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[实用新型]非合金欧姆接触的GaN HEMT器件-CN201521049123.0有效
发明人：黎明;陈汝钦 -专利权人：成都海威华芯科技有限公司
申请日： 2015-12-16 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种非合金欧姆接触的GaN HEMT器件，其包括由下至上依次层叠的衬底、掺杂GaN缓冲层、非掺杂GaN沟道层和非掺杂AlGaN势垒层，非掺杂GaN沟道层和非掺杂AlGaN势垒层之间形成二维电子气，非掺杂AlGaN势垒层的源极区域和漏极区域开设有沟槽，沟槽从非掺杂AlGaN势垒层的表面深入掺杂GaN缓冲层内部，沟槽内生长有n型InGaN外延层，在源极区域的n型InGaN外延层上形成有源极，在漏极区域的n型InGaN外延层上形成有漏极。通过上述方式，本实用新型能够避免高温退火对GaN器件带来晶格损伤。
合金欧姆接触 gan hemt 器件

[实用新型]生长在Zr衬底上的InGaN/GaN多量子阱-CN201420397434.5有效
发明人：李国强;王文樑;杨为家;刘作莲;林云昊;周仕忠;钱慧荣 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2014-07-17 - 公布日： 2014-12-03 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了生长在Zr衬底上的InGaN/GaN多量子阱，包括生长在Zr衬底上的GaN缓冲层，生长在GaN缓冲层上的非掺杂GaN层，生长在非掺杂GaN层上的InGaN/GaN多量子阱；所述GaN缓冲层为在500～700℃生长的GaN缓冲层；所述非掺杂GaN层为在600～800℃生长的非掺杂GaN层；所述InGaN/GaN多量子阱为在700～800℃生长的InGaN/GaN量子阱。本实用新型的InGaN/GaN多量子阱缺陷密度低、结晶质量好、光电性能好，生长工艺简单，制备成本低廉。
生长 zr 衬底 ingan gan 多量

[发明专利]提高底部结晶质量的LED外延生长方法-CN201810654520.2在审
发明人：朱耀强;苗振林;徐平 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2018-06-22 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高底部结晶质量的LED外延生长方法，包括：处理衬底、生长低温缓冲层GaN、生长非掺杂u‑GaN层、生长掺杂Si的n‑GaN层、生长发光层、生长p型AlGaN层、生长高温p型GaN层、降温冷却；其中，生长非掺杂u‑GaN层包括：保持温度1000‑1200℃，保持反应腔压力150‑300mbar，持续生长150nm‑800nm的非掺杂GaN‑1层；降温30‑80℃，升高反应腔压力至500‑900mbar，生长100nm‑800nm的非掺杂GaN‑2层；交替生长非掺杂GaN‑1层和非掺杂GaN‑2层，且交替生长周期为1‑6个周期。相对于现有技术，通过降低相邻外延层的失配度逐渐阻隔缺陷的向上蔓延，同时减少新产生的缺陷，从而降低位错密度，提高晶体质量，保证上层正常生长，减少非辐射复合，提高发光效率。
生长非掺杂反应腔压力交替生长外延生长低温缓冲层非辐射复合发光效率降温冷却发光层失配度外延层衬底位错阻隔掺杂升高上层保证

[实用新型]生长在W衬底上的InGaN/GaN多量子阱-CN201420369200.X有效
发明人：李国强;王文樑;刘作莲;杨为家;林云昊;周仕忠;钱慧荣 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2014-07-03 - 公布日： 2014-12-31 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了生长在W衬底上的InGaN/GaN多量子阱，包括生长在W衬底上的AlN缓冲层，生长在AlN缓冲层上的非掺杂GaN层，生长在非掺杂GaN层上的InGaN/GaN多量子阱；所述AlN缓冲层为在400～500℃生长的AlN缓冲层；所述非掺杂GaN层为在500～700℃生长的非掺杂GaN层；所述InGaN/GaN多量子阱为在700～800℃生长的InGaN/GaN多量子阱。本实用新型的InGaN/GaN多量子阱缺陷密度低、结晶质量好，光电性能好。
生长衬底 ingan gan 多量

[发明专利]一种可提高抗静电能力的蓝光LED外延结构-CN201510309072.9在审
发明人：李庆彬;林政志;曾颀尧;李鹏飞 -专利权人：南通同方半导体有限公司;同方股份有限公司
申请日： 2015-06-09 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明从下至上依次包括蓝宝石衬底、缓冲层、U型GaN层、N型GaN层、有源区、电子阻挡层和P型GaN层。其结构特点是，所述N型GaN层包括非掺杂型GaN层和掺杂Si元素的掺杂型GaN层。所述非掺杂型GaN层与掺杂型GaN层交替生长，或者掺杂型GaN层与非掺杂型GaN层交替生长，交替生长周期为2‑40个周期。
一种提高抗静电能力 led 外延结构

