的二硫化钼(MoS2)和二硒化钼(MoSe2)单晶或薄膜，该方法包括：生长基底的预处理，旋涂碱土金属氯化物溶液在基底表面，以及三氧化钼与硫或硒在处理后的基底表面发生化学气相沉积法(CVD)制备单层二硫化钼(或二硒化钼)单晶以及连续膜等步骤。本发明方法制备的样品在实现大尺寸单层晶粒制备的同时，具备良好的结晶性和高光致发光效率。
一种利用促进剂生长单层二硫化钼二硒化钼方法

[发明专利]处理工业硅硅锭的方法-CN201611235423.7在审
发明人：毕红兴;何霞;王建波;卢国洪;赵兴凡;郭明山;杨明耀;王国卫;罗文波;张忠益;杨贵明;王正勇;范奉伟;张塾康;何开卫;杨国平;杨俊东;李巧;张藜 -专利权人：云南永昌硅业股份有限公司
申请日： 2016-12-28 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： B02C21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种处理工业硅硅锭的方法，该方法包括(1)将工业硅硅锭进行粗碎，以便得到工业硅硅锭颗粒；(2)采用搓揉式破碎机对所述工业硅硅锭颗粒进行细碎处理，以便得到工业硅产品，其中，所述细碎处理的转速为由此可以实现处理工业硅硅锭由传统劳动密集的人工破碎生产方式向机械自动化生产方式的革新升级。
处理工业硅硅锭方法

[发明专利]一种高纯度高均质镍钼中间合金及其制备方法-CN202310824728.5在审
发明人：王琳;张于胜;吴金平;李欢;魏振帮;王军杰 -专利权人：西安稀有金属材料研究院有限公司
申请日： 2023-07-06 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C22C19/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种高纯度高均质镍钼中间合金，由以下质量百分数的元素组成：Ni 30%~70%，余量为Mo及不可避免的杂质；本发明镍钼中间合金的制备方法为：一、选择羰基镍粉和钼粉；二、称量羰基镍粉与钼粉混匀本发明的镍钼中间合金具有高纯度和高均质化特点，作为镍基高温合金的添加材料，熔炼温度低，熔炼时间短，有利于镍基高温合金获得均匀的组织，最大程度减少偏析；本发明的制备方法避免了石墨腔体及环境污染，避免了高密度夹杂和高熔点Mo不熔块等冶金缺陷，使镍钼元素分布更加均匀，并降低氧氮等杂质元素含量，提高了镍钼中间合金的纯度和均质化程度。
一种纯度高均质镍钼中间合金及其制备方法

[发明专利]一种均匀高应变的二维二硫化钼材料及其制备方法-CN202010478694.5有效
发明人：刘开朗;翟天佑;李会巧 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： C01G39/06 文献下载
摘要：本发明属于二维材料制备领域，并具体公开了一种均匀高应变的二维二硫化钼材料及其制备方法，其包括如下步骤：在600℃以上的反应温度下，以二维二碲化钼作为前驱体，使其与硫化氢之间进行可控的碲元素和硫元素替换，从而得到均匀高应变的二维二硫化钼，完成二维二硫化钼材料的制备。本发明采用元素替换的方法，将二维二碲化钼转换成二维二硫化钼的同时使其保持高应变状态，方法简单且可控性强，能实现大规模制备，而且产生的应变均匀且大范围可调；得到的二维二硫化钼材料在新型光电子器件以及催化领域具有巨大的应用前景
一种均匀应变二维二硫化钼材料及其制备方法

