[发明专利]氧化锌系半导体晶体的制造方法有效

申请号：	200780030699.4	申请日：	2007-06-22
公开（公告）号：	CN101506959A	公开（公告）日：	2009-08-12
发明（设计）人：	大道浩儿;贝渊良和;藤卷宗久;吉川明彦	申请（专利权）人：	株式会社藤仓;国立大学法人千叶大学
主分类号：	H01L21/363	分类号：	H01L21/363;C23C14/08;C23C14/32;C30B23/08;C30B29/16
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地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
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摘要：	一种氧化锌系半导体晶体的制造方法，用于至少使锌和氧到达基板表面，在该基板上生长氧化锌系半导体晶体，在1×10^-4Torr以下的真空气氛中，将上述锌的一部分或全部离子化，并使其到达上述基板表面，生长氧化锌系半导体晶体。结果，可提供能够生长晶体的生长速度快、生长表面平坦性和结晶性良好，并且晶体内的杂质极少的氧化锌系半导体晶体的氧化锌系半导体晶体的制造方法。
搜索关键词：	氧化锌半导体晶体制造方法
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【主权项】：

1. 一种氧化锌系半导体晶体的制造方法，包括至少使锌和氧到达基板表面，在该基板上生长氧化锌系半导体晶体的步骤，其特征在于，在1×10-4Torr以下的真空气氛中，将所述锌的一部分或全部离子化，并使其到达所述基板表面，来生长氧化锌系半导体晶体。

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摘要：本发明提供一种具有更稳定的导电性的氧化物半导体膜。此外，通过使用氧化物半导体膜来提供具有稳定的电特性及高可靠性的半导体装置。氧化物半导体膜包括结晶区域，且结晶区域包括a-b面与膜的表面实质上平行且c轴与膜的表面实质上垂直的晶体；氧化物半导体膜具有稳定的导电性且相对于可见光、紫外线光等的照射更电稳定。通过将这种氧化物半导体膜用于晶体管，可以提供具有稳定的电特性的可靠性高的半导体装置。

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摘要：一种半导体器件的制造方法，包括形成氧化物半导体薄膜层(3)，所述氧化物半导体薄膜层(3)主要包括具有至少一个不同于(002)取向的取向的氧化锌。该氧化锌可以具有包括(002)取向和(101)取向的混合取向。可选地，该氧化锌可以具有包括(100)取向和(101)取向的混合取向。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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[发明专利]氧化锌系半导体晶体的制造方法有效

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