[发明专利]一种锡酸镉（CTO）薄膜退火方法在审
| 申请号： | 201610807885.5 | 申请日： | 2016-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN106367720A | 公开（公告）日： | 2017-02-01 |
| 发明（设计）人： | 杜忠明;刘向鑫 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电工研究所 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35;C23C14/58 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司11251 | 代理人： | 关玲 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种锡酸镉(CTO)薄膜退火方法，利用氮气气氛退火，方法如下将沉积有锡酸镉薄膜的衬底放入退火炉腔室中，通入氮气；退火温度为560℃～1100℃，退火时间为5分钟至50分钟。沉积所述的锡酸镉薄膜的方法包括射频磁控溅射、中频磁控溅射、射频反应磁控溅射和直流反应磁控溅射沉积法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 锡酸镉 cto 薄膜 退火 方法 | ||
【主权项】：
一种锡酸镉(CTO)薄膜退火方法，其特征在于：将沉积有锡酸镉薄膜的衬底放入退火炉腔室中，通入氮气；退火温度为560℃～1100℃，退火时间为5分钟至50分钟。
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- 本发明公开了一种基于碳纳米管阵列的新型芯片热界面材料的制备方法。取一层6‑12微米左右厚度的金属箔，在金属箔两面溅射催化剂层，且在催化剂层和金属箔中间用磁控溅射法溅射一层氧化铝隔离层；然后通入反应气体，在一定温度条件下采用化学气相沉积法使碳纳米管阵列从基地的上下表面同时生长，生长后在碳纳米管表面滴入胶体，采用旋涂法旋涂均匀，制成新型的芯片热界面材料。本发明制备方法制备出的碳纳米管阵列表面干净平滑，与基底结合力强，表面密度高，芯片热界面材料具有高密度高一致性和高导热性等优异性能。
- 一种用于纤维增强镍基复合材料界面纳米多层扩散障涂层的制备方法-201910237822.4
- 黄浩;王敏涓;李虎;黄旭;李臻熙 - 中国航发北京航空材料研究院
- 2019-03-27 - 2019-06-18 - C23C14/08
- 本发明涉及本发明涉及一种用于纤维增强镍基复合材料界面纳米多层扩散障涂层的制备方法，步骤如下：将对置的Y靶和对置的高熔点金属靶放置在对靶磁控溅射设备中，高熔点金属为熔点在1500℃以上的金属；将带C涂层的SiC纤维缠绕到环形轮上形成溅射基体，使得缠绕后的SiC纤维同时置于对置的Y靶之间和对置的高熔点金属靶之间；由Y靶和高熔点金属靶分别对带C涂层的SiC纤维进行至少一次物理气相沉积，使得Y靶和高熔点金属靶在所述SiC纤维上形成交替的沉积层。本发明可以解决均Y2O3涂层脆性脱落和高界面应力的技术问题，制备出兼具惰性和高韧性的SiC纤维增强镍基复合材料。
- 一种镶嵌结构界面α-氧化铬涂层及其制备方法-201710254049.3
- 邱万奇;甄永辉;王书林;刘仲武;钟喜春;焦东玲 - 华南理工大学
- 2017-04-18 - 2019-06-18 - C23C14/08
- 本发明属于金属涂层制备技术领域，公开了一种镶嵌结构界面α‑Cr2O3涂层及其制备方法。所述制备方法为：以Cr作沉积靶材，通过磁控溅射系统在工件基体表面沉积Cr过渡层，然后在500～600℃热氧化处理，在Cr过渡层表面形成α‑Cr2O3镶嵌结构界面层，再重新放入磁控溅射系统中，在脉冲频率为600～2000Hz、占空比为1.5～5％、氧分压为7～15％的Ar+O2混合气体条件下用高功率脉冲反应磁控溅射法沉积出α‑Cr2O3涂层。本发明所得镶嵌结构界面α‑Cr2O3涂层方法沉积工艺稳定，不存在靶中毒问题，所沉积的涂层与基体结合牢固，具有稳定的α相结构。
- 透明导电性薄膜-201580001616.3
- 宫本幸大;佐佐和明;待永广宣;上田恵梨;黑瀬爱美;梨木智刚 - 日东电工株式会社
- 2015-05-15 - 2019-06-18 - C23C14/08
- 提供能够飞跃性提高晶体转化处理后的透明导电层相对于晶体转化处理前的透明导电层的电特性、实现进一步的低电阻化的透明导电性薄膜。透明导电性薄膜(1)具备薄膜基材(2)和形成于该基材的一个主表面(2a)的结晶质透明导电层(3)。晶体转化处理前的非晶质透明导电层的载流子密度na×1019为(10～60)×1019/cm3、霍尔迁移率μa为10～25cm2/V·s，晶体转化处理后的结晶质透明导电层(3)的载流子密度nc×1019为(80～150)×1019/cm3、霍尔迁移率μc为20～40cm2/V·s，由{(nc‑na)2+(μc‑μa)2}1/2定义的移动距离L为50～150。
- 一种金属元素Mg掺杂的VO2薄膜及其制备方法-201610417173.2
- 王盼盼;章俞之;张云龙;彭明栋;吴岭南;宋力昕 - 中国科学院上海硅酸盐研究所
- 2016-06-12 - 2019-06-11 - C23C14/08
- 本发明涉及一种金属元素Mg掺杂的VO2薄膜及其制备方法，所述金属元素Mg掺杂的VO2薄膜具有无规律分布的纳米气孔且主相为单斜相，晶面取向为（011）晶面，晶粒尺寸为90 nm～165 nm。本发明的有益效果是：将金属元素Mg均匀的掺入VO2薄膜内，得到的掺杂VO2薄膜表面有孔的产生，致密度减小，孔径大小随着Mg掺杂浓度的增加而减小，薄膜表面有孔产生，薄膜的致密度减小，且在可见‑近红外波段的透过率增加，光的调制能力增强。
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