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[发明专利]存储单元、形成存储单元的方法以及操作存储单元的方法-CN201310050079.4有效
发明人： W.阿勒斯;M.耶弗雷莫夫;J.奥特斯泰特;C.彼得斯;R.韦斯纳 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2013-02-08 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明公开了存储单元、形成存储单元的方法以及操作存储单元的方法。提供一种存储单元，所述存储单元包括：第一二端存储元件；第二二端存储元件；控制器电路，其被配置成将所述第一二端存储元件编程至一个或多个状态并将所述第二二端存储元件编程至一个或多个状态，其中所述第一二端存储元件的状态和所述第二二端存储元件的状态相互依赖；以及测量电路，其被配置成测量与所述第一二端存储元件的状态相关联的第一二端存储元件信号和与所述第二二端存储元件的状态相关联的第二二端存储元件信号之间的差信号。
存储单元形成方法以及操作

[发明专利]存储方法和装置及其存储系统-CN201710046893.7在审
发明人：杨孝平 -专利权人：中国移动通信集团四川有限公司;中国移动通信集团公司
申请日： 2017-01-22 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： G06F11/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种存储方法和装置及其存储系统。该方法包括：创建第一虚拟存储单元，第一虚拟存储单元与第一存储设备中的第一存储单元相对应；创建第二虚拟存储单元，第二虚拟存储单元与第二存储设备中的第二存储单元相对应；以及通过第一虚拟存储单元或第二虚拟存储单元访问对应的第一存储单元或第二存储单元，其中第一虚拟存储单元与第二虚拟存储单元具有相同的存储单元标识。该存储方法能够实现完全基于存储设备的底层存储数据双活并且零切换时间的技术效果。
虚拟存储单元存储单元存储设备第二存储单元方法和装置存储存储系统存储数据技术效果创建访问

[发明专利]一种适用于声纳系统的自解释的数据储存结构-CN201010140618.X无效
发明人：刘维;刘纪元;黄海宁;张春华 -专利权人：中国科学院声学研究所
申请日： 2010-03-29 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： G01S7/52 文献下载
摘要：本发明涉及一种适用于声纳系统的自解释的数据储存结构，所述的数据储存结构包括：结构体数据块存储结构或声纳数据块存储结构；两种存储结构还包含数据描述存储单元和数据存储单元：所述的数据描述存储单元包含：数据头起始标志子存储单元、类型子存储单元、字节数子存储单元、数据说明子存储单元和数据头结束标志子存储单元；所述的声纳数据块存储结构的数据存储单元包含：维数子存储单元、各维大小子存储单元、数据子存储单元；所述的结构体数据块存储结构的数据存储单元包含：结构体域个数子存储单元、域名数组子存储单元、n个连续数据子存储单元。本发明提出的方法可提高各种声纳数据的交互性，降低声纳数据存储和读取的复杂性。
一种适用于声纳系统解释数据储存结构

[发明专利]一种NOR flash存储器中存储单元修复的方法和装置-CN201910357590.6在审
发明人：刘言言;许梦;付永庆 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司;合肥格易集成电路有限公司
申请日： 2019-04-29 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：本发明提供了一种NOR flash存储器中存储单元修复的方法和装置，所述方法包括：访问存储单元，对比访问存储单元的字线地址与故障存储单元的字线地址，以及，获取故障存储单元字线的修复使能位，若访问存储单元的字线地址与故障存储单元的字线地址匹配，并且故障存储单元字线的修复使能位为1，通过字线选择器，从冗余字线替换存储单元中选择对应于故障存储单元的字线地址的冗余字线存储单元替换故障存储单元。本发明NOR flash存储器，实现了对存储单元字线方向上的替换修复，提升了对存储单元修复的效果，从而提高了NOR flash存储器出厂时的良率。
一种 nor flash 存储器存储单元修复方法装置

[发明专利]非易失性存储器件及其操作方法-CN202010348380.3在审
发明人：尹政昊;金世润;金真弘;水崎壮一郎;曹永真 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-04-28 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：提供了一种非易失性存储器件及其操作方法。该非易失性存储器件包括具有垂直堆叠结构的存储单元阵列、用于将编程电压施加到存储单元阵列的位线以及控制逻辑。存储单元阵列包括存储单元，每个存储单元包括半导体层的对应部分和电阻层的对应部分。存储单元包括未被选择的存储单元、补偿存储单元和被选择的存储单元。控制逻辑被配置为基于将第一电压施加到补偿存储单元、将第二电压施加到被选择的存储单元以及将第三电压施加到未被选择的存储单元，将调节后的编程电压施加到被选择的存储单元。由于补偿存储单元，与编程电压相比，调节后的编程电压可以下降。
非易失性存储器及其操作方法