[发明专利]生长在Zr衬底上的InGaN/GaN多量子阱及其制备方法-CN201410342668.4在审
发明人：李国强;王文樑;杨为家;刘作莲;林云昊;周仕忠;钱慧荣 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2014-07-17 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了生长在Zr衬底上的InGaN/GaN多量子阱，包括生长在Zr衬底上的GaN缓冲层，生长在GaN缓冲层上的非掺杂GaN层，生长在非掺杂GaN层上的InGaN/GaN多量子阱；所述GaN缓冲层为在500～700℃生长的GaN缓冲层；所述非掺杂GaN层为在600～800℃生长的非掺杂GaN层；所述InGaN/GaN多量子阱为在700～800℃生长的InGaN/GaN量子阱。本发明还公开了上述生长在Zr衬底上的InGaN/GaN多量子阱的制备方法。本发明的InGaN/GaN多量子阱缺陷密度低、结晶质量好、光电性能好，生长工艺简单，制备成本低廉。
生长 zr 衬底 ingan gan 多量及其制备方法

[发明专利]一种发光二极管外延片的制造方法-CN201510032635.4有效
发明人：张武斌;韩杰;周飚;胡加辉;魏世祯 -专利权人：华灿光电(苏州）有限公司
申请日： 2015-01-22 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：所述制造方法包括依次在衬底上生长缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、应力释放层、有源层、P型电子阻挡层、P型GaN层；其中，非掺杂GaN层和N型GaN层的生长压力为10～200torr。本发明通过将非掺杂GaN层和N型GaN层的生长压力限定为10～200torr，非掺杂GaN层和N型GaN层的生长速率较慢，使得设置在衬底底部的基盘可以将热量及时沿着外延层的生长方向均匀传递，减小了在生长非掺杂GaN层和N型GaN层时，外延片的上下表面之间的温差，缓解了外延片的凹形形变，外延片周边的温度可以达到要求温度，外延片周边的晶体质量提高。
一种发光二极管外延制造方法

[发明专利]一种LED外延片、外延生长方法及LED芯片-CN202210163492.0在审
发明人：高虹;程龙;胡加辉;刘春杨 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供一种LED外延片、外延生长方法及LED芯片，LED外延片包括非掺杂GaN层，所述非掺杂GaN层为掺杂B的BaGa1‑aN材料，a为0.005a0.1，其中，所述非掺杂GaN层的B组分从所述非掺杂GaN层的一端向相对的另一端逐渐增加，由于在非掺杂GaN层中掺入B组分，而B原子半径较小，可以填充GaN生长过程中晶格缺陷，改善GaN的晶体质量。此外，GaN刚开始生长晶体时，质量较差，缺陷较多，随着B组分浓度逐渐升高，B原子将会填充长晶产生的缺陷，且随着晶体厚度的增加，压应力会通过堆垛层错释放，线缺陷减少，晶体质量越高。
一种 led 外延生长方法芯片

[发明专利]一种有效改善氮化镓基发光二极管的反向漏电的外延生长方法-CN201410090546.0有效
发明人：林长军 -专利权人：合肥彩虹蓝光科技有限公司
申请日： 2014-03-12 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明提供一种有效改善氮化镓基发光二极管的反向漏电的外延生长方法,其二极管的外延结构包括：低温GaN缓冲层、GaN非掺杂层、N型GaN层、N型AlGaN层、多量子阱结构SW层、发光层多量子阱结构MQW、低温P型GaN层、P型AlGaN层、高温P型GaN层、P型接触层，其二极管的外延结构多量子SW阱与发光层多量子阱结构MQW之间生长一层低Si掺杂的GaN与非掺杂的GaN的循环结构。本发明通过在发光层多量子阱结构MQW与多量子阱SW之间插入非掺杂GaN层，生长一层非掺杂GaN层，能够避免穿透型位错的出现，抑制漏电通道的形成，从而改善氮化镓基LED的反向漏电；另外，非掺杂GaN层，可以改善电流的横向扩展
一种有效改善氮化发光二极管反向漏电外延生长方法

[实用新型]一种硅衬底上N极性面高频GaN整流器外延结构-CN201721781485.8有效
发明人：王文樑;李国强;李筱婵;李媛 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2017-12-19 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了硅衬底上N极性面高频GaN整流器外延结构，包括在硅衬底上依次生长的非掺杂N极性面GaN缓冲层、碳掺杂N极性GaN层、非掺杂N极性面AlxGa1‑xN层、非掺杂N极性面AlN插入层、非掺杂N极性面GaN层、N极性InGaN层；其中x＝0.3～0.8。本实用新型在硅衬底上N极性面高频GaN整流器外延结构能够提高AlxGa1‑xN/GaN异质结界面质量，有效提高后期制备GaN整流器高频性能并有效减小增强型器件制备难度。
极性面非掺杂硅衬底整流器外延结构本实用新型制备异质结界面增强型器件高频性能碳掺杂减小生长

