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[发明专利]一种薄膜太阳能电池用合金靶材及其制备方法-CN202310813301.5在审
发明人：储茂友;张恒;白雪;刘宇阳;韩沧;杨秀玉 -专利权人：有研资源环境技术研究院（北京）有限公司
申请日： 2023-07-04 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜太阳能电池用合金靶材及其制备方法，制备方法包括：钼酸钠粉体或钼酸钾粉体在300‑400℃下进行煅烧预处理，获得预处理粉体；将高纯Mo粉体与预处理粉体混合均匀后，装入石墨模具中进行冷压，获得成型坯体；成型坯体在真空热压炉内进行两阶段真空热压烧结并随炉冷却，得到烧结坯体；将烧结坯体进行无水外形加工，再置于真空炉内，在400～700℃下进行真空退火处理，以及表面精磨加工，获得合金靶材。本发明通过上述制备步骤获得具有组织均匀性好、密度高、碱金属Na或K含量均匀稳定的薄膜太阳能电池用高品质MoNa(K)合金靶材，该材料可直接用于磁控溅射镀膜制备MoNa(K)膜层，其中Na(K)将向光电转换CIGS膜层中扩散渗透，以提高电池的光电转换效率。
一种薄膜太阳能电池合金及其制备方法

[发明专利]一种超高温陶瓷致密化方法、超高温陶瓷-CN202210342262.0有效
发明人：王星明;刘宇阳;白雪;李小宁;杨磊;桂涛;王星奇;储茂友;韩沧 -专利权人：有研科技集团有限公司
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：本发明提供了一种超高温陶瓷致密化方法和超高温陶瓷，所述方法包括：按照添加剂与原料混合物之间的目标比例，在合成所述超高温陶瓷粉体的过程中添加所述添加剂以实现缺陷调控，得到超高温陶瓷粉体；其中，所述添加剂包括B粉、NaCl、Na2B4O7、KCl中的至少一种；对所述超高温陶瓷粉体进行烧结，以得到致密化的超高温陶瓷；本发明通过添加添加剂对超高温陶瓷粉体进行缺陷调控，得到了烧结活性高的超高温陶瓷粉体，从而烧结得到了致密度高的超高温陶瓷。
一种超高温陶瓷致密方法

[发明专利]一种无机电致变色成膜材料及其制备方法-CN202310813285.X在审
发明人：储茂友;张碧田;孙静;白雪;刘宇阳;韩沧;孙悦 -专利权人：有研资源环境技术研究院（北京）有限公司
申请日： 2023-07-04 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明提供一种无机电致变色成膜材料及其制备方法，制备方法包括如下制备步骤：S1、对WO3粉体或NiO粉体在400‑500℃下进行煅烧预处理；S2、对煅烧预处理后的WO3粉体或NiO粉体进行冷等静压处理，然后经破碎、球磨造粒处理，形成粒径为45‑55um的造粒粉体；S3、将造粒粉体装入石墨模具中进行冷压，然后转移至真空热压炉内，进行两阶段真空热压烧结并随炉冷却，得到烧结坯体；S4、对烧结坯体进行外形加工、真空退火处理以及表面精磨加工后，获得无机电致变色成膜材料。本发明通过模压成型结合两阶段真空热压烧结工艺，解决WO3或NiO在烧结和加工过程中存在的组分稳定性差以及易出现裂纹和坍塌问题，制备出具有高纯度、高密度的无机电致变色镀膜材料。
一种机电变色材料及其制备方法

[发明专利]一种纳米片状氧化亚硅及其复合负极材料-CN202010780626.4有效
发明人：王星明;王宁;杨娟玉;刘宇阳;桂涛;白雪;王武育;储茂友;韩沧;段华英 -专利权人：有研资源环境技术研究院（北京）有限公司
申请日： 2020-08-05 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01M4/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米片状氧化亚硅及其复合负极材料。该纳米片状氧化亚硅的化学式为SiOx，其中0.9＜x＜1.1；并且具有纳米片状颗粒形貌；其由激光粒度仪测试的中位粒径(D50)为100‑1000nm，由氮吸附测试的比表面积为50‑150m2/g。该纳米片状氧化亚硅颗粒平面方向的平均直径为100‑1000nm，厚度为10‑50nm，且所述颗粒平面方向的平均直径与颗粒厚度的比值大于5。所述复合负极材料包含所述纳米片状氧化亚硅及添加剂，其中纳米片状氧化亚硅在复合负极材料中的质量分数为5‑50％。本发明的纳米片状氧化亚硅具有电子、离子传输距离短的优势，在电极充放电过程中能够保持导电结构稳定。基于该纳米片状氧化亚硅的复合负极材料，可以减少导电组分的用量，在提高导电性和改善循环性能的同时保持高容量。
一种纳米片状氧化及其复合负极材料