[发明专利]多工位穿梭车调度方法及装置-CN202211359054.8有效
发明人：徐广嵚;蔡文杰;胡晓林;谷春光 -专利权人：浙江凯乐士科技集团股份有限公司
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： B65G1/04 文献下载
摘要：本申请公开了一种多工位穿梭车调度方法及装置，包括：立体仓库，所述立体仓库包括多个存储单元，每个所述存储单元设有多个货位，所述立体仓库中至少包括第一尺寸货物和第二尺寸货物，所述第一尺寸货物占用一个货位，所述第二尺寸货物占用至少两个货位；多工位穿梭车，用于在立体仓库中搬运货物；所述调度方法包括，获取作业任务列表，确定目标穿梭车空闲工位数量，根据目标穿梭车空闲工位数量确定目标作业任务的货物类型及数量，根据目标作业任务的货物类型及数量为所述目标穿梭车分配目标作业任务
多工位穿梭调度方法装置

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200710109090.8有效
发明人：西山伸泰 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2007-06-18 - 公布日： 2007-12-19 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件，其特征在于，具备：具有多个具有串联连接的电可改写的多个存储单元的存储单元单位的至少2个存储单元块；形成为大致矩形的闭环形状或大致U字型的开环形状、各环与相邻的2个存储单元块中的一方的存储单元块内的所述多个存储单元单位的规定的存储单元、和相邻的所述2个存储单元块中的另一方的存储单元块内的所述多个存储单元单位的规定的存储单元分别连接、选择所述2个存储单元块内的多个存储单元的多个单元栅；以及在所述存储单元块内形成于隔着所述多个单元栅的位置，用于选择所述存储单元块的多对第1、第2选择栅。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]随机存取存储器及其存储单元-CN200810112775.2有效
发明人：杨家奇;李智;张亚峰 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2008-05-26 - 公布日： 2009-12-02 - 主分类号： G11C19/00 文献下载
摘要：一种随机存取存储器及其存储单元，所述随机存取存储器包括：M级存储单元组，各级存储单元组分别包括N个存储单元，在第n控制信号有效时，从前1级存储单元组的第n+1个存储单元读出数据并写入后1级存储单元组的第n个存储单元；在第N控制信号有效时，从前1级存储单元组的第1个存储单元读出的数据写入后1级存储单元组的第N个存储单元；在第n或N控制信号有效时，输入数据写入第1级存储单元组的第n或N个存储单元，输出数据从最后1级存储单元组的第n+1或1个存储单元读出。所述随机存取存储器的电路结构得以简化，所述存储单元可以适应半导体工艺演进中芯片小尺寸的需求。
随机存取存储器及其存储单元

[发明专利]3D存储器件及其读取方法-CN202111332455.X在审
发明人：程婷;刘红涛;靳磊;赵向南;谢学准;夏仕钰;闵园园 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-01-06 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：公开了一种3D存储器件及其读取方法，3D存储器件包括多个存储单元串，每个存储单元串包括多个存储单元，每个存储单元串最顶部存储单元连接至顶部选择管，顶部选择管连接至位线，存储单元串最底部的存储单元连接至底部选择管，读取方法包括：根据编程顺序对一存储单元串的多个存储单元依次进行编程；对一个存储单元进行读取操作时，根据存储单元的编程顺序向存储单元串施加不同的位线电压。本申请根据存储单元的编程顺序调整向存储单元串施加不同的位线电压，先编程的存储单元在读取时采用较大的位线电压，增大存储单元串上的电流，从而减小BPD效应引起的Vt正向漂移及展宽以增加读窗口边距，降低读干扰的影响
存储器件及其读取方法

[发明专利]3D存储器件及其读取方法-CN202110013950.8有效
发明人：程婷;刘红涛;靳磊;赵向南;谢学准;夏仕钰;闵园园 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-01-06 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：公开了一种3D存储器件及其读取方法，3D存储器件包括多个存储单元串，每个存储单元串包括多个存储单元，每个存储单元串最顶部存储单元连接至顶部选择管，顶部选择管连接至位线，存储单元串最底部的存储单元连接至底部选择管，读取方法包括：根据编程顺序对一存储单元串的多个存储单元依次进行编程；对一个存储单元进行读取操作时，根据存储单元的编程顺序向存储单元串施加不同的位线电压。本申请根据存储单元的编程顺序调整向存储单元串施加不同的位线电压，先编程的存储单元在读取时采用较大的位线电压，增大存储单元串上的电流，从而减小BPD效应引起的Vt正向漂移及展宽以增加读窗口边距，降低读干扰的影响
存储器件及其读取方法

