“非掺杂GaN层”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果3033823个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种生长在Si衬底上的紫外LED外延片及其制备方法-CN202010573058.0在审
发明人：高芳亮 -专利权人：宜兴曲荣光电科技有限公司
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种生长在Si衬底上的紫外LED外延片及其制备方法，包括生长在Si衬底上的AlN缓冲层、GaN缓冲层、AlGaN缓冲层、非掺杂AlGaN层、n型掺杂AlGaN层、AlGaN多量子阱层、电子阻挡层和p型掺杂GaN薄膜；GaN缓冲层上形成有阵列排布的第一沟槽；AlGaN缓冲层的下部沉积在第一沟槽内，AlGaN缓冲层上形成有阵列排布的第二沟槽；第一沟槽和第二沟槽在垂直方向上不重叠；非掺杂AlGaN层的下部沉积在第二沟槽内
一种生长 si 衬底紫外 led 外延及其制备方法

[实用新型]一种生长在Si衬底上的紫外LED外延片-CN202021166603.6有效
发明人：高芳亮 -专利权人：宜兴曲荣光电科技有限公司
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种生长在Si衬底上的紫外LED外延片，包括生长在Si衬底上的AlN缓冲层、GaN缓冲层、AlGaN缓冲层、非掺杂AlGaN层、n型掺杂AlGaN层、AlGaN多量子阱层、电子阻挡层和p型掺杂GaN薄膜；GaN缓冲层上形成有阵列排布的第一沟槽；AlGaN缓冲层的下部沉积在第一沟槽内，AlGaN缓冲层上形成有阵列排布的第二沟槽；第一沟槽和第二沟槽在垂直方向上不重叠；非掺杂AlGaN层的下部沉积在第二沟槽内
一种生长 si 衬底紫外 led 外延

[发明专利]生长在钇铝石榴石衬底上的LED外延片及制备方法-CN201610557495.7在审
发明人：李国强 -专利权人：河源市众拓光电科技有限公司
申请日： 2016-07-12 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种生长在钇铝石榴石衬底上的LED外延片，包括钇铝石榴石衬底，在所述钇铝石榴石衬底上依次生长GaN缓冲层、非掺杂GaN层、n型掺杂GaN薄膜、InGaN/GaN量子阱和p型掺杂GaN薄膜。
生长石榴石衬底 led 外延制备方法

[发明专利]一种氮化镓基肖特基二极管半导体器件及制造方法-CN201710187814.4在审
发明人：欧阳伟伦;梁安杰;罗文健 -专利权人：香港商莫斯飞特半导体有限公司
申请日： 2017-03-27 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：一种氮化镓基肖特基二极管半导体器件及制造方法，包括以下步骤在硅单晶衬底上依次形成AlN层、掺杂Fe离子的AlGaN层、掺杂碳离子的GaN外延层、非掺杂的GaN外延层、非掺杂的AlGaN外延层,以及GaN帽层；形成第一接触孔掩模开孔，并在第一接触孔掩模开孔中形成阴极金属；形成第一肖特基接触孔，在第一肖特基接触孔中形成第一肖特基金属，并与GaN表面构成低势垒肖特基接触；形成第二肖特基接触孔，在第二肖特基接触孔中形成第二肖特基金属，并与GaN表面构成高势垒肖特基接触；形成肖特基二极管的阳板垫层和阴极金属垫层。
一种氮化镓基肖特基二极管半导体器件制造方法

[发明专利]一种高亮度氮化镓基发光二极管外延生长方法-CN201410001948.9有效
发明人：郭丽彬;李刚;吴礼清;蒋利民 -专利权人：合肥彩虹蓝光科技有限公司
申请日： 2014-01-03 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明提供一种高亮度氮化镓基发光二极管外延生长方法，其生长方法包括以下步骤：通过在高温生长P层GaN层的过程中，分为2层进行生长：高温P层氮化镓层（Hp-1）及高温P层氮化镓层（Hp-2）。本发明通过在高温P层氮化镓中，Mg掺杂采用非均匀生长，同时在Mg非均匀掺杂生长过程中包含In元素掺杂，该种优化的低In组分条件下的非均匀Mg掺杂的生长方法，可以减少补偿效应，提高载流子浓度，能有效抑制P-GaN位错的形成，提高晶体质量，提高器件的使用寿命；同时，Mg在InGaN材料中的电离能比在GaN中低，可以获得较高的空穴浓度，提高辐射发光效率，从而可以获得高亮度发光二极管。
一种亮度氮化发光二极管外延生长方法

