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[发明专利]一种高纯度锡酸镉粉体及其制备方法-CN202110698372.6有效
发明人：张君 -专利权人：石久光学科技发展(北京)有限公司
申请日： 2021-06-23 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： C01G19/00 文献下载
摘要：本发明涉及光伏发电半导体导电粉体领域，尤其是涉及一种高纯度锡酸镉粉体及其制备方法。包括以下步骤：将氢氧化镉粉体、氧化亚锡粉体与草酸溶液混合，升温干燥，有草酸镉、草酸锡生成；然后装入反应釜中，真空条件下升温，有锡酸镉和亚锡酸镉生成，草酸与氢氧化镉反应生成草酸镉，通入氧气继续升温，草酸镉分解放热，继续有锡酸镉和亚锡酸镉生成，亚锡酸镉再与氧气反应变为锡酸镉，冷却，得到锡酸镉粉体。本发明能够降低反应温度，对环境无污染，且反应完全，生成的锡酸镉颜色均匀，单相率生成高，没有结块问题，具有优异的导电性能，得到理想的单相微米级或纳米级锡酸镉粉末。
一种纯度锡酸镉粉体及其制备方法

[发明专利]锡酸镉透明导电膜、碲化镉电池制备方法及薄膜太阳电池-CN201811295850.3有效
发明人：张晓岚;籍龙占;谢丑相;王国昌;吴历清 -专利权人：杭州朗旭新材料科技有限公司
申请日： 2018-11-01 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种锡酸镉透明导电膜、碲化镉电池制备方法及薄膜太阳电池，锡酸镉透明导电膜制备方法包括：在玻璃基板表面制备导电膜层，导电膜层包括掺杂有杂质的锡酸镉非晶薄膜层、催化剂层；对玻璃基板进行退火，以得到锡酸镉透明导电膜本申请公开的上述技术方案，在锡酸镉透明导电膜的制备过程中加入催化剂，利用催化剂层中所包含的催化剂降低锡酸镉非晶薄膜晶化过程中所需的形核能，以降低退火温度。在加入催化剂时，为了避免锡酸镉晶粒尺寸过大而降低锡酸镉透明导电膜的透光性，则在其中掺杂杂质，其在退火过程中可以起到钉扎作用，以抑制晶粒尺寸过大，且可以得到尺寸比较均匀的晶粒，以获得透光率较高且电阻率较低的锡酸镉透明导电膜
锡酸镉透明导电碲化镉电池制备方法薄膜太阳电池

[发明专利]一种锡酸镉靶材的制备方法-CN202110421876.3有效
发明人：文崇斌;余芳;朱刘;童培云 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2021-04-19 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： C04B35/457 文献下载
摘要：本发明公开了一种锡酸镉靶材的制备方法，包括以下步骤：(1)将氧化镉、二氧化锡和锡酸镉粉末混合均匀，所述氧化镉、二氧化锡和锡酸镉的摩尔比为：2：1：1～2；(2)将混合好的物料装入模具中，放入真空热压炉中；(3)抽真空，升温至500～700℃，保温T1＝20～60min后加压，在10～40MPa下保持T2＝20～40min，保温总时长T3＝50～80min，T1＜T3；(4)降温、降压、脱模，即得所述锡酸镉靶材本发明所述制备方法用氧化镉、二氧化锡原料直接真空热压烧结，降低了靶材烧结的温度，锡酸镉粉末的加入可以避免氧化镉和二氧化锡的反应过快，导致喷料、损坏模具等不良现象的发生，制得的靶材相对密度＞96％。
一种锡酸镉靶材制备方法

[发明专利]锡酸镉靶材的制备方法-CN201811220400.8在审
发明人：文崇斌;朱刘;陈肯;曾成亮;胡智向;余芳 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2018-10-19 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： C04B35/457 文献下载
摘要：本发明涉及一种锡酸镉靶材的制备方法，其包括如下步骤：S1、原料混合；S2、球磨；S3、冷等静压；S4、烧结。本发明锡酸镉靶材的制备方法采用冷等静压以及常温烧结相结合的方法来制备锡酸镉靶材，无需石墨坩埚，不会引入杂质，所制备得到的锡酸镉靶材相对密度大于95%、电阻率≤10Ω·cm。
锡酸镉靶材制备冷等静压烧结石墨坩埚原料混合电阻率球磨引入