[发明专利]一种含锂SiOx-CN202010629154.2有效
发明人：王星明;刘宇阳;桂涛;王武育;韩沧;白雪;储茂友;段华英 -专利权人：有研资源环境技术研究院（北京）有限公司
申请日： 2020-07-02 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种含锂SiOx粉体的制备方法。所述含锂SiOx粉体中的x为0.9＜x＜1.1，主要成分为SiO、Si、SiO2和含锂化合物，该制备方法包括以下步骤：(1)原料的混合：将高纯Si粉和SiO2粉按一定配比称量，添加一定量的金属锂或者含锂化合物，采用球磨的方法进行混合；(2)含锂SiOx的制备：采用单源蒸发或双源蒸发化学气相沉积法制备含锂SiOx块体；(3)粉体整形：将含锂SiOx块体通过球磨或者气流破碎法进行粉体整形，得到目标含锂SiOx粉体。采用该方法制备SiOx粉体能够有效的实现SiOx材料的预锂化，并能够有效的避免SiOx材料在预锂化过程中的歧化反应。
一种 sio base sub

[实用新型]一种用于靶材制备的粉体装模装置-CN202221614753.8有效
发明人：韩沧;孙悦;刘宇阳;张恒 -专利权人：有研资源环境技术研究院（北京）有限公司
申请日： 2022-06-27 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： B28B13/02 文献下载
摘要：本申请提供了一种用于靶材制备的粉体装模装置，包括：电机；竖向伸缩杆，所述竖向伸缩杆的一端连接电机的输出端、另一端连接横向伸缩杆，所述横向伸缩杆与所述竖向伸缩杆垂直；所述电机可带动所述竖向伸缩杆上下伸缩和旋转，在旋转的情况下带动所述横向伸缩杆在同一平面内旋转，通过本实用新型提供的装置，使模具内的粉体表面在短时间内平整、均匀，后续粉体制模的品相好、速率快，可满足致密性坯料的批量化成产；横向伸缩杆可调节运动面积，适用于不同规格的装有粉体的模具，满足企业对于不同样式产品的需求。
一种用于制备粉体装模装置

[发明专利]一种基于缺陷调控的超高温陶瓷致密化方法、超高温陶瓷-CN202210343585.1在审
发明人：王星明;刘宇阳;白雪;李小宁;杨磊;桂涛;王星奇;储茂友;韩沧 -专利权人：有研资源环境技术研究院（北京）有限公司
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于缺陷调控的超高温陶瓷的致密化方法，所述方法包括：采用多种合成方法制备得到与每种合成方法对应的超高温陶瓷粉体；计算得到超高温陶瓷粉体的位错密度；基于计算得到的粉体的位错密度，确定多种合成方法分别得到超高温陶瓷粉体的混合比例；按照所述混合比例，将多种合成方法分别得到的超高温陶瓷进行混合以调控超高温陶瓷粉体缺陷浓度；将混合后的超高温陶瓷粉体进行烧结，得到超高温陶瓷；本发明通过计算位错密度并利用不同位错密度的粉体调控粉体缺陷，制备得到致密度高的超高温陶瓷。
一种基于缺陷调控超高温陶瓷致密方法