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管-CN202310586754.9有效
发明人：郑文杰;曹斌斌;程龙;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-05-24 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：其中，发光二极管外延片包括硅衬底，依次层叠于硅衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层和P型GaN层；非掺杂GaN层包括依次层叠于缓冲层上的模板层、第一填平层、SiNx层和第二填平层；其中，x为0.8~1.5；模板层包括多个阵列分布于缓冲层上的MoSe2岛；第一填平层包括依次层叠的第一岛状GaN层和第一层状GaN层；第二填平层包括依次层叠的第二岛状GaN层和第二层状GaN层。
发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]N极性GaN/AlGaN基整流器及其制备方法-CN202210396659.8在审
发明人：王文樑;李灏;侯冬曼;李国强;林廷钧 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种N极性GaN/AlGaN基整流器及其制备方法，该整流器包括整流器外延片和设置在整流器外延片上的欧姆接触电极、Si3N4钝化层以及肖特基接触电极；整流器外延片包括在碳化硅衬底上依次生长的AlN缓冲层、双重SiN插入层结构、非掺杂AlGaN势垒层以及非掺杂GaN沟道层，欧姆接触电极和Si3N4钝化层均设置在非掺杂GaN沟道层上，其中，双重SiN插入层结构包括在AlN缓冲层上依次生长的下层SiN插入层、AlGaN缓冲层和上层SiN插入层。本发明通过采用N极性GaN/AlGaN异质结外延片制备整流器，并且设计双重SiN插入层结构，能够实现具有低开启电压、高截止频率的高性能整流器。
极性 gan algan 整流器及其制备方法

[发明专利]一种发光二极管外延片及该外延片的生长方法-CN201510141885.1有效
发明人：陆香花;夏立军;胡加辉;魏世祯 -专利权人：华灿光电(苏州）有限公司
申请日： 2015-03-30 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：外延片包括衬底、以及依次层叠在衬底上的低温缓冲层、非掺杂GaN层、n型GaN接触层、多量子阱层、以及p型GaN接触层，多量子阱层包括GaN垒层和InxGa1‑xN阱层，0<X<1，至少部分GaN垒层与InxGa1‑xN阱层之间设有预生长层，预生长层由InN制成或者预生长层为InN层和GaN层构成的超晶格结构，当预生长层为InN层和GaN层构成的超晶格结构时，InxGa1‑xN阱层靠近超晶格结构中的GaN层，预生长层的厚度大于0且小于0.3nm。方法包括提供衬底；在衬底上依次沉积低温缓冲层、非掺杂GaN层、n型GaN接触层、多量子阱层、以及p型GaN接触层。通过预生长层含有的In原子，能够释放由GaN晶格与InN晶格失配带来的应力。
一种发光二极管外延生长方法

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法-CN202110208522.0有效
发明人：姚振;从颖;董彬忠;李鹏 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2021-02-24 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：在GaN缓冲层、非掺杂GaN层、n型GaN层之后分别插入第一插入层、第二插入层与第三插入层，第一插入层、第二插入层与第三插入层为AlN‑Si‑AlN复合结构。第一插入层、第二插入层与第三插入层带来的张应力可以抵消GaN缓冲层、非掺杂GaN层、n型GaN层生长时带来的压应力，得到的发光二极管外延片的表面较为平整且质量较好。且第一插入层、第二插入层与第三插入层的层叠结构也可以释放一定的应力，得到的发光二极管外延片的质量及发光效率也得到提高。
发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]一种GaN外延膜和蓝宝石衬底自剥离方法-CN201910126385.9在审
发明人：白俊春;李培咸;平加峰;周小伟 -专利权人：江苏晶曌半导体有限公司
申请日： 2019-02-20 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN外延膜和蓝宝石衬底自剥离方法，通入H₂，对蓝宝石衬底进行热处理；降低温度，通入Al源和N源，在蓝宝石衬底上生长低温AlN缓冲层；升高温度，进行退火后再升温并通入Ga源，在低温AlN缓冲层上生长非掺杂GaN层；保持温度不变，通入硅烷，在非掺杂GaN层上生长N‑GaN层；将所得结构在N₂气氛下进行退火，得到多孔衬底；在多孔衬底上沉积GaN外延层本发明利用多孔衬底生长的GaN外延膜质量高，残余应力小，有效保证了外延膜的完整性，提高了成品率。
衬底蓝宝石外延膜生长退火非掺杂GaN层剥离热处理残余应力衬底分离冷却过程随炉冷却退火处理成品率再升温沉积硅烷升高保证