[发明专利]一种锡酸镉金相试样及其制备方法-CN202110273640.X在审
发明人：周荣艳;吴彩虹;余飞;文崇斌 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2021-03-12 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种锡酸镉金相试样及其制备方法，属于工业材料制备领域。本发明所述锡酸镉金相试样的制备方法中，对锡酸镉试样经特定打磨及机械抛光处理，可有效避免传统打磨过程中出现斜面，进而导致金相在观察时出现模糊不清的缺陷；所述金相试样经后续表面化学腐蚀处理后，可在显微观察下清晰完整地观测到显微组织，样品上无明显划痕、疵点或凹坑缺陷；该方法具有操作步骤简单、成本低及耗时短的优点，在评价锡酸镉靶材晶粒情况及性能研究方面具有实用意义。本发明还公开了所述锡酸镉金相试样的制备方法得到的锡酸镉金相试样，该产品表面平整光滑无瑕疵，在显微观察下微观组织清晰，可实现对其晶粒大小及均匀性的有效评价。
一种锡酸镉金相试样及其制备方法

[发明专利]一种镍掺杂硒化镉/偏锡酸锌纳米复合材料及其制备方法与应用-CN202310410418.9在审
发明人：韩吉姝;韩悦;王昊;王长迪;王磊;赵瑞阳 -专利权人：青岛科技大学
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： B01J27/057 文献下载
摘要：本发明提供镍掺杂硒化镉/偏锡酸锌纳米复合材料及其制备方法，以双壳层中空偏锡酸锌为基底，将镍掺杂硒化镉量子点包覆在偏锡酸锌外层上。与现有技术相比，本发明提供的镍掺杂硒化镉/偏锡酸锌纳米复合材料原料低价环保，制备方法简单且易于操作，产率高便于大规模生产。此外，将本发明制备的镍掺杂硒化镉/偏锡酸锌纳米复合材料作为光催化产氢的催化剂，与镍掺杂硒化镉和偏锡酸锌相比，制氢量得到了明显的提高，在5小时内产氢量可以达到32.29mmol/g，并具有良好的循环稳定性
一种掺杂硒化镉偏锡酸锌纳米复合材料及其制备方法应用

[发明专利]多孔锡酸镉材料、其合成方法及硫化氢预警传感器-CN201911177602.3有效
发明人：孙鉴波;张海雪 -专利权人：哈尔滨师范大学
申请日： 2019-11-27 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： G01N27/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种多孔锡酸镉材料、其合成方法及硫化氢预警传感器，属于传感器技术领域。该多孔锡酸镉材料的合成方法包括以下步骤：将乙酸镉溶液和聚乙烯吡咯烷酮溶液同时缓慢地加入到四氯化锡溶液中，并进行搅拌，得到第一混合液；将第一混合液的pH值调至12～14，得到第二混合液；将第二混合液置于70～90℃的条件下进行搅拌反应后，再进行离心收集，得到沉淀物；将沉淀物进行洗涤、干燥后，再置于600～800℃的条件下进行热处理，得到所述的多孔锡酸镉材料。该多孔锡酸镉材料具有结晶度高、氧空位多、比表面积大等特点，其有益于提升气敏性能；利用该多孔锡酸镉材料制得的硫化氢硫化氢预警传感器能够实现快速的响应恢复，具有高灵敏度的特点。
多孔锡酸镉材料合成方法硫化氢预警传感器

[发明专利]一种锡酸镉（CTO）薄膜退火方法-CN201610807885.5在审
发明人：杜忠明;刘向鑫 -专利权人：中国科学院电工研究所
申请日： 2016-09-07 - 公布日： 2017-02-01 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：一种锡酸镉(CTO)薄膜退火方法，利用氮气气氛退火，方法如下将沉积有锡酸镉薄膜的衬底放入退火炉腔室中，通入氮气；退火温度为560℃～1100℃，退火时间为5分钟至50分钟。沉积所述的锡酸镉薄膜的方法包括射频磁控溅射、中频磁控溅射、射频反应磁控溅射和直流反应磁控溅射沉积法。
一种锡酸镉 cto 薄膜退火方法

[发明专利]一种锡酸镉基透明导电膜、其生产工艺及太阳能电池-CN201710427759.1有效
发明人：周洁;吴历清;吴选之 -专利权人：龙焱能源科技（杭州）有限公司
申请日： 2017-06-08 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请提供了一种锡酸镉基透明导电膜、其生产工艺及太阳能电池。本申请的生产工艺中先将靶材在含氧气体环境中进行磁控溅射，再复合过渡膜层，之后在保护性气氛下进行退火。本发明还提供了一种锡酸镉基透明导电膜及包含该锡酸镉基透明导电膜的太阳能电池，相比于现有商业化TCO膜，本发明提供的锡酸镉基透明导电膜的电学和光学性能明显提高。
一种锡酸镉基透明导电生产工艺太阳能电池

