[发明专利]锡酸镉靶材的制备方法在审
| 申请号： | 201811220400.8 | 申请日： | 2018-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN109437884A | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 文崇斌;朱刘;陈肯;曾成亮;胡智向;余芳 | 申请（专利权）人： | 先导薄膜材料（广东）有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/457 | 分类号： | C04B35/457;C04B35/622;C04B35/64;C23C14/34 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 511517 广东省清远市高新区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种锡酸镉靶材的制备方法，其包括如下步骤：S1、原料混合；S2、球磨；S3、冷等静压；S4、烧结。本发明锡酸镉靶材的制备方法采用冷等静压以及常温烧结相结合的方法来制备锡酸镉靶材，无需石墨坩埚，不会引入杂质，所制备得到的锡酸镉靶材相对密度大于95%、电阻率≤10Ω·cm。 | ||
| 搜索关键词： | 锡酸镉 靶材 制备 冷等静压 烧结 石墨坩埚 原料混合 电阻率 球磨 引入 | ||
【主权项】：
1.一种锡酸镉靶材的制备方法，其特征在于：其包括如下步骤：S1、原料混合：将5N氧化镉粉末和5N二氧化锡粉末按摩尔比2~2.1：1混合形成混合粉末，再将占混合粉末质量分数1%~3% 的PVA、占混合粉末质量分数3%~5%的纯水加入混合粉末一起混合均匀形成混合料；S2、球磨：将上述混合料放入一球磨机中，球磨4‑6个小时后取出，在70~100℃下烘干1~2小时得烘干料；S3、冷等静压：将烘干料装入一不锈钢模具中，然后将不锈钢模具放入一冷等静压炉中，于300~400MPa下保持1~3小时；S4、烧结：冷等静压后，取出毛坯料，将毛坯料放入一烧结炉中，烧结炉按第一升温速率G1升温至400~500℃，保温T1时间，再以第二升温速率G2升温至1100~1250℃，保温T2时间，随炉冷却后，得到锡酸镉靶材。
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- 陈志强 - 洛阳瑞德材料技术服务有限公司
- 2016-05-27 - 2018-06-19 - C04B35/457
- 一种采用真空负压注浆成型技术制备ITO靶材的方法，涉及材料领域。本发明采用氧化铟或氧化锡或氧化锆或氧化铈或氧化铋等溶胶作为粘结剂而不使用有机粘结剂配制浆料，采用真空负压注浆成型，真空负压以柔性方式施加给浆体，减少坯体成型内应力，成型、干燥和预烧一次原位完成。本发明可以有效减少ITO制造过程时间和成本，提高产品质量，特别适合于大规格ITO靶材的制造。本发明方法不仅适用于ITO靶材的成型，同样适用于AZO、IGZO等陶瓷靶材的成型。 1
- 一种锡酸镉靶材及其制备方法-201410559166.7
- 刘宇阳;白雪;王星明;储茂友;韩沧;张碧田;段华英 - 北京有色金属研究总院
- 2014-10-20 - 2018-06-15 - C04B35/457
- 本发明涉及一种锡酸镉靶材及其制备方法，属于陶瓷靶材技术领域。该锡酸镉靶材的组成为Cd2SnO4和CdSnO3，其中Cd2SnO4的含量大于95w％。本发明以SnO2粉和CdO粉为原料粉制成的Cd2SnO4单相粉体为原料，采用热压烧结工艺，不添加任何添加剂，并且在热压工艺中采用两段式温度，进行低温真空烧结，高温氩气保护烧结，制得致密的锡酸镉陶瓷靶材。该靶材中Cd2SnO4含量大于95w％，相对密度达到80～95％，电阻率达到1～6×10‑4Ω·cm。 1
- 高相对密度低电阻率氧化铟锡靶材的制备方法-201511032741.9
- 刘家祥;梁飞;李敏;雷文 - 北京化工大学
- 2016-01-11 - 2018-05-25 - C04B35/457
- 高相对密度低电阻率氧化铟锡靶材的制备方法是一种以常压烧结法制备ITO靶材的方法。本发明是利用化学共沉淀法制备氧化铟锡复合粉体，在氧化铟锡粉体中加入复合烧结助Nb2O5‑Bi2O3球磨混合后，加入粘结剂进行造粒并干燥，对造粒过后的氧化铟锡粉体模压成型得到初坯，再对初坯冷等静压得到素坯，最后素坯在高温氧氛围下烧结得到氧化铟锡靶材。本发明工艺简单，过程容易控制，降低了烧结温度的同时还提升了电性能，设备简单，所需生产成本较低，烧结出的氧化铟锡靶材成分均匀且相对密度高、电阻率低。
- (Na0.5Bi0.5)(1‑x)BaxTi(1‑x)SnxO3陶瓷及其制备方法-201711316248.9
- 蒲永平;张磊 - 陕西科技大学
- 2017-12-12 - 2018-03-30 - C04B35/457
- 本发明公开了一种高储能密度(Na0.5Bi0.5)(1‑x)BaxTi(1‑x)SnxO3弛豫铁电体陶瓷材料及其制备方法，将Na0.5Bi0.5TiO3粉体与BaSnO3粉体混合进行球磨、烘干、压块后，形成全配料，然后将全配料过筛，形成过筛料；利用冷等静压获得各项同性的致密坯体。并将制好的坯体进行微波烧结得到烧结试样。本发明还公开了利用该陶瓷材料制备的无铅高储能密度陶瓷材料及其制备方法。本发明提供的(Na0.5Bi0.5)(1‑x)BaxTi(1‑x)SnxO3无铅高储能密度陶瓷材料具有高的储能密度，制备工艺简单，材料成本低，绿色环保。
- 一种微波陶瓷介质材料、制备方法及用途-201510177494.5
- 黄景林;黄景明 - 厦门万明电子有限公司
- 2015-04-15 - 2018-02-09 - C04B35/457
- 本发明公开了一种微波陶瓷介质材料、制备方法及用途。其由主晶相和改性掺杂剂组成，所述主晶相结构式为(BaxMg1‑x)(ZrySn1‑y)O3，式中0.82≤x≤0.91，0.35≤y≤0.55；所述改性掺杂剂是Ta2O5、Co3O4、Al2O3、MnO2、SiO2中的一种或几种。所述主晶相为90～99重量％，改性掺杂剂为1～10重量％。本发明所述微波陶瓷介质材料颗粒分布均匀，具有较高的品质因数，和近乎零的频率温度系数，微波性能优越，可用于微波器件，为国内提供高性能的微波陶瓷材料，有效降低对进口材料的依赖。同时能有效改善微波器件在微波频段的信噪比，降低器件的发热几率，从而减少功率消耗。
- 一种锡酸锶钴陶瓷及其制备方法-201610200188.3
- 高相东;虎学梅;李效民 - 中国科学院上海硅酸盐研究所
- 2016-03-31 - 2017-10-24 - C04B35/457
- 本发明涉及一种锡酸锶钴陶瓷及其制备方法，所述锡酸锶钴陶瓷具有钙钛矿晶体结构，所述锡酸锶钴陶瓷的化学组成为SrSn1‑xCoxO3，0＜x＜1，其中Co原子取代SrSnO3中的Sn位。本发明制备的锡酸锶钴陶瓷可用于脉冲激光沉积、磁控溅射等方法制备锡酸锶钴薄膜，以及直接制备各种尺寸的锡酸锶钴陶瓷体材，用于传感、压电、光电、磁电等领域。
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