[发明专利]生长在LiGaO₂衬底上的非极性掺杂GaN薄膜及其制备方法-CN201210535131.0有效
发明人：李国强;杨慧 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2012-12-11 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明公开了生长在LiGaO2衬底上的掺杂GaN薄膜，包括由下至上依次排列的LiGaO2衬底、非极性m面GaN缓冲层、非极性m面GaN外延层、非极性掺杂GaN薄膜；所述非极性GaN薄膜为非极性p型GaN薄膜或非极性n型GaN薄膜。本发明还公开了上述非极性掺杂GaN薄膜的制备方法。与现有技术相比，本发明具有生长工艺简单，制备成本低廉的优点，且制备的非极性掺杂GaN薄膜缺陷密度低、结晶质量好，电学性能好。
生长 ligao sub 衬底极性掺杂 gan 薄膜及其制备方法

[发明专利]生长在镓酸锂衬底上的非极性纳米柱LED及其制备方法-CN201610931033.7有效
发明人：李国强;王文樑;杨美娟 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2016-10-31 - 公布日： 2018-10-30 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：所述生长在镓酸锂衬底上的非极性纳米柱LED包括LiGaO₂衬底，生长在LiGaO₂衬底上的GaN纳米柱阵列，生长在GaN纳米柱阵列上的非掺杂GaN层，生长在非掺杂GaN层上的n型掺杂GaN层，生长在n型掺杂GaN层上的InGaN/GaN量子阱，生长在InGaN/GaN量子阱上的p型掺杂GaN层；所述GaN纳米柱阵列为非极性GaN纳米柱阵列。本发明所选择的镓酸锂衬底材料成本低廉，所制备的纳米柱阵列尺寸可控，取向均一，所获得的非极性纳米柱LED的缺陷密度低、电学和光学性能优良。
生长镓酸锂衬底极性纳米 led 及其制备方法

[实用新型]生长在镓酸锂衬底上的非极性纳米柱LED-CN201621192392.7有效
发明人：李国强;王文樑;杨美娟 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2016-10-31 - 公布日： 2018-01-02 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：所述生长在镓酸锂衬底上的非极性纳米柱LED包括LiGaO2衬底，生长在LiGaO2衬底上的GaN纳米柱阵列，生长在GaN纳米柱阵列上的非掺杂GaN层，生长在非掺杂GaN层上的n型掺杂GaN层，生长在n型掺杂GaN层上的InGaN/GaN量子阱，生长在InGaN/GaN量子阱上的p型掺杂GaN层；所述GaN纳米柱阵列为非极性GaN纳米柱阵列。本实用新型所选择的镓酸锂衬底材料成本低廉，所制备的纳米柱阵列尺寸可控，取向均一，所获得的非极性纳米柱LED的缺陷密度低、电学和光学性能优良。
生长镓酸锂衬底极性纳米 led

[发明专利]生长在铝酸锶钽镧衬底上的掺杂GaN薄膜及其制备方法-CN201310214672.8有效
发明人：李国强;王文樑;杨为家;刘作莲;林云昊 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2013-05-31 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明公开了生长在铝酸锶钽镧衬底上的掺杂GaN薄膜，包括生长在La0.3Sr1.7AlTaO6衬底上的GaN缓冲层，生长在GaN缓冲层上的非掺杂GaN层，生长在非掺杂GaN层上的掺杂GaN薄膜，所述掺杂GaN薄膜为n型掺杂GaN薄膜或p型掺杂GaN薄膜。本发明还公开了上述生长在铝酸锶钽镧衬底上的掺杂GaN薄膜的制备方法。与现有技术相比，本发明具有生长工艺简单，制备成本低廉的优点，且制备的n型或p型掺杂GaN薄膜缺陷密度低、结晶质量好，电学性能好。
生长铝酸锶钽镧衬底掺杂 gan 薄膜及其制备方法

[实用新型]生长在W衬底上的LED外延片-CN201420368773.0有效
发明人：李国强;王文樑;刘作莲;杨为家;林云昊;周仕忠;钱慧荣 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2014-07-03 - 公布日： 2014-12-03 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了生长在W衬底上的LED外延片，包括生长在W衬底上的AlN缓冲层，生长在AlN缓冲层上的非掺杂GaN层，生长在非掺杂GaN层上的n型掺杂GaN薄膜，生长在n型掺杂GaN薄膜上的InGaN/GaN量子阱，生长在InGaN/GaN量子阱上的p型掺杂GaN薄膜。
生长衬底 led 外延

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