专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种异质结MoO3-CN202210231634.2在审
  • 陶然;张新新;范晓星;王彦欣;肖永惠 - 辽宁大学
  • 2022-03-09 - 2022-06-07 - C25B11/091
  • 本发明公开了一种异质结MoO3/ZnO光电极薄膜的制备方法及其应用。将洗干净的导电玻璃(FTO)置于MoO3的丙酮溶液中,采用电泳沉积的方法得到MoO3薄膜。再将ZnO放入丙酮溶液中超声分散,将所得MoO3薄膜置于ZnO的丙酮溶液中,采用电泳沉积的方法在MoO3薄膜上叠加一层本发明制备的MoO3/ZnO光电极薄膜,用于提高MoO3光电极的光生电子传输能力,进而可以有效的提高光电化学性能,增强MoO3的抗光腐蚀能力。
  • 一种异质结moobasesub
  • [发明专利]一种同步制备物相纯α-MoO3-CN202011340567.5有效
  • 李光辉;孙虎;罗骏;姜涛;饶明军;张鑫;蒋昊;卜群真 - 中南大学
  • 2020-11-25 - 2021-11-16 - C01G39/02
  • 本发明涉及一种同步制备物相纯α‑MoO3和β‑MoO3的方法;属于钼化工品及冶金炉料生产制备技术领域。本发明以工业氧化钼或纯三氧化钼为原料,经焙烧产生三氧化钼蒸气,一部分钼蒸气在高温段冷却凝华,形成物相纯α‑MoO3层,另一部分钼蒸气经抽风穿过α‑MoO3层和中温段的陶瓷过滤器,在低温段凝华生产物相纯β‑MoO3。本发明利用钼蒸气缓冷生成的α‑MoO3层和多孔陶瓷共同构筑的过滤系统,显著降低了α‑MoO3在低温段的夹杂,实现了钼蒸气缓冷同步制备纯α‑MoO3和β‑MoO3物相组成的产品。
  • 一种同步制备物相纯moobasesub
  • [发明专利]一种SERS用的基于银修饰MoO3-x-CN202010008857.3在审
  • 汪家炜;顾辰杰;周灿梁;牛志强 - 宁波大学
  • 2020-01-06 - 2020-05-19 - G01N21/65
  • 本发明公开了一种SERS用的基于银修饰MoO3‑x的多层结构,在硅基底表面采用多步旋涂法旋涂MoO3‑x溶液,然后退火干燥形成MoO3‑x层,在MoO3‑x层表面滴硝酸银溶液,采用紫外光照射还原银离子,以在MoO3‑x层的表面形成还原银层,MoO3‑x层和还原银层组成SERS层,以形成硅基底/SERS层的层状结构。MoO3‑x层对银纳米颗粒进行保护,避免银被空气中的氧气氧化和硫化物硫化,保证了银修饰MoO3‑x层的稳定性。MoO3‑x层刚制备完成时其表面部分能够充当还原剂,使得硝酸银转换成还原银,还原银配合残余的MoO3‑x层能够有效通过化学增强机理和电磁增强机理的协作效应对拉曼光谱进行增强
  • 一种sers基于修饰moobasesub
  • [发明专利]一种含Li2MoO3涂层正极片的制备方法-CN201610619940.8在审
  • 肖丽芳;钟玲珑 - 肖丽芳
  • 2016-07-31 - 2017-09-22 - H01G11/06
  • 本发明提供一种含Li2MoO3涂层正极片的制备方法。包括以下几个步骤步骤(1)将Li2CO3和MoO3混合,混合均匀后放入马弗炉内反应,反应结束后得到Li2MoO4材料;步骤(2)将得到Li2MoO4放入氢氮混合气气氛保护的马弗炉内反应,反应结束后得到Li2MoO3材料;步骤(3)将Li2MoO3材料、导电剂、粘结剂加入到NMP中混合成浆料,然后涂覆在含有活性材料正极片上,烘干后得到含有Li2MoO3涂层正极片。本发明具有如下有益效果(1)含有Li2MoO3涂层的正极片为锂离子超级电容器的正极使负极不需要再加入锂片或者复杂的预嵌锂工艺,简化了制备工艺,降低了成本。
