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[实用新型]一种真空等离子密度变化监控装置-CN202221680313.2有效
发明人：籍龙占;张晓岚;王国昌;谢丑相 -专利权人： 杭州朗旭新材料科技有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： C23C14/54 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种真空等离子密度变化监控装置，涉及真空镀膜技术领域，包括同心圆结构的正负粒子接收器，所述正负粒子接收器设有内芯和罩子，所述内芯连接有真空馈入电极，所述真空馈入电极连接有电流表，所述电流表接地，所述罩子的一面为开口，所述内芯与所述罩子的内表面为隔空设置。本实用新型可以监控真空镀膜过程中等离子体的状态。
一种真空等离子密度变化监控装置

[实用新型]一种车载触摸显示屏的高阻膜-CN202221795727.X有效
发明人：王国昌;张晓岚;谢丑相;籍龙占 -专利权人： 杭州朗旭新材料科技有限公司
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种车载触摸显示屏的高阻膜，涉及触控高阻膜技术领域，包括顺次排布的高阻层、缓冲层和减反层，所述高阻层、所述缓冲层和所述减反层均采用真空磁控溅射工艺沉积，所述高阻层的材料为ATO材料，所述缓冲层的材料为氮氧化硅，所述减反层的材料为低折射率材料。本实用新型具有较高的透过率和阻抗稳定性以及减反性能。
一种车载触摸显示屏高阻膜

[实用新型]一种抗污染阳极层离子源装置-CN202221801607.6有效
发明人：籍龙占;张晓岚;王国昌;谢丑相 -专利权人： 杭州朗旭新材料科技有限公司
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种抗污染阳极层离子源装置，涉及真空镀膜技术领域，包括装置本体，所述装置本体的表面设有阴极层，所述阴极层分为内阴极层和外阴极层，所述内阴极层和所述外阴极层之间设有间隙，间隙下方设有阳极层，所述阴极层上涂装有硅铝涂层。本实用新型可以避免铁元素污染并且不影响装置的功能性。
一种污染阳极离子源装置

[实用新型]一种均匀布气的布气管-CN202221580590.6有效
发明人：谢丑相;张晓岚;王国昌;籍龙占 -专利权人： 杭州朗旭新材料科技有限公司
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种均匀布气的布气管，涉及磁控溅射设备技术领域，包括相连接的顶盖板和主框体，所述主框体内部设有若干平行分布的分气条，所述分气条上设有沿所述分气条的长度方向分布的分气孔，所述分气孔呈树状结构分布，所述主框体的设有数量最少的所述分气孔一侧设有进气口。本实用新型结构简单，不会占用大量设备内部空间，关键零部件模块化设计，更换维护简单，控制难度低。
一种均匀气管

[发明专利]一种提高磁体矫顽力的方法和器件-CN201911140943.3有效
发明人：张晓岚;王国昌;谢丑相;籍龙占;吴历清 -专利权人： 杭州朗旭新材料科技有限公司
申请日： 2019-11-20 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01F41/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高磁体矫顽力的方法和器件，包括：提供扩散源，扩散源包括衬底以及依次设置在衬底一侧的第一扩散层和第二扩散层，第一扩散层和第二扩散层均包含稀土元素，第一扩散层中的稀土元素浓度大于第二扩散层中的稀土元素浓度；将衬底具有第一扩散层和第二扩散层的一侧与磁体贴合，并进行高温退火，以使第一扩散层和第二扩散层中的稀土元素扩散到磁体中，提高磁体的矫顽力，从而可以通过多次重复利用扩散源，减少扩散层的沉积次数，缩短工艺流程，节省稀土材料，降低生产成本。
一种提高磁体矫顽力方法器件

[发明专利]锡酸镉透明导电膜、碲化镉电池制备方法及薄膜太阳电池-CN201811295850.3有效
发明人：张晓岚;籍龙占;谢丑相;王国昌;吴历清 -专利权人： 杭州朗旭新材料科技有限公司
申请日： 2018-11-01 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种锡酸镉透明导电膜、碲化镉电池制备方法及薄膜太阳电池，锡酸镉透明导电膜制备方法包括：在玻璃基板表面制备导电膜层，导电膜层包括掺杂有杂质的锡酸镉非晶薄膜层、催化剂层；对玻璃基板进行退火，以得到锡酸镉透明导电膜。本申请公开的上述技术方案，在锡酸镉透明导电膜的制备过程中加入催化剂，利用催化剂层中所包含的催化剂降低锡酸镉非晶薄膜晶化过程中所需的形核能，以降低退火温度。在加入催化剂时，为了避免锡酸镉晶粒尺寸过大而降低锡酸镉透明导电膜的透光性，则在其中掺杂杂质，其在退火过程中可以起到钉扎作用，以抑制晶粒尺寸过大，且可以得到尺寸比较均匀的晶粒，以获得透光率较高且电阻率较低的锡酸镉透明导电膜。
锡酸镉透明导电碲化镉电池制备方法薄膜太阳电池