[发明专利]一种二硒化钼/炭黑复合析氢电催化材料及其制备方法-CN201510572352.9有效
发明人：刁鹏;薛宁 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2015-09-10 - 公布日： 2017-11-07 - 主分类号： C25B11/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种二硒化钼/炭黑复合析氢电催化材料及其制备方法，属于电催化析氢领域。本发明采用改进的Hummer法获得低氧化度的炭黑氧化物；钼酸钠晶体、Se粉分别为钼源、硒源，水合肼为Se粉分散溶剂及还原剂，DMF为溶剂，200℃条件下，一步溶剂热反应制备二硒化钼/炭黑复合析氢电催化材料低氧化度的炭黑氧化物的制备工艺简单，产率高；采用简便、温和的一步溶剂热法制备二硒化钼/炭黑复合析氢电催化材料，成本低、重复性高、易于大规模合成。二硒化钼/炭黑复合析氢电催化材料应用于电催化析氢反应时表现出优异的电催化性能。
一种二硒化钼炭黑复合电催化材料及其制备方法

[发明专利]一种多晶硅硅棒破碎系统及破碎方法-CN201810421097.1有效
发明人：蔡延国;王生红;宗冰;王体虎 -专利权人：亚洲硅业（青海）有限公司
申请日： 2018-05-04 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： B02C21/00 文献下载
摘要：本发明涉及多晶硅生产领域，具体涉及一种多晶硅硅棒破碎系统及破碎方法。本发明提供的多晶硅硅棒破碎系统，多晶硅硅棒进行预处理，通过筛分装置将棒料及块料进行分离，块料进入第一鉴别分类装置，并按照块料的不同种类将其区分；棒料进入第二鉴别分类装置，按照棒料的不同种类将其区分，进入棒料处理装置的不同的棒料收集装置内本发明提供的多晶硅硅棒破碎系统，节省操作人员操作时间，避免了因人为操作引进的污染，提高效率，节省成本。本发明提供的多晶硅硅棒破碎方法，包括上述的多晶硅硅棒破碎系统，因此也具有上述的有益效果。
多晶硅硅棒棒料破碎系统块料破碎分类装置用户需要鉴别预处理包装装置处理装置破碎装置人员操作筛分装置收集装置多晶硅污染

[发明专利]一种高磷高钼复杂白钨矿的处理方法-CN201510831021.2有效
发明人：李江涛;赵中伟 -专利权人：中南大学
申请日： 2015-11-25 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： C22B34/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种高磷高钼复杂白钨矿的处理方法，该处理方法包括如下步骤采用硝酸选择性浸出高磷高钼白钨矿中的含磷矿物，经过滤得到高钼白钨矿和含钼的磷酸硝酸混合溶液；在所述溶液中加入硫酸进行脱钙处理；脱钙后向溶液中再补充NH4+来制备磷钼酸铵结晶，将所述磷钼酸铵结晶经氨溶‑净化‑酸沉工序来制备四钼酸铵；将结晶母液经中和‑真空蒸发‑造粒干燥工序制备硝酸磷肥；采用硝酸强化浸出脱磷处理后的高钼白钨矿，将经过滤得到的钨酸经氨水溶解转型‑净化除杂后制备仲钨酸铵；在浸出液中补入硝酸返回高磷高钼白钨矿的脱磷工序。本发明能够处理高磷高钼复杂白钨矿，实现了矿物中的钨、钼和磷的综合回收，处理设备简单，操作方便，易于实现工业化。
一种高磷高钼复杂白钨矿处理方法

[发明专利]一种钼粉的制备方法-CN201210114200.0无效
发明人：韩强;张增祥;赵新瑞;左翀;党永平 -专利权人：金堆城钼业股份有限公司
申请日： 2012-04-18 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： B22F9/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种钼粉的制备方法，包括以下步骤：一、将三氧化钼原料过筛，得到三氧化钼粉末；二、三氧化钼粉末在一次还原炉中与氢气发生一次还原反应，生成二氧化钼；三、二氧化钼在二次还原炉中与氢气发生二次还原反应，生成粗制钼粉；四、将粗制钼粉筛分、混料，得到成品钼粉。本发明制备工艺易于控制、操作简便、安全可靠，适合工业化批量生产，采用本发明制备的钼粉压制成的钼块的挠曲强度高，所制钼铜合金成材率高、材料一致性好、使用寿命长，可用作制动散热材料。
一种制备方法

