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- [发明专利]静电保护电路-CN202210374149.0在审
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薛战;许杞安
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长鑫存储技术有限公司
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2022-04-11
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2023-10-24
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H01L27/02
- 本公开实施例提供了一种静电保护电路，所述静电保护电路设置于电源焊盘和接地焊盘之间，该电路包括：监控电路，用于在所述电源焊盘上有静电脉冲时生成触发信号；泄放晶体管，连接在所述电源焊盘和所述接地焊盘之间，用于在所述触发信号的控制下进行开启，以将静电放电电荷泄放至所述接地焊盘；延时电路，其输入端连接所述监控电路的输出端，其输出端连接所述泄放晶体管的控制端，用于在第一状态下对所述静电保护电路进行延时处理，在第二状态下使所述泄放晶体管关闭。
- 静电保护电路
- [发明专利]静电保护器件-CN202110808125.7有效
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许杞安
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长鑫存储技术有限公司
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2021-07-16
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2023-10-24
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H01L27/02
- 本申请提供一种静电保护器件，涉及半导体技术领域。该静电保护器件包括第一P型重掺杂区、第一N型重掺杂区、第二N型重掺杂区、第二P型重掺杂区和第三N型重掺杂区；第一P型重掺杂区和第一N型重掺杂区位于P阱内，第二P型重掺杂区和第三N型重掺杂区位于第一N阱内，第二N型重掺杂区一部分位于P阱内，另一部分位于第一N阱内，P阱和第一N阱邻接且均位于P型衬底内；P型衬底上设有栅极结构，栅极结构、第一N型重掺杂区和第二N型重掺杂区形成晶体管。随着静电电流的增大，第二P型重掺杂区与P阱所形成的PN结先击穿，即晶体管先导通，将部分静电电流泄放出去，从而降低了静电保护器件的触发电压，提高了静电保护器件的防护能力。
- 静电保护器件
- [发明专利]静电保护器件-CN202110808153.9有效
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许杞安
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长鑫存储技术有限公司
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2021-07-16
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2023-10-13
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H01L27/02
- 本申请提供一种静电保护器件，涉及半导体技术领域。该静电保护器件的第一P型重掺杂区和第一N型重掺杂区位于P阱内，第二P型重掺杂区和第三N型重掺杂区位于第一N阱内，第二N型重掺杂区部分位于P阱内，部分位于第一N阱内，P阱和第一N阱位于P型衬底内；P型衬底上设有栅极结构，栅极结构、第一N型重掺杂区和第二N型重掺杂区形成晶体管，第一N型重掺杂区和栅极结构连接第一电压，第二N型重掺杂区和第二P型重掺杂区连接第二电压。随着静电电流增大，第二P型重掺杂区与P阱所形成的PN结先击穿，晶体管导通，通过第二电压抬高第二N型重掺杂区的电压，加快晶体管导通，将部分静电电流泄放出去，从而降低触发电压，提高防护能力。
- 静电保护器件
- [发明专利]静电保护电路-CN202010395921.8有效
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许杞安
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长鑫存储技术有限公司
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2020-05-12
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2023-10-13
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H01L27/02
- 本发明涉及一种静电保护电路，用于保护内部电路，包括：第一电路，连接于电源焊盘和输入焊盘之间，用于泄放第一静电电流；第二电路，连接于输入焊盘和接地焊盘之间，用于泄放第二静电电流；第三电路，连接于电源焊盘和输入焊盘之间，用于泄放第三静电电流；第四电路，连接于电源焊盘和接地焊盘之间，用于泄放第四静电电流；第五电路，连接于输入焊盘和接地焊盘之间，用于泄放第五静电电流；第六电路，连接于接地焊盘和电源焊盘之间，用于泄放第六静电电流。本发明的静电保护电路在不触发内部电路的前提下，实现了对静电电流进行快速地泄放，从而既不影响内部电路的正常功能，同时又提供了较强的静电保护能力。
- 静电保护电路
- [发明专利]静电防护电路-CN202210224399.6在审
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许杞安
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长鑫存储技术有限公司
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2022-03-07
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2023-09-19
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H02H9/04
