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[发明专利]大尺寸β型四钼酸铵单晶颗粒的制备方法-CN202110645674.7有效
发明人：吴小超;李庆奎;张静;杨凯军;王成铎;何季麟 -专利权人：郑州大学
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： C30B7/08 文献下载
摘要：大尺寸β型四钼酸铵单晶颗粒的制备方法，包括：用工业钼酸铵、氨水、去离子水配置浓度为0.2～0.6g/mL的钼酸铵溶液；将钼酸铵溶液的pH调节为5～7，溶液温度调节为第一温度70～90℃，得到第一钼酸铵溶液；将β型四钼酸铵晶种放置在结晶容器中，将第一钼酸铵溶液倒入结晶容器组成结晶体系，结晶体系在室温下静置，自然降温，β型四钼酸铵晶种生长为大颗粒单晶β型四钼酸铵产物。通过控制第二钼酸铵溶液的pH值、浓度、温度和结晶时间，在70～90℃之间恒温结晶得到了β型四钼酸铵晶种；β型四钼酸铵晶种在第一钼酸铵溶液中静置，降温结晶和缓慢蒸发结晶合理结合，生长得到大尺寸β型四钼酸铵单晶颗粒，粒径尺寸可达厘米级，实现了大尺寸β型四钼酸铵单晶颗粒的可控制备。
尺寸钼酸铵单晶颗粒制备方法

[发明专利]聚二甲基二烯丙基氯化铵单链单晶及其制备方法-CN200610011762.7无效
发明人：王戈;杨穆;冯莉 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2006-04-21 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： C30B29/58 文献下载
摘要：本发明提供了一种聚二甲基二烯丙基氯化铵单链单晶及其制备方法，属于高分子单链单晶技术领域。其特征在于：聚二甲基二烯丙基氯化铵单晶晶体结构为单斜晶系，其晶轴：a＝16.471，b＝10.992，c＝11.597；α＝90°，β＝104.8°，γ＝90°；其中，a、b、c为晶轴，α、β、γ本发明的优点在于首次制备出聚二甲基二烯丙基氯化铵的单链单晶，并分析出其晶体结构。
甲基丙基氯化铵单链单晶及其制备方法

[发明专利]一种精草铵膦酸水合物单晶及其制备方法-CN201910769201.0在审
发明人：董文凯;左伯军;蒋爱忠;柴洪伟;解银萍;刘军;王明刚;王滢秀;李磊;韩金涛;李旭坤 -专利权人：山东省农药科学研究院
申请日： 2019-08-20 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： C07F9/30 文献下载
摘要：本发明公开一种精草铵膦酸水合物单晶及其制备方法，所述精草铵膦酸水合物单晶属于正交晶系，空间群P2₁2₁2₁，晶胞参数α＝90°，β＝90°，γ＝90°，晶胞体积为每个晶胞中含有4分子精草铵膦酸和制备方法为将精草铵膦酸溶于溶剂中，降温静置缓慢挥发溶剂结晶即可得到精草铵膦酸水合物单晶。本发明提供的一种精草铵膦酸水合物单晶，属于正交晶系，是与现有技术不同的新一水合物晶体，其制备方法简单，制备过程绿色环保。
精草铵膦水合物单晶制备正交晶系晶胞一水合物晶体挥发溶剂晶胞参数绿色环保制备过程分子水空间群溶剂酸溶

[发明专利]大粒径金属钼粉的制备方法-CN202110644480.5有效
发明人：李庆奎;吴小超;张静;杨凯军;王成铎;何季麟 -专利权人：郑州大学
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： B22F9/22 文献下载
摘要：大粒径金属钼粉的制备方法，包括：粒度在5～100μm之间的大尺寸β型四钼酸铵单晶颗粒于350～400℃下焙烧，得到三氧化钼；三氧化钼经过两段氢还原得到金属钼粉，其粒度大于5μm。大尺寸β型四钼酸铵单晶颗粒的制备方法包括：用工业钼酸铵、氨水、去离子水配置浓度为0.2～0.6g/mL的钼酸铵溶液，将其pH调节为1～2，温度调节为70～90℃，得到第一钼酸铵溶液；第一钼酸铵溶液恒温搅拌3～5min，结晶，过滤，得到β型四钼酸铵晶种；用工业钼酸铵、氨水、去离子水配置浓度为0.2～0.6g/mL的钼酸铵溶液，将钼酸铵溶液的pH值调节为5～7，温度调节为70～90℃，得到第二钼酸铵溶液；β型四钼酸铵晶种在第二钼酸铵溶液中，室温静置，得到大尺寸β型四钼酸铵单晶颗粒。
粒径金属制备方法