[发明专利]具有结晶层的光伏器件-CN201180014473.1在审
发明人：赵志波;戴尔·罗伯茨;杨宇;道格拉斯·达尔森 -专利权人：第一太阳能有限公司
申请日： 2011-03-16 - 公布日： 2013-11-06 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：一种制造多层结构的方法可包括：邻近基底形成包括锡酸镉的透明导电氧化物层；在包含还原剂的环境中在大于500℃的温度下对该结构进行退火，以使锡酸镉结晶化。
具有结晶器件

[发明专利]一种具有锡酸锌镁层的碲化镉太阳电池结构及其制备方法-CN201710773931.9在审
发明人：彭寿;马立云;潘锦功;殷新建;杨少飞 -专利权人：成都中建材光电材料有限公司
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开一种具有锡酸锌镁层的碲化镉太阳电池结构，包括衬底，所述衬底上设置有外延叠层，所述外延叠层由下往上依次包括所述外延叠层由下往上依次包括透明导电膜层、窗口层和光吸收层；所述窗口层包括锡酸锌镁层，所述光吸收层为碲化镉层；所述锡酸锌镁层使窗口层透明度提高，使得照射到光吸收层的太阳光强度增加；同时，减小载流子在窗口层和为碲化镉层的光吸收层之间界面的复合；采用具有所述锡酸锌镁层的碲化镉太阳能电池结构短路电流、开路电压、填充因子和转化效率高
一种具有锡酸锌镁层碲化镉太阳电池结构及其制备方法

[发明专利]利用氢形成透明导电氧化物的方法和设备-CN201380013032.9有效
发明人：邵锐;赵志波;马库斯·格洛克勒;大卫·黄;本雅明·布勒 -专利权人：第一太阳能有限公司;邵锐;赵志波;马库斯·格洛克勒;大卫·黄;本雅明·布勒
申请日： 2013-03-04 - 公布日： 2017-06-09 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：一种通过在存在氢气的情况下对包含镉和锡的非晶层热处理来形成光伏器件的晶体锡酸镉层的方法和设备。
利用形成透明导电氧化物方法设备

[发明专利]一种锡酸镉透明导电膜、其生产工艺及太阳能电池-CN201710428907.1在审
发明人：周洁;吴历清;吴选之 -专利权人：龙焱能源科技（杭州）有限公司
申请日： 2017-06-08 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请提供了一种锡酸镉透明导电膜、其生产工艺及太阳能电池。本申请的生产工艺中先将靶材在混合气体环境中进行磁控溅射，再在保护性气氛下进行退火。本发明还提供了一种锡酸镉透明导电膜及包含该锡酸镉透明导电膜的太阳能电池，相比于现有商业化的SnO₂膜和ITO膜，本发明提供的锡酸镉透明导电膜的电学和光学性能明显提高。
透明导电膜锡酸镉生产工艺太阳能电池退火制备混合气体环境规模化生产磁控溅射光学性能退火方式退火工艺电学靶材申请紧贴

[发明专利]一种锡酸镉靶材及其制备方法-CN201410559166.7有效
发明人：刘宇阳;白雪;王星明;储茂友;韩沧;张碧田;段华英 -专利权人：北京有色金属研究总院
申请日： 2014-10-20 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： C04B35/457 文献下载
摘要：本发明涉及一种锡酸镉靶材及其制备方法，属于陶瓷靶材技术领域。该锡酸镉靶材的组成为Cd2SnO4和CdSnO3，其中Cd2SnO4的含量大于95w％。本发明以SnO2粉和CdO粉为原料粉制成的Cd2SnO4单相粉体为原料，采用热压烧结工艺，不添加任何添加剂，并且在热压工艺中采用两段式温度，进行低温真空烧结，高温氩气保护烧结，制得致密的锡酸镉陶瓷靶材。
锡酸镉靶材陶瓷靶材烧结制备致密单相粉体低温真空热压工艺热压烧结氩气保护电阻率两段式原料粉添加剂

[发明专利]含锡酸镉的透明导电材料-CN200980100122.5有效
发明人：戴尔·罗伯茨;约翰·格尔曼;基思·J·布罗斯;本雅明·布勒;布伊尔·帕斯马科夫 -专利权人：第一太阳能有限公司
申请日： 2009-05-01 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： H01L31/00 文献下载
摘要：一种光伏电池可包括透明导电层，该透明导电层包括锡酸镉。
含锡酸镉透明导电材料

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