[发明专利]一种平面磁控溅射阴极靶面防护屏蔽装置-CN201911134573.2在审
发明人：张晓岚;谢丑相;王国昌;籍龙占;吴历清 -专利权人： 杭州朗旭新材料科技有限公司
申请日： 2019-11-19 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种平面磁控溅射阴极靶面防护屏蔽装置，包括用以分别设于平面靶材外侧的上下两端的传动杆和导向杆，以及上下两端分别与所述传动杆和所述导向杆滑动连接的多个折叠杆，多个所述折叠杆之间装设有防护屏蔽面。上述平面磁控溅射阴极靶面防护屏蔽装置，多个折叠杆沿传动杆和导向杆滑动以带动防护屏蔽面铺展拉开或折叠收回，折叠结构的形式减小了空间的占用，完全拉开时可起到未工作靶材表面的防护作用，部分拉开时还可调节靶材的溅射速率和溅射区域等重要参数，对工艺改善和升级提供新的思路。
一种平面磁控溅射阴极防护屏蔽装置

[实用新型]一种DLC膜层的制备设备-CN202021242147.9有效
发明人：张晓岚;谢丑相;王国昌;籍龙占 -专利权人： 杭州朗旭新材料科技有限公司
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本申请公开了一种DLC膜层的制备设备，包括设备主体，抽气组件，磁控溅射阴极，基片旋转架，位于设备主体内的等离子体增强化学气相沉积部件，电源接入端头；等离子体增强化学气相沉积部件包括外表面覆盖有导电层且交叉区域为中空状的X型绝缘主体框架，X型绝缘主体框架的四个延伸壁为空心板，交叉区域与空心板的连接处设置有第一通孔，且交叉区域与输气管路相连；位于每个空心板中的两个导电板，且电源接入端头与导电板电连接；与空心板的上表面连接的固定支架。该设备包括磁控溅射阴极和等离子体增强化学气相沉积部件，结合磁控溅射和等离子体增强化学气相沉积两种工艺制备DLC膜层，实现高速高质量的膜层制备。
一种 dlc 制备设备

[实用新型]一种薄膜制备设备-CN202020324905.5有效
发明人：吴历清;籍龙占;张晓岚;谢丑相;王国昌 -专利权人： 杭州朗旭新材料科技有限公司
申请日： 2020-03-16 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种薄膜制备设备，镀膜室包括n个间隔排列的阴极靶、n个溅射电源、与阴极靶相对设置的基座、将每个阴极靶的镀膜区等分成n个沉积区的分区装置、控制装置，控制装置根据待制备薄膜n行m列个单元的膜厚数据、n个阴极靶的n个沉积区的沉积速率数据，计算出n个阴极靶在m个时间段的溅射功率，并根据计算结果控制对应的溅射电源具有相应的溅射功率，从而可以使得待制备薄膜的n行m列个单元中不同的单元具有不同的膜厚，进而可以根据实际情况灵活高效地制备n、m不同即膜厚分布不同的薄膜。
一种薄膜制备设备

[实用新型]一种磁控溅射设备-CN202020347358.2有效
发明人：籍龙占;张晓岚;吴历清;谢丑相;王国昌 -专利权人： 杭州朗旭新材料科技有限公司
申请日： 2020-03-18 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种磁控溅射设备，包括镀膜室，镀膜室内划分有第一镀膜区和第二镀膜区；第一镀膜区设置有多个第一阴极，第一阴极呈点阵状分布，任一第一阴极的中心对应待镀膜装置表面的一镀膜点，相邻第一阴极之间具有辉光交叠区，辉光交叠区不覆盖镀膜点；第二镀膜区设置有多个第二阴极，第二阴极呈点阵状分布，任一第二阴极的中心对应任一相邻第一阴极的辉光交叠区。在磁控溅射过程中，通过第一镀膜区以及第二镀膜区的设置，可以实现在磁控溅射过程中点对点的精确镀膜，从而实现二维精确可控的非均匀薄膜生产，并避免遮挡板或掩膜板的使用，从而可以减少表面薄膜材料的浪费。
一种磁控溅射设备