[发明专利]一种镀膜用氧化铈颗粒的制备方法-CN202010234167.X有效
发明人：白雪;刘宇阳;桂涛;杨磊;王星明;储茂友;韩沧;段华英 -专利权人：有研资源环境技术研究院（北京）有限公司
申请日： 2020-03-27 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： C04B35/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种镀膜用氧化铈颗粒的制备方法，包括以下步骤：(1)以高纯氧化铈粉体为原料，向其中添加去离子水并进行造粒处理，得到结合紧密的氧化铈片状物；(2)将得到的片状物研磨破碎，并筛分出＜0.1mm的预处理粉体；(3)将所得预处理粉体装入胶套中进行冷等静压成型为坯体。(4)将所得坯体按照如下烧结工艺进行烧结：2‑3小时升温到300‑400℃保温1h‑2h，2小时升到600℃‑800℃保温1h‑2h，4小时升温到1000℃‑1200℃保温1h‑2h，4小时升温到1300℃保温1h‑2h，2小时升温至1400℃保温1‑2h，1小时升温到1450‑1550℃保温3h‑5h；(5)冷却得到氧化铈烧结坯料，将坯料进行破碎和筛分得到镀膜用氧化铈颗粒。该方法生产的氧化铈颗粒具有高纯度、高密度、低喷溅等优点。
一种镀膜氧化颗粒制备方法

[发明专利]一种AlON粉体的制备方法、AlON粉体及其应用-CN202210095287.5在审
发明人：刘宇阳;王星明;孙悦;白雪;储茂友;韩沧;王涛 -专利权人：有研资源环境技术研究院（北京）有限公司;有研科技集团有限公司
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： C04B35/581 文献下载
摘要：本发明提供了一种AlON粉体的制备方法、AlON粉体及其应用，所述方法包括：将纳米氧化铝粉体和碳粉按质量比称重，加入0‑10wt％的分散剂，并以无水乙醇为介质，采用球磨方法混合，得到混合粉体；利用碳热还原氮化法烧结混合粉体；再将烧结后的粉体进行行星球磨处理，处理结束后，以无水乙醇为介质，添加0‑10wt％分散剂，并采用超声进行分散处理，得到所述AlON粉体；本发明通过分步骤添加分散剂，改进了粉体的整体分散性能，制备出分散性高，且相纯度高，粒度也较小的高烧结活性的AlON粉体，将其应用于AlON透明陶瓷的制备中，能够得到性能较好的AlON透明陶瓷。
一种 alon 制备方法及其应用

[发明专利]一种碳硅陶瓷靶材的制备方法-CN202010234099.7有效
发明人：白雪;刘宇阳;王星奇;杨磊;桂涛;王星明;储茂友;韩沧 -专利权人：有研资源环境技术研究院（北京）有限公司;有研科技集团有限公司
申请日： 2020-03-27 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： C04B35/575 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳硅陶瓷靶材的制备方法。该制备方法包括以下步骤：(1)根据要制备的靶材的碳硅比，称量石墨粉体、单质硅粉体、SiC粉体，其中单质硅粉体占三者总量的5at％‑15at％；(2)将石墨粉体与单质硅粉体采用卧轴球磨法破碎和混合，得到碳硅预球磨粉体；(3)在碳硅预球磨粉体中添加已称量好的SiC粉体，并置于卧轴球磨罐内球磨混合2小时，得到复合原料粉体；(4)将复合原料粉体筛分后，装入石墨模具中，将模具放在热压炉中，抽真空＜500pa时充入氩气，采用前段快速升温、中段液相烧结和高温氩气保护烧结；(5)冷却得到碳硅陶瓷靶材坯料，经加工、清洗、烘干得到碳硅陶瓷靶材。本发明制备的碳硅陶瓷靶材的相对密度大于90％，硅掺杂含量误差+/‑1at％，电阻率低于0.05Ω·cm，适用于溅射制备DLC薄膜。
一种陶瓷制备方法

[发明专利]一种高密度HfO2-CN201811508783.9有效
发明人：白雪;刘宇阳;杨磊;桂涛;王星明;储茂友;韩沧;张恒 -专利权人：有研资源环境技术研究院（北京）有限公司
申请日： 2018-12-11 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： C04B35/48 文献下载
摘要：本发明公开了属于陶瓷靶材技术领域的一种高密度HfO2靶材的制备方法。本发明利用碱性溶剂对HfO2粉体预处理，将预处理后粉体置于马弗炉、热压炉中烧结，然后粉碎、过筛，再置于热压炉中进行三段式热压烧结，最后随炉冷却，得到HfO2靶材；所得HfO2靶材外观呈均匀灰色，相对密度达到85％～95％，具有高强度、不易开裂的特点，适用于溅射制备光学薄膜。
一种高密度 hfo base sub