- 本申请提供一种静电防护电路，芯片包括第一焊盘以及第二焊盘，静电防护电路包括：触发单元和泄放晶体管，触发单元连接于第一焊盘和第二焊盘之间，其设有触发端，用于在第一焊盘上有静电脉冲时生成触发信号，第一焊盘连接第一电压，第二焊盘连接第二电压，第一电压大于第二电压。泄放晶体管的第一端与第一焊盘连接，第二端与第二焊盘连接，在触发信号的触发下将静电电荷泄放至第二焊盘。由于当第一焊盘上有静电脉冲时，泄放晶体管的衬底端电压也会被抬高，通过将泄放晶体管的衬底端电压拉至第一电压或第二电压，使得泄放晶体管的衬底端的寄生晶体管无法导通，静电防护电路存在闩锁效应的风险降低，可靠性更高。
- 静电防护电路
- [发明专利]晶圆测试结构及其制作方法、晶圆-CN202110779761.1有效
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汪海;许杞安
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长鑫存储技术有限公司
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2021-07-09
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2023-09-15
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H01L23/544
- 本申请提供一种晶圆测试结构及其制作方法、晶圆，涉及半导体技术领域，用于解决晶圆测试结构所占用空间较大的技术问题，该晶圆测试结构包括：多个待测电阻、第一测试垫和多个第二测试垫；其中，多个待测电阻层叠设置，且相邻的两个待测电阻之间设置有绝缘层；多个待测电阻的第一端分别与第一测试垫电连接，多个待测电阻与多个第二测试垫一一对应，且每个待测电阻的第二端电连接相对应的一个第二测试垫。通过将各待测电阻的一端共接，将各待测电阻的另一端分别引出并连接第二测试垫，使得各待测电阻共用一个第一测试垫，在保证各待测电阻可以正常测量的基础上，减少了第一测试垫和第二测试垫的总数量，从而减少了测试结构所占用的空间。
- 测试结构及其制作方法晶圆
- [发明专利]闩锁测试结构-CN202110902708.6在审
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许杞安
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长鑫存储技术有限公司
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2021-08-06
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2023-04-04
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H01L23/544
- 本发明涉及一种闩锁测试结构，包括：第一导电类型的衬底；第二导电类型的第一阱区，位于第一导电类型的衬底内；第一导电类型的第一掺杂区，位于第二导电类型的第一阱区内；第二导电类型的第一掺杂区，位于第二导电类型的第一阱区内；于第一导电类型的衬底内间隔排布的第一导电类型的第二掺杂区、第二导电类型的第二掺杂区、第一导电类型的第三掺杂区及第二导电类型的第三掺杂区，第一导电类型的第二掺杂区、第二导电类型的第二掺杂区、第一导电类型的第三掺杂区及第二导电类型的第三掺杂区均位于第一导电类型的第一掺杂区远离第二导电类型的第一掺杂区一侧。上述闩锁测试结构可在一定外界条件下触发闩锁，以提取电学参数，改善半导体结构设计。
- 测试结构
- [发明专利]闩锁测试结构-CN202110903890.7在审
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许杞安
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长鑫存储技术有限公司
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2021-08-06
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2023-04-04
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H01L23/544
- 本发明提供一种闩锁测试结构，包括：第一导电类型的衬底；第一导电类型的第一阱区，位于第一导电类型的衬底内；第一导电类型的第一掺杂区，位于第一导电类型的第一阱区内；第二导电类型的第一掺杂区，位于第一导电类型的第一阱区内；于第一导电类型的衬底内间隔排布的第一导电类型的第二掺杂区、第二导电类型的第二掺杂区、第一导电类型的第三掺杂区及第二导电类型的第三掺杂区，第一导电类型的第二掺杂区、第二导电类型的第二掺杂区、第一导电类型的第三掺杂区及第二导电类型的第三掺杂区均位于第二导电类型的第一掺杂区远离第一导电类型的第一掺杂区的一侧。上述闩锁测试结构可在一定外界条件下触发闩锁，以提取电学参数，改善半导体结构设计。
- 测试结构
- [发明专利]静电保护电路和静电保护结构-CN202110955199.3在审
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许杞安
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长鑫存储技术有限公司
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2021-08-19
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2023-02-21
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H01L27/02
- 本公开提供一种静电保护电路、静电保护结构。静电保护电路包括第一子电路，第一子电路包括：第一触发电路，包括第一二极管和第二二极管；第二触发电路，包括第三二极管和晶体管；可控硅电路，包括PNP型三极管和NPN型三极管；其中，第一二极管的正极连接静电保护电路的阳极，第一二极管的负极连接第二二极管的正极，第二二极管的负极连接静电保护电路的阴极；第三二极管的正极连接阳极，第三二极管的负极电连接晶体管的漏极，晶体管的源极和栅极连接阴极；PNP型三极管的发射极连接阳极，NPN型三极管的发射极连接阴极。本公开实施例的静电保护电路和静电保护结构具有更高的静电保护能力和更小的制造尺寸。
- 静电保护电路结构
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