[发明专利]一种制备二硒化钼量子点的方法-CN201710041917.X在审
发明人：李学铭;唐利斌;鲁朝宇 -专利权人：云南师范大学
申请日： 2017-01-20 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明提供一种简单易行的制备二硒化钼量子点的方法。该方法以二硒化钼粉末为原料，先称取一定量的二硒化钼在研钵中充分研磨，接着量取适量的氮甲基吡咯烷酮（NMP）加入到研磨好的样品中，放到超声仪中超声，将超声后的溶液静置，吸取悬浮溶液进行离心，最后收集上层棕色澄清溶液即为二硒化钼量子点本发明可一步制得二硒化钼量子点，具有制备工艺简单、操作安全、成本低廉、绿色环保、可重复性好等优点，且制备得到的二硒化钼量子点具有分散性好，尺寸均匀，结晶度高的优点。
一种制备二硒化钼量子方法

[发明专利]垂直通道存储器中的自对准二硅硅化物位线与源极线着陆垫-CN201810720939.3有效
发明人：赖二琨;龙翔澜 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2018-07-02 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：一种用以制造存储器装置的方法，包括形成初始硅化物层，其包含于叠层导电条纹叠层的顶表面上的硅材料层上沉积及退火前驱物金属，前驱物金属的量有效造成初始硅化物层的过半部分为前驱物金属的单硅硅化物。方法包括在初始硅化物层上沉积并退火额外的硅材料，额外的硅材料的量有效造成前驱物金属的二硅硅化物的形成，以形成着陆垫在叠层导电条纹叠层的顶表面上，前驱物金属的二硅硅化物的形成消耗初始硅化物层的单硅硅化物，使得着陆垫的硅化物的过半部分为二硅硅化物。
垂直通道存储器中的对准二硅硅化物位线源极线着陆

[发明专利]一种硒化钼纳米片/石墨烯纳米带复合材料及其制备方法-CN201510811344.5在审
发明人：刘天西;顾华昊;左立增;樊玮;黄云鹏;鲁恒毅;张龙生 -专利权人：复旦大学
申请日： 2015-11-20 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：本发明属于过渡金属硫族化合物-碳材料技术领域，具体为一种硒化钼/石墨烯纳米带复合材料及其制备方法。本发明通过溶液氧化法制备石墨烯纳米带，再通过溶剂热法在石墨烯纳米带上原位生长硒化钼纳米片。本发明所制备的石墨烯纳米带具有化学性质稳定、长径比高等优点；本发明制备的复合材料具有形貌可控的特点，硒化钼纳米片均匀地负载在石墨烯纳米带上，有效地抑制了硒化钼自身的团聚，充分利用了石墨烯纳米带独特的高比表面积和高导电性本发明所制备的硒化钼纳米片/石墨烯纳米带复合材料可成为一种理想的高性能电化学析氢催化材料，以及锂离子电池和太阳能电池等新能源器件的电极材料。
一种硒化钼纳米石墨复合材料及其制备方法

[发明专利]一种大片OGS基板及其生产方法-CN201310384006.9无效
发明人：王进东 -专利权人：江苏宇天港玻新材料有限公司
申请日： 2013-08-29 - 公布日： 2014-01-08 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明提供一种大片OGS基板及其生产方法，基板的一面为感应面、背离感应面的一侧为触摸面，所述感应面侧包括直接形成于基板上边框处的图案化的黑色边框层、图案化的ITO层、直接形成于所述黑色边框层上方的钼铝钼层、以及形成于所述钼铝钼层及所述ITO层上的保护层，OGS边框走线材料为形成于所述黑色边框层上方的钼铝钼层。本发明的大片OGS基板，降低生产成本、提高产能、附着力更好、均匀性更佳；钼铝钼刻线为黄光曝光工艺，偏移量小，精度高，适合高端产品。
一种大片 ogs 及其生产方法

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