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[发明专利]金属互连结构及其形成方法-CN201910413328.9在审
发明人：孙祥烈;吕术亮;马亮;李远;黄驰;万先进 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种形成金属互连结构的方法，包括以下步骤：沉积第一金属层；在第一金属层的连接区沉积氮化钽层，并使氮化钽层的表面上的至少部分氮化钽为体心立方结构；在氮化钽层的表面沉积钽层，钽层中的金属钽为α相钽；以及在钽层上沉积第二金属层。
氮化钽层钽层沉积金属互连结构第一金属层体心立方结构第二金属层表面沉积氮化钽金属钽连接区

[发明专利]一种强韧耐磨的梯度金属陶瓷复合多层涂层及其制备方法-CN202310220876.6在审
发明人：张侃;张文韬;周陶;文懋;郑伟涛 -专利权人：吉林大学
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种强韧耐磨的梯度金属陶瓷复合多层涂层及其制备方法，所述涂层包括多层纳米晶金属钽层和多层陶瓷硼化钽层，所述纳米晶金属钽层和所述陶瓷硼化钽层交替设置，不同位置处所述纳米晶金属钽层的厚度和所述陶瓷硼化钽层的厚度不同并形成梯度结构本发明采用上述的一种强韧耐磨的梯度金属陶瓷复合多层涂层，在磁控溅射方法下通过控制溅射时间调控不同位置处纳米晶金属钽层和陶瓷硼化钽层的占比，实现了在保留传统金属陶瓷复合多层涂层优点的同时克服了其硬度显著下降的缺点
一种强韧耐磨梯度金属陶瓷复合多层涂层及其制备方法

[实用新型]一种一体化超高压片式钽电容器-CN202123031604.7有效
发明人：郑传江;胡鑫利;敬通国;龙继云;熊远根;刘兵;李美霞 -专利权人：中国振华（集团）新云电子元器件有限责任公司（国营第四三二六厂）
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01G9/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种一体化超高压片式钽电容器，包括钽芯A、钽芯B和金属框架本体，钽芯B底部通过导电层固定在金属框架本体上，导电层与金属框架本体底部的阳极槽B电性连接，金属框架本体与钽芯A之间设有绝缘层，且钽芯A尾段通过导电块固定在金属框架本体底部,阳极槽B连接钽芯A的阳极钽丝，钽芯B的阳极钽丝连接至阳极槽A。本实用新型通过优化设计金属框架本体，简化了超高压片式钽电容器的结构，提高了空间利用率，并使其额定电压得到提高。
一种一体化超高压片钽电容

[发明专利]一种带底电极的硅基钽酸锂单晶薄膜衬底及其制备方法和应用-CN201911081884.7有效
发明人：欧欣;鄢有泉;黄凯;赵晓蒙;李忠旭;陈阳;游天桂 -专利权人：上海新硅聚合半导体有限公司
申请日： 2019-11-07 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种带底电极的硅基钽酸锂单晶薄膜衬底及其制备方法和应用。本发明通过采用一不带底电极的硅基钽酸锂单晶薄膜衬底，包含硅支撑层和钽酸锂单晶薄膜层，其中硅支撑层预先经离子注入处理；先在该衬底薄膜层表面生长一金属层，然后将该金属层与表面沉积金属的氧化硅衬底的金属层键合，其中氧化硅衬底的金属层在氧化硅层表面；最后经过硅的离子剥离及后续抛光，间接地将钽酸锂单晶薄膜和金属层转移至氧化硅衬底上，从而形成带底电极的硅基钽酸锂单晶薄膜衬底。本发明避免了直接剥离钽酸锂并转移其薄膜和金属层至沉积了金属的氧化硅衬底表面的热失配风险，该方法可为高响应度的钽酸锂热释电红外探测器的制备提供厚度定制化的薄膜衬底。
一种电极硅基钽酸锂单晶薄膜衬底及其制备方法应用

[实用新型]一种金属封装结构片式钽电容器-CN201520749978.8有效
发明人：钱武香;毛云武;李俊伟;赖雨春 -专利权人：株洲宏达电子股份有限公司
申请日： 2015-09-25 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： H01G9/08 文献下载
摘要：一种金属封装结构片式钽电容器，采用金属封装结构，在钽芯片外包裹一层粘结导电胶，再在粘结导电胶外包裹一层金属外壳；同时，在钽芯片的一头连接有钽丝，钽丝又通过钽丝引出线引出到金属外壳外，形成金属封装结构片式钽电容器所述的钽丝与钽丝引出线是通过焊接连接起来的，且钽丝与钽丝引出线的焊接点位于金属外壳的内面，在钽丝与钽丝引出线的焊接点外套有绝缘块，绝缘块与钽芯片之间，以及绝缘块外部也都包裹有粘结导电胶，使得钽芯片和钽丝与钽丝引出线
一种金属封装结构钽电容