[发明专利]一种制备正交相单晶纳米带结构三氧化钼材料的方法-CN201110110500.7无效
发明人：高宾;张晓军 -专利权人：西安工程大学
申请日： 2011-04-29 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： C01G39/02 文献下载
摘要：本发明公开的一种制备正交相单晶纳米带结构三氧化钼材料的方法，采用硝酸酸化七钼酸铵得到钼酸溶胶，加入模板剂十六烷基三甲基溴化铵，然后经过水热反应、过滤、洗剂和干燥得到正交相单晶三氧化钼纳米带。本发明制备正交相单晶纳米带结构三氧化钼材料的方法，采用七钼酸铵和硝酸为原料，十六烷基三甲基溴化铵为模板剂，酸化过程简单，工艺易于控制，反应温度低，产品宽度及厚度小，纳米带为单晶结构，形貌良好，制备工艺流程周期短获得了宽度50-100nm，长度1-10μm，厚度30-60nm，正交相单晶纳米带结构三氧化钼粉体材料，三氧化钼纳米带粉体粒度均匀。
一种制备交相纳米结构氧化钼材料方法

[发明专利]一种制备高纯片状单晶和片晶致密聚集状铈碳酸盐的方法-CN202010799700.7有效
发明人：周雪珍;朱敏萱;丁林敏;李静;李永绣 -专利权人：南昌大学
申请日： 2020-08-11 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： C30B29/10 文献下载
摘要：一种制备高纯片状单晶和片晶致密聚集状铈碳酸盐的方法，在用碳酸（氢）铵沉淀铈时预先加入柠檬酸三铵调控结晶过程。所需碳酸氢铵与铈离子的物质的量比Rab为5‑8，碳酸铵与铈离子的物质的量比Rac为2.5‑4，柠檬酸三铵加量≥0.1%，陈化结晶时间≥4h；随着Rab和Rac的增大，产物中氯根含量降低，由氯根含量≤50mg/kg的碳酸铈片状单晶向氯根含量≤20mg/kg的碳酸铈铵复盐片晶致密聚集体转化。对于碳酸铈片状单晶，柠檬酸三铵加量的增加，氯根含量降低；对于复盐片晶聚集体，随柠檬酸三铵量增加，氯根含量先降低而后回升，通过调节沉淀加料比和柠檬酸三铵添加剂量可调控产物的结构类型、外观形貌和杂质离子含量
一种制备高纯片状致密聚集碳酸盐方法

[发明专利]一种单晶仲钨酸铵及其制备方法-CN201010537164.X无效
发明人：万林生;肖学有;赵立夫;陈邦明;杨树生;杨凤丽 -专利权人：崇义章源钨业股份有限公司;江西理工大学
申请日： 2010-11-08 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： C30B29/32 文献下载
摘要：本发明涉及湿法冶金中无机粉体材料制备技术，是从(NH4)2WO4溶液中通过悬浮层流工艺制备单晶仲钨酸铵及其制备方法。本发明包括一种单晶仲钨酸铵，其松装密度1.5～3.0g/cm3，费氏粒度在30～60μm之间，霍尔流动性30～50s/50g，粉体单晶率≥95％；以及单晶仲钨酸铵制备方法，其结晶过程中，晶核出现前，控制搅拌转速为
一种单晶仲钨酸铵及其制备方法