[发明专利]一种固态电解质薄膜用Li₃PO₄靶材的制备方法和应用-CN201811620256.7在审
发明人：刘宇阳;白雪;储茂友;王星明;杨磊;桂涛;张恒;韩沧 -专利权人：有研工程技术研究院有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： C04B35/447 文献下载
摘要：本发明公开了属于陶瓷靶材制备技术领域的一种固态电解质薄膜用Li₃PO₄靶材的制备方法和应用。具体将Li₃PO₄粉体置于马弗炉中低温预处理，经造粒、热压烧结、退火、真空烘干制得Li₃PO₄靶材；本发明制备方法简单、易于工业化生产，制得的Li₃PO₄靶材介电常数高、介电损耗低、相对密度为50％‑100％范围内可控，适用于溅射制备全固态电解质薄膜。
靶材固态电解质薄膜制备方法和应用制备预处理退火全固态电解质制备技术领域介电常数介电损耗热压烧结陶瓷靶材真空烘干马弗炉中低温粉体溅射可控造粒薄膜

[发明专利]一种硒砷锗多元合金溅射靶材的制备方法-CN201811502667.6在审
发明人：储茂友;王星明;白雪;刘宇阳;杨磊;桂涛;韩沧;张恒 -专利权人：有研工程技术研究院有限公司
申请日： 2018-12-10 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种硒砷锗多元合金溅射靶材制备方法，其包括以下步骤：1)真空熔炼制备As2Se3，GeSe，As2Te3，As2Ge，GeTe二元化合物；2)依据目标成分，选用所述二元化合物辅以各元素单质进行配料；3)采用真空熔炼制备多元合金；4)对所述多元合金进行破碎磨粉；5)以步骤4)所得粉料为原料，通过真空热压制备硒砷锗多元合金溅射靶材。该靶材为制备集成电路薄膜阈值开关以及薄膜相变存储器的重要原材料。
多元合金制备溅射靶材二元化合物真空熔炼集成电路薄膜相变存储器元素单质阈值开关热压制靶材粉料磨粉薄膜破碎

[发明专利]一种锡酸镉靶材及其制备方法-CN201410559166.7有效
发明人：刘宇阳;白雪;王星明;储茂友;韩沧;张碧田;段华英 -专利权人：北京有色金属研究总院
申请日： 2014-10-20 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： C04B35/457 文献下载
摘要：本发明涉及一种锡酸镉靶材及其制备方法，属于陶瓷靶材技术领域。该锡酸镉靶材的组成为Cd2SnO4和CdSnO3，其中Cd2SnO4的含量大于95w％。本发明以SnO2粉和CdO粉为原料粉制成的Cd2SnO4单相粉体为原料，采用热压烧结工艺，不添加任何添加剂，并且在热压工艺中采用两段式温度，进行低温真空烧结，高温氩气保护烧结，制得致密的锡酸镉陶瓷靶材。该靶材中Cd2SnO4含量大于95w％，相对密度达到80～95％，电阻率达到1～6×10‑4Ω·cm。 1
锡酸镉靶材陶瓷靶材烧结制备致密单相粉体低温真空热压工艺热压烧结氩气保护电阻率两段式原料粉添加剂

[实用新型]一种大尺寸工件外圆加工夹持系统-CN201621475625.4有效
发明人：王星明;刘宇阳;储茂友;白雪;韩沧 -专利权人：北京有色金属研究总院
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2017-08-04 - 主分类号： B24B41/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种大尺寸工件外圆加工夹持系统，其在于，真空吸盘(2)与连接管(6)连接后固定在主轴(5)上；所述连接管(6)的另一端与气管接头(8)转动连接，所述气管接头(8)上设有挡块(9)和气管(10)，所述挡块(9)用以阻挡操作中气管接头(8)的转动，所述气管(10)通过气动换向阀连接至空气压缩机；挡盘(3)的后端设有顶尖孔，并与顶尖(4)连接，顶尖(4)嵌入尾架套筒(7)中实现连接；真空吸盘(2)与挡盘(3)相对设置，对工件进行夹持。该夹持系统可以有效、可靠地固定大尺寸陶瓷工件；采用该夹持系统，可加工最大磨削直径大大增加，适用性提高。
一种尺寸工件加工夹持系统

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