[实用新型]一种钽丝测波装置-CN201620537580.2有效
发明人：马昕;付鹏举;王伟成 -专利权人：中国海洋大学
申请日： 2016-06-06 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： G01C13/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种钽丝测波装置，主要用于观测波浪的室内实验。钽丝测波装置包括钽丝、金属支撑架和电路模块，钽丝包括金属钽和包裹在金属钽表面的氧化绝缘层，金属支撑架连接钽丝的两端，钽丝的氧化绝缘层与金属支撑架连接，金属钽和金属支架均与电路模块电连接。由于钽丝的氧化绝缘层具有良好的耐蚀性、绝缘性、高介电常数（25‑40），本实用新型利用其高介电常数这一特性，当导电介质（水）与钽丝的接触面积不同，测波装置输出的电性能会有明显变化，通过采集该电性能信号，
一种钽丝测波装置

[发明专利]电容构造及其制作方法-CN201310046969.8有效
发明人：钟旻华;周泽川;唐和明;杨秉丰 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2013-02-08 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明公开一种电容构造及其制作方法，所述电容构造包含一第一金属层、一钽金属层、一复合材料层及一第二金属层。所述钽金属层设于所述第一金属层上；所述复合材料层设于所述钽金属层上；以及所述第二金属层设于所述复合材料层上。所述复合材料层包含五氧化二钽基材，并掺杂有二氧化钛复合材料颗粒。本发明通过一阳极氧化处理使所述钽金属层上形成一钽金属氧化层，再利用一钛塩溶液以及通过一加热过程形成所述复合材料层，以作为所述电容构造的介电材料层。
电容构造及其制作方法

[发明专利]金属结构及其制作方法与应用的显示面板-CN201711373560.1有效
发明人：王硕宏;林俊男;吴佳聪;郭吉庭;李格睿;李家宏;张家铭 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2017-12-19 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：金属结构包括图案化钼钽氧化物层以及图案化金属层。图案化钼钽氧化物层设置于一第一基板上，其中该图案化钼钽氧化物层中钽的原子百分比含量约介于2％至12％之间，钼的原子百分比含量与氧的原子百分比含量都大于钽的原子百分比含量。图案化金属层设置于该图案化钼钽氧化物层上。
原子百分比钽氧化物层图案化图案化金属层金属结构第一基板显示面板制作应用

[发明专利]一种金属封装结构片式钽电容器及其封装方法-CN201510931212.6在审
发明人：李春花 -专利权人：青岛祥智电子技术有限公司
申请日： 2015-12-13 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： H01G9/15 文献下载
摘要：一种金属封装结构片式钽电容器及其封装方法，采用金属封装结构，在钽芯片外包裹一层粘结导电胶，再在粘结导电胶外包裹一层金属外壳；同时，在钽芯片的一头连接有钽丝，钽丝又通过钽丝引出线引出到金属外壳外，形成金属封装结构片式钽电容器所述的钽丝与钽丝引出线是通过焊接连接起来的，且钽丝与钽丝引出线的焊接点位于金属外壳的内面，在钽丝与钽丝引出线的焊接点外套有绝缘块，绝缘块与钽芯片之间，以及绝缘块外部也都包裹有粘结导电胶，使得钽芯片和钽丝与钽丝引出线
一种金属封装结构钽电容及其方法

[发明专利]一种金属封装结构片式钽电容器及其封装方法-CN201610857265.2在审
发明人：盖浩然 -专利权人：青岛东浩软件科技有限公司
申请日： 2016-09-27 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： H01G9/012 文献下载
摘要：一种金属封装结构片式钽电容器及其封装方法，采用金属封装结构，在钽芯片外包裹一层粘结导电胶，再在粘结导电胶外包裹一层金属外壳；同时，在钽芯片的一头连接有钽丝，钽丝又通过钽丝引出线引出到金属外壳外，形成金属封装结构片式钽电容器所述的钽丝与钽丝引出线是通过焊接连接起来的，且钽丝与钽丝引出线的焊接点位于金属外壳的内面，在钽丝与钽丝引出线的焊接点外套有绝缘块，绝缘块与钽芯片之间，以及绝缘块外部也都包裹有粘结导电胶，使得钽芯片和钽丝与钽丝引出线
一种金属封装结构钽电容及其方法