[发明专利]使用现有的备份装置作为附加的主存储器来解决写入压力-CN201511036301.0有效
发明人： I·维摩尔;S·D·斯马尔唐;M·马沙克;A·维普林斯基;A·董 -专利权人： EMC公司
申请日： 2015-12-28 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：用于解决写入压力的系统包括主存储单元、备份存储单元和处理器。主存储单元包括主存储单元输入缓冲器和大容量存储单元。备份存储单元包括备份存储单元输入缓冲器和大容量备份存储单元。处理器用于：在主存储单元输入缓冲器不能够存储第一输入数据集的情况下，在备份存储单元输入缓冲器中存储该第一输入数据集，以及在将来自主存储单元输入缓冲器的数据存储到大容量存储单元中之后，当空间可用时将该第一输入数据集传输到主存储单元输入缓冲器
使用现有备份装置作为附加主存储器解决写入压力

[发明专利]半导体NROM存储装置-CN200910056018.2有效
发明人：权彛振;柯罗特;董智刚;邱雷 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-08-06 - 公布日： 2011-03-23 - 主分类号： G11C17/08 文献下载
摘要：一种半导体NROM存储装置，包括：存储单元阵列，用于存储数据和指令，包括多个存储单元和设置在预定数目个存储单元之间的连接单元；寄存器，用于缓存接收的数据信息；操作单元，用于对所述存储单元阵列中的存储单元进行操作；控制单元，用于控制所述操作单元，按照预定的访问顺序并根据存储单元与所述连接单元的距离，对所述存储单元阵列的每个存储单元进行操作。本发明按照存储单元与连接单元的距离或者偏置电压，在每次对存储单元进行操作时，选择不同的存储单元作为初始单元，从而避免了以固定的存储单元作为初始单元导致其相较于其它存储单元更容易损坏，有利于保证存储装置的稳定性和寿命的延长
半导体 nrom 存储装置

[发明专利]一种存储单元的抗老化方法、装置和相关设备-CN202111673337.5在审
发明人：魏依苒;黄瑞锋;钱雅倩 -专利权人：海光信息技术股份有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种存储单元的抗老化方法、装置和相关设备，其中存储单元的抗老化方法，包括：确定目标存储单元；生成针对目标存储单元的交换指令；根据交换指令，控制目标存储单元与其他存储单元进行存储数据的交换，以通过不同存储单元之间存储数据的交换，实现目标存储单元存储数据的翻转，实现目标存储单元的抗老化。
一种存储单元老化方法装置相关设备

[发明专利]半导体存储器及其操作方法-CN200610142030.1无效
发明人： K·塞德尔;D·里希特 -专利权人：奇梦达闪存有限责任两合公司
申请日： 2006-09-30 - 公布日： 2007-04-04 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：一种对包含多个存储单元的半导体存储器进行操作的方法，其中各存储单元彼此相邻地设置，此配置以第一存储单元开始，并以最后的存储单元结束，每个存储单元具有第一侧和第二侧，各存储单元在存储单元的第一侧被一位线连接且在此存储单元的第二侧被另一位线连接，存储单元的第一侧与相邻存储单元的第二侧被连接到同一个位线，每个存储单元被同一个字线连接，此方法包含下列步骤：选择用来操作的存储单元，将第一电位施加到连接于设置在此存储单元的第一侧的各存储单元的所有位线，将第二电位施加到连接于设置在此存储单元的第二侧的各存储单元的所有位线，以及对此存储单元执行所希望的操作。
半导体存储器及其操作方法

[发明专利]存储器器件及动态误差监视和修复的方法-CN202110205516.X在审
发明人：野口纮希;林谷峰;王奕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-24 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： G11C29/42 文献下载
摘要：一种存储器器件包含：存储单元阵列，包括多个存储单元，多个存储单元包括包含第一数据存储单元的多个数据存储单元和包含第一备份存储单元的多个备份存储单元；存储装置，存储配置成记录多个数据存储单元中的误差的误差表，误差表包含多个误差表条目，每一误差表条目对应于多个数据存储单元中的一个且具有地址和故障计数；以及控制器，配置成基于误差表用第一备份存储单元替换第一数据存储单元。
存储器器件动态误差监视修复方法

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