[发明专利]多序列单晶二钼酸铵的生产工艺-CN201810173843.X有效
发明人：刘锦锐;郑枝木;易建;杨伟;高志强 -专利权人：成都虹波钼业有限责任公司
申请日： 2018-03-02 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： C01G39/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种多序列单晶二钼酸铵的生产工艺，包括将钼酸铵溶液加热至沸腾，浓缩脱氨，直至溶液饱和，之后向饱和溶液中加入晶种，蒸发结晶，在蒸发过程中补入钼酸铵溶液、NH4OH溶液；所述生产工艺通过控制蒸发过程中补入的钼酸铵溶液的量和浓度、NH4OH溶液的浓度、蒸汽压力、真空度中的一种或几种来实现间断式结晶，得到多种二钼酸铵料浆，经后处理得到多序列单晶二钼酸铵。
序列单晶二钼酸生产工艺

[发明专利]一种钙钛矿单晶材料、其制备方法及其应用-CN201811594523.8有效
发明人：钟海政;黄胜;王玉玲 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： C30B29/54 文献下载
摘要：本申请公开了一种钙钛矿单晶材料，所述钙钛矿单晶材料的化学式如式I所示：AxMyXz式I；其中，A包括有机铵离子；所述有机铵离子选自具有式II所示化学式的有机铵离子中的至少一种；其中，x＝9，y＝4，z＝17；M为金属阳离子；所述金属选自Ge、Sn、Pb、Sb、Bi、Cu、Mn、Sr针对现有钙钛矿A位选择范围不够大，提出了新的卤代A位，制备出了基于新的卤代A位的单晶，且该单晶可以被大规模制备及应用。
一种钙钛矿单晶材料制备方法及其应用

[发明专利]单晶硅腐蚀剂的制备方法、对凸角硅进行腐蚀的方法-CN201010520649.8无效
发明人：胡启方;高成臣;郝一龙 -专利权人：北京大学
申请日： 2010-10-20 - 公布日： 2011-02-09 - 主分类号： C23F1/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶硅腐蚀剂的制备方法、对凸角硅进行腐蚀的方法。单晶硅腐蚀剂的制备方法包括：稀释四甲基氢氧化铵原液，形成四甲基氢氧化铵溶液；在所述四甲基氢氧化铵溶液中加入脂肪醇聚氧乙烯醚；搅拌所述脂肪醇聚氧乙烯醚，直至完全溶解于所述四甲基氢氧化铵溶液中，形成所述单晶硅腐蚀剂本发明采用了对环境和人体危害小的脂肪醇聚氧乙烯醚作为四甲基氢氧化铵溶液硅腐蚀液的添加剂，实现了抑制晶体硅中除晶面的其他快速腐蚀晶面的腐蚀速率的功能；并且，使用此溶液进行硅腐蚀的时候，无需对凸角结构进行补偿
单晶硅腐蚀剂制备方法凸角硅进行腐蚀

[发明专利]一种高纯均相针状紫钨粉末的制备方法-CN201910140054.0在审
发明人：谢中华;汪壮瀚;余春荣;谢金明;廖小丽;徐双;黄亮 -专利权人：江钨世泰科钨品有限公司
申请日： 2019-02-26 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： B22F9/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种高纯均相针状紫钨粉末的制备方法，该方法包括以下步骤：原料制备，获得均匀的高纯单晶仲钨酸铵晶体，原料预处理，通入氨气。本发明采用特定结晶工艺制备的高纯单晶仲钨酸铵为原料，杂质元素总量控制在60ppm以下，有利于源头控制杂质元素，制得的紫钨粉末纯度高、物相单一、比表面积大、流动性好、杂质元素K、Na含量≤1ppm、性能优异，通过控制高纯单晶仲钨酸铵原料的粒度组成，有利于控制后续紫钨、超细钨粉、超细碳化钨粉的形貌与均匀性，利用回转炉高温微还原高纯单晶仲钨酸铵制备高纯均相针状紫钨粉末工艺，操作简单等特点，反应过程中氨气替代氢气还原
高纯紫钨仲钨酸铵单晶制备针状杂质元素氨气还原形貌超细碳化钨原料预处理安全隐患超细钨粉粉末纯度粉末工艺结晶工艺粒度组成氢气还原原料制备源头控制总量控制氢气均匀性转炉替代