[实用新型]一种金属管件内壁镀膜系统-CN202020337808.X有效
发明人：张晓岚;谢丑相;籍龙占;王国昌 -专利权人： 杭州朗旭新材料科技有限公司
申请日： 2020-03-17 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种金属管件内壁镀膜系统，包括：镀膜电源、固定装置、抽真空装置、左阳极板、右阳极板、工艺气路管道以及基座；工艺气路管道为一接地的导电性管道，与左、右阳极板共同组合以形成闭合阳极；通电状态下，工艺气体被离化为正离子和电子，在待沉积管件的内壁重新组合形成所需固态膜层。本实用新型提供的金属管件内壁镀膜系统，利用工艺气路管道参与阳极系统，与左、右阳极板共同组合，形成闭合阳极系统，在待沉积管件内形成均匀的电场分布，同时利用左、右抽气腔体真空控制系统维持待沉积管道内部气体的均匀分布，实现待沉积管件内壁固态膜层的均匀化，提高所形成的固态膜层的质量，以便应用于要求较高的场合。
一种金属管内壁镀膜系统

[实用新型]一种平面磁控溅射阴极靶面防护屏蔽装置-CN201922008302.4有效
发明人：张晓岚;谢丑相;王国昌;籍龙占;吴历清 -专利权人： 杭州朗旭新材料科技有限公司
申请日： 2019-11-19 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种平面磁控溅射阴极靶面防护屏蔽装置，包括用以分别设于平面靶材外侧的上下两端的传动杆和导向杆，以及上下两端分别与所述传动杆和所述导向杆滑动连接的多个折叠杆，多个所述折叠杆之间装设有防护屏蔽面。上述平面磁控溅射阴极靶面防护屏蔽装置，多个折叠杆沿传动杆和导向杆滑动以带动防护屏蔽面铺展拉开或折叠收回，折叠结构的形式减小了空间的占用，完全拉开时可起到未工作靶材表面的防护作用，部分拉开时还可调节靶材的溅射速率和溅射区域等重要参数，对工艺改善和升级提供新的思路。
一种平面磁控溅射阴极防护屏蔽装置

[发明专利]一种磁控溅射设备及磁控溅射方法-CN202010193994.9在审
发明人：籍龙占;张晓岚;吴历清;谢丑相;王国昌 -专利权人： 杭州朗旭新材料科技有限公司
申请日： 2020-03-18 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁控溅射设备，包括镀膜室，镀膜室内划分有第一镀膜区和第二镀膜区；第一镀膜区设置有多个第一阴极，第一阴极呈点阵状分布，任一第一阴极的中心对应待镀膜装置表面的一镀膜点，相邻第一阴极之间具有辉光交叠区，辉光交叠区不覆盖镀膜点；第二镀膜区设置有多个第二阴极，第二阴极呈点阵状分布，任一第二阴极的中心对应任一相邻第一阴极的辉光交叠区。在磁控溅射过程中，通过第一镀膜区以及第二镀膜区的设置，可以实现在磁控溅射过程中点对点的精确镀膜，从而实现二维精确可控的非均匀薄膜生产，并避免遮挡板或掩膜板的使用，减少表面薄膜材料的浪费。本发明还提供了一种磁控溅射方法，同样具有上述有益效果。
一种磁控溅射设备方法

[发明专利]一种薄膜制备设备和薄膜制备方法-CN202010182755.3在审
发明人：吴历清;籍龙占;张晓岚;谢丑相;王国昌 -专利权人： 杭州朗旭新材料科技有限公司
申请日： 2020-03-16 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种薄膜制备设备和薄膜制备方法，镀膜室包括n个间隔排列的阴极靶、n个溅射电源、与阴极靶相对设置的基座、将每个阴极靶的镀膜区等分成n个沉积区的分区装置、控制装置，控制装置根据待制备薄膜n行m列个单元的膜厚数据、n个阴极靶的n个沉积区的沉积速率数据，计算出n个阴极靶在m个时间段的溅射功率，并根据计算结果控制对应的溅射电源具有相应的溅射功率，从而可以使得待制备薄膜的n行m列个单元中不同的单元具有不同的膜厚，进而可以根据实际情况灵活高效地制备n、m不同即膜厚分布不同的薄膜。
一种薄膜制备设备方法

[发明专利]触控面板、防静电膜层及其制备方法-CN201811221383.X在审
发明人：张晓岚;王国昌;籍龙占;谢丑相;吴历清 -专利权人： 杭州朗旭新材料科技有限公司
申请日： 2018-10-19 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明公开了一种触控面板的防静电膜层，包括设置在触控基板上的透明高阻膜层，设置在透明高阻膜层背离触控基板的表面的保护膜层；其中，透明高阻膜层的阻值为105Ω～1011Ω，保护膜层为用于隔绝水汽的膜层。本发明中设置的保护膜层能够有效避免环境中的高温高湿对防静电膜层的破坏，提高了产品对环境的适应能力，保证了防静电膜层的防静电性能。本发明中还提供了一种触控面板以及触控面板的防静电膜层的制备方法，具有上述有益效果。
面板静电及其制备方法

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