  • 一种li2moo3涂层正极制备方法
  • [发明专利]具有安培级电流密度析氢性能的Mo/MoO2-CN202110054455.1有效
  • 刘友文;温群磊;翟天佑 - 华中科技大学
  • 2021-01-15 - 2022-02-15 - C25B11/091
  • 本发明公开了一种具有安培级电流密度析氢性能的Mo/MoO2面内异质结的制备,包括以下步骤:(1)前驱体MoO2纳米片的制备:将原料MoO3粉末在氢气与惰性载气的混合气氛下于800~1000℃进行焙烧,得到前驱体MoO2纳米片;(2)将前驱体MoO2纳米片在混合气氛下于400~700℃进行焙烧,得到MoO2/Mo面内结材料。本发明通过对制备方法的反应机理、整体流程工艺设计等进行改进,利用两步分阶段的焙烧还原,可以由商业MoO3粉末原料制备得到MoO2/Mo面内结材料,制备方法简单可控,得到的Mo/MoO2面内异质结材料富有褶皱结构,作为电催化制氢催化剂应用时,具有安培级的电催化反应活性。
  • 具有安培电流密度性能momoobasesub
  • [发明专利]一种三氧化钼纳米棒的制备方法-CN201310022362.6有效
  • 邹友生;张亦弛;汪海鹏;楼东;董宇辉;窦康 - 南京理工大学
  • 2013-01-18 - 2013-05-08 - C30B29/16
  • 本发明是一种正交晶系MoO3纳米棒的制备方法。取向生长的α-MoO3纳米棒具有良好的场电子发射性能,较低的阈值电场,可广泛应用于场发射显示器件、超级电容及电化学能量存储装置等。本发明采用两步扩散脉冲激光沉积技术,以α-MoO3为靶材,在硅衬底上沉积正交晶系MoO3纳米棒,所沉积的MoO3纳米棒具有密度高、直径小。首先通过传统的脉冲激光烧蚀在基片上沉积一层薄的MoO3籽晶层,然后将样品反转,用扩散脉冲激光沉积方法在籽晶层上进一步生长均一的MoO3纳米棒。本发明能够在无催化剂的条件下制备高结晶度、低缺陷密度的单晶MoO3纳米棒阵列,制备工艺简单、容易控制、重复性好、绿色环保。
  • 一种氧化钼纳米制备方法
  • [发明专利]MoO3-CN202111025571.7有效
  • 张炳森;牛一鸣;普颖慧 - 中国科学院金属研究所
  • 2021-09-02 - 2022-08-02 - B01J23/652
  • 本发明公开了一种MoO3载体包裹贵金属纳米粒子催化剂及其制备方法,属于负载型金属催化剂技术领域。催化剂为NM@MoO3,NM为Pd、Pt等贵金属颗粒。在水热条件下,利用钼酸钠和浓硝酸制备MoO3纳米材料,通过浸渍法分别将贵金属盐负载到MoO3载体上,在空气气氛下退火处理后得到NM/MoO3催化剂,然后经超声波处理,贵金属被载体MoO3均匀包裹,得到NM@MoO3MoO3负载贵金属包裹型催化剂涉及一种纳米催化材料,制备过程简单,原料易得,在多相催化领域的发展具有广阔的前景。
  • moobasesub
  • [发明专利]一种少层MoS2薄膜的制备方法-CN201710287984.X在审
  • 许婷婷;刘云云 - 郑州大学
  • 2017-04-27 - 2017-07-07 - C23C16/455
  • 本发明提供了一种少层MoS2薄膜的制备方法,以MoO3粉末和S粉末为前驱体,双温区管式炉为设备,具体步骤如下(1)MoO3薄膜的沉积将MoO3粉末置于石英舟一端,基底倒扣并置于石英舟另一端,通入惰性气体,对MoO3进行加热,在基底上得到MoO3薄膜;(2)将步骤(1)制备的MoO3薄膜和S粉末分别放于双温区管式炉的两个温区,通入惰性气体,加热MoO3薄膜和S粉末,完成MoO3薄膜的硫化,制备得到MoS2
  • 一种mos2薄膜制备方法

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