[发明专利]一种单晶硅的腐蚀液-CN201711278220.0在审
发明人：王世榕 -专利权人：南通海鑫信息科技有限公司
申请日： 2017-12-06 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本发明公开一种单晶硅的腐蚀液，按质量份数计包括以下组分：0.4份的二氟化氙、0.5份的氟化铵和100份的去离子水。该单晶硅的腐蚀液适用于腐蚀单晶硅或二氧化硅衬底上的单晶硅和多晶硅层，该腐蚀液的腐蚀速率快，可减少处理过程中的毒性。
单晶硅腐蚀液腐蚀多晶硅层二氟化氙二氧化硅去离子水氟化铵质量份衬底

[发明专利]一种碳纤维上多孔单晶纳米片TiN制备方法和用途-CN201410052395.X有效
发明人：周勇;陈亮;邹志刚 -专利权人：南京大学昆山创新研究院;南京大学
申请日： 2014-02-17 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：在碳纤维表面合成多孔单晶TiN纳米片结构阵列制备方法，包括以下两步骤：（1）钛酸四丁酯和氟钛酸铵均匀分散在质量百分比为18±2%的盐酸水溶液中；然后加入碳纤维，在170～200℃下进行18h～36h水热反应，在碳纤维表面合成单晶TiO₂纳米片阵列，最后依次洗涤、干燥；（2）将生长在碳纤维表面单晶TiO₂纳米片转化成多孔单晶TiN纳米片：将制备的样品放入管式炉内，氨气气氛中升温700～900℃，氨气的流量在100～250mL/min，时间为1～2h使TiO₂完全氮化成TiN；所述氟钛酸铵：钛酸四丁酯：盐酸溶液的质量比为1:2:100-300
一种碳纤维多孔纳米 tin 制备方法用途

[发明专利]一种具有低挥发性的太阳电池单晶硅制绒液及应用-CN201110321054.4有效
发明人：张楷亮;徐娟;袁育杰;王芳;吴小国 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2011-10-20 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：一种具有低挥发性的太阳电池单晶硅制绒液，由氢氧化钠或氢氧化钾、十六烷基三甲基溴化铵（CTMAB）、硅酸钠、异丙醇和水混合组成，制绒液中十六烷基三甲基溴化铵的质量百分比浓度大于0.5%；该制绒液用于太阳电池单晶硅片的制绒，步骤如下：1）首先对单晶硅片实施去损伤处理；2）将上述处理后的单晶硅片放入制绒液中,在水浴加热条件下进行制绒；3）取出单晶硅片，用去离子水清洗后晾干即可。本发明的优点：在碱性制绒液中加入CTMAB且其浓度大于0.5%时，增溶作用明显，且可有效降低异丙醇的挥发性，减少制绒过程中异丙醇的使用量，同时可进一步降低了溶液的表面张力，提高太阳电池单晶硅的制绒速度。
一种具有挥发性太阳电池单晶硅制绒液应用

[发明专利]晶面择优生长的单晶MoO₃锂离子电池正极材料的制备方法-CN201410788967.0有效
发明人：颜东亮;徐华蕊;朱归胜;张欢 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2014-12-19 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01M4/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶面择优生长的单晶MoO₃锂离子电池正极材料的制备方法，其特征在于：将收集好的甘蔗渣用去离子水清洗，烘干，再将所得甘蔗渣模板放入1-10％的钼酸铵水溶液中浸渍，甘蔗渣和钼酸铵水溶液的重量比为1-7∶93-99，待模板完全浸透后取出，并于60℃烘干；再将干燥后的吸附有钼酸铵的甘蔗渣模板在空气气氛中，控制温度400-600℃，煅烧时间2-5小时，得到MoO₃锂离子电池正极粉体材料本发明方法简单、成本低、环保性好，制备的晶面择优生长的单晶MoO₃_，单晶及择优生长材料可提高材料的电导性及改善其循环稳定性，具有很好的经济效益和社会效益，绿色环保
择优生长 moo sub 锂离子电池正极材料制备方法

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