[发明专利]一种金属封装结构片式钽电容器及其封装方法-CN201510619622.7有效
发明人：钱武香;毛云武;李俊伟;赖雨春 -专利权人：株洲宏达电子股份有限公司
申请日： 2015-09-25 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01G9/08 文献下载
摘要：一种金属封装结构片式钽电容器及其封装方法，采用金属封装结构，在钽芯片外包裹一层粘结导电胶，再在粘结导电胶外包裹一层金属外壳；同时，在钽芯片的一头连接有钽丝，钽丝又通过钽丝引出线引出到金属外壳外，形成金属封装结构片式钽电容器所述的钽丝与钽丝引出线是通过焊接连接起来的，且钽丝与钽丝引出线的焊接点位于金属外壳的内面，在钽丝与钽丝引出线的焊接点外套有绝缘块，绝缘块与钽芯片之间，以及绝缘块外部也都包裹有粘结导电胶，使得钽芯片和钽丝与钽丝引出线
钽丝钽丝引出线金属封装结构片式钽电容器金属外壳导电胶绝缘块芯片粘结封装焊接连接焊接点点位内面焊接外部

[实用新型]混合型全钽非固体电解质钽电容器-CN201520417642.1有效
发明人：路晓燕;伏鑫 -专利权人：北京七一八友益电子有限责任公司
申请日： 2015-06-16 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： H01G11/30 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种混合型全钽非固体电解质钽电容器，包括：金属钽外壳，其内设有绝缘垫；全钽玻璃粉绝缘子，封装在金属钽外壳上；具有介质层的阳极钽块，设在金属钽外壳内的绝缘垫上，通过绝缘垫与金属钽外壳之间绝缘；阴极，为在金属钽外壳内壁上涂覆的二氧化钌复合膜层；工作电解液，填充在金属钽外壳内的阳极钽块与阴极之间的空间内；阴极引出线，固定在金属钽外壳上，与该金属钽外壳电气连接；阳极引出线，固定在阳极钽块上并穿出至金属钽外壳和全钽玻璃粉绝缘子外同时，内部空间的增大避免了因采用高比容钽粉、降低形成电压等方式增大体积比电容量带来的产品电性能及可靠性降低。
混合型全钽非固体电解质钽电容

[发明专利]制造氮化钽隔离层的方法与金属栅极堆-CN201610683007.7有效
发明人：洪奇成;王喻生;陈文成;魏浩涵;钟明锦;郑志成 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-08-18 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明揭露一种制造氮化钽隔离层的方法及金属栅极堆。制造用于超低临界电压半导体装置的氮化钽隔离层的方法包含：形成一高介电常数介电层于一半导体基材上。接着，形成一氮化钽隔离层于该高介电常数介电层上，其中该氮化钽隔离层具有一钽氮比(Ta:N)介于1.2至3之间。再来，沉积多个第一金属栅极于该氮化钽隔离层上，并且图案化位于该于该氮化钽隔离层上的该多个第一金属栅极。最后，形成一第二金属栅极于该氮化钽隔离层上。氮化钽隔离层的钽氮比可精准调整，且氮化钽隔离层抑制不同层间物质扩散，介电泄滞的情况大幅减少。
制造氮化隔离方法金属栅极

[发明专利]一种双电层电容器电极材料及其制备方法-CN201310232735.2有效
发明人：彭伟;袁益;刘建清 -专利权人：株洲日望电子科技股份有限公司
申请日： 2013-06-13 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01G11/30 文献下载
摘要：一种双电层电容器电极材料及其制备方法，所述的双电层电容器电极材料为高能钽混合电容器阴极片，为以钽基二氧化钌（RuO2）为基体的复合材料阴极片；所述复合材料阴极片包括基础钽片，在钽片的表面覆盖有一层由氧化钌和氧化钽与其它金属氧化物混合形成的多种金属氧化物层；所述的多种金属氧化物层是氧化钌、氧化钽和活性炭与氧化铜、氧化钾、氧化锰中一种以上多金属氧化物混合的，且通过化学浸渍处理所形成的多金属氧化物层。
一种双电层电容器电极材料及其制备方法

[发明专利]GaN基增强型MOS-HEMT器件及其制备方法-CN201710509569.4有效
发明人：张有润;刘程嗣;刘影;庞慧娇;胡刚毅;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-06-28 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种GaN基增强型MOS‑HEMT器件及其制备方法，从下至上依次包括：Si衬底、GaN层、AlGaN层、钝化层、处于栅下AlGaN层中由金属钽与AlGaN层反应生成的合金化合物，合金化合物上侧覆盖有氧化钽栅介质层，金属钽与AlGaN层反应生成的合金化合物是通过在氮气环境下高温退火使氧化钽栅介质层下的AlGaN层上表面部分与钽金属反应生成的，产生类似栅槽刻蚀的作用从而实现增强型HEMT，合金化合物生成后剩余的钽金属在氧气环境高温氧化生成氧化钽栅介质层，形成氧化钽栅介质的MOS‑HEMT；本发明避免了高精度干法刻蚀GaN基材料的复杂工艺，避免了等离子刻蚀栅凹槽过程对晶格造成损伤，具有简化工艺、可操作性高、提高器件性能等特点。
gan 增强 mos hemt 器件及其制备方法

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