[发明专利]一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法-CN201811130738.4有效
发明人：肖云飞;唐成双;刘春杨;胡加辉;李鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2018-09-27 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。外延片包括：衬底、GaN缓冲层、GaN非掺杂层、N型掺杂GaN层、浅阱层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层、以及P型接触层，所述外延片还包括载流子阻挡层，所述载流子阻挡层位于所述浅阱层和所述多量子阱层之间，所述载流子阻挡层包括顺次层叠的AlInGaN层、InGaN层和AlN层，所述AlInGaN层靠近所述浅阱层，所述AlN层靠近所述多量子阱层。
一种 gan 发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]一种氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法-CN201310616206.2有效
发明人：焦建军;杨天鹏;陈大旭;周德保;陈向东;康建;梁旭东 -专利权人：江西圆融光电科技有限公司
申请日： 2013-11-27 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法，该方法包括以下步骤：1）在H2气氛下，对衬底进行热处理；2)在N2、H2和NH3的混合气氛下，在热处理后的衬底上由下至上依次生长GaN缓冲层、GaN非掺杂层、掺硅元素的N型GaN掺杂层；3）在N2和NH3的混合气氛下，在所述掺硅元素的N型GaN掺杂层上生长GaN/InGaN/GaN量子阱发光层；4）在N2、H2和NH3的混合气氛下，采用2-5次脉冲的方式在所述GaN/InGaN/GaN量子阱发光层上生长掺镁元素的P型GaN掺杂层，得到氮化镓基发光二极管外延片。本发明在制备氮化镓基发光二极管外延片的过程中，利用2-5次脉冲的方式生长掺镁元素的P型GaN掺杂层，有效的提高了掺镁元素的P型GaN掺杂层中Mg的激活效率，从而提高发光二极管外延片的亮度。
一种氮化发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法-CN201811451529.X有效
发明人：刘旺平;张武斌;乔楠;胡加辉;李鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法，属于GaN基发光二极管领域。方法包括：提供衬底；在所述衬底上沉积缓冲层，所述缓冲层包括若干层叠的复合层，所述复合层包括AlN子层和AlNO子层，各个所述复合层中的AlNO子层的氧含量从距离所述衬底最近的复合层到距离所述衬底最远的复合层递增；在所述缓冲层上顺次沉积非掺杂GaN层、N型掺杂GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层、以及P型接触层。
一种 gan 发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]一种准垂直结构GaN肖特基势垒二极管及其制备方法-CN202310101736.7有效
发明人：武乐可;李亦衡;朱廷刚 -专利权人：江苏能华微电子科技发展有限公司
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供了一种准垂直结构GaN肖特基势垒二极管及其制备方法，属于二极管制备技术领域。本发明在蓝宝石衬底表面依次外延生长N+GaN层和N‑GaN层；在所述N‑GaN层表面低温生长非掺杂GaN层；所述GaN层不做任何掺杂；所述GaN层的厚度小于5nm；所述低温生长的温度为500~700℃；采用强碱性溶液对所述GaN层进行表面腐蚀，形成平整的GaN层；在所述平整的GaN层表面制作肖特基电极，在需要制作欧姆接触的区域，刻蚀N‑GaN层直至暴露出N+GaN层，在暴露出的N+GaN层表面制作欧姆电极，得到准垂直结构GaN肖特基势垒二极管。本发明制备的GaN SBD具有反向耐压高、正向导通电压低的优点。
一种垂直结构 gan 肖特基势垒二极管及其制备方法

[发明专利]一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法-CN201811597475.8有效
发明人：陶章峰;乔楠;张武斌;程金连;李鹏;胡加辉 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法，属于GaN基发光二极管领域。所述发光二极管外延片包括：衬底、在所述衬底上顺次沉积的缓冲层、非掺杂GaN层、N型掺杂GaN层、低温应力释放层、BInGaN层、多量子阱层、低温P型GaN层、电子阻挡层、高温P型GaN层、以及P型接触层，所述多量子阱层包括若干层叠的GaN垒层，相邻两个所述GaN垒层之间设有InGaN阱层，所述BInGaN层为BxIn1.5xGa1‑2.5xN层，0.1≤x≤0.3。
一种 gan 发光二极管外延及其制备方法