专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]用于生成PUF特征码的装置-CN201910219229.7有效
  • 杨家奇 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
  • 2019-03-21 - 2023-06-02 - G06F21/73
  • 本发明提供一种用于生成PUF特征码的装置,该装置包括PUF阵列、控制单元、地址译码器和灵敏放大器,其中:PUF阵列包括多行多列PUF单元,每个PUF单元包括电阻器件,每行PUF单元连接一条字线,每列PUF单元连接一条位线并共享一个为电阻器件提供电流而产生输出电压的电流源,每个电阻器件的电阻值随工艺因素的变化而变化;控制单元接收输入地址信号,地址译码器基于输入地址信号选中PUF阵列中的各PUF单元,灵敏放大器获取被选中PUF单元的输出电压值,并基于PUF阵列中各PUF单元的输出电压值生成PUF特征码。本发明的用于生成PUF特征码的装置可以选自设备中固有的工作电路,在生成PUF特征码时具有较高的隐蔽性,且生成的PUF特征码能在满足高产性的同时具有较小尺寸。
  • 用于生成puf特征装置
  • [发明专利]一种快速培养好氧颗粒污泥并强化脱氮的方法-CN202211621252.7在审
  • 邹金特;杨家奇;俞风帆;蔡磊;李军 - 浙江工业大学
  • 2022-12-16 - 2023-05-30 - C02F3/30
  • 本发明公开了一种快速培养好氧颗粒污泥并强化脱氮的方法,该方法在序批式反应器中接种活性絮体污泥,选用聚氨酯海绵填料耦合污泥干化快速形成生物膜通过周期性大气泡曝气使生物膜脱落来促进好氧颗粒污泥的快速形成,同时通过好氧颗粒污泥耦合生物膜来强化污水脱氮效率。本发明选用聚氨酯海绵填料快速形成生物膜来降低悬浮污泥浓度,促使悬浮污泥在沉淀阶段近似于自由沉淀,实现对污泥的高效筛选;挂膜的聚氨酯海绵填料通过自然干化有效降低生物膜中水分含量,形成致密的生物膜结构;同时,对生物膜定期进行大气泡曝气,使经过自然干化的生物膜脱落产生碎片,原位提供污泥晶核,加速好氧颗粒污泥形成。
  • 一种快速培养颗粒污泥强化方法
  • [发明专利]用于生成PUF特征码的装置-CN201910189870.0有效
  • 杨家奇 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
  • 2019-03-13 - 2023-03-28 - G06F21/73
  • 本发明提供一种用于生成PUF特征码的装置,该装置包括PUF基本单元、模数转换器和计算单元,其中:PUF基本单元包括多个电阻器件和为电阻器件提供电流的电流源,多个电阻器件包括在待生成PUF特征码的设备中,每个电阻器件的电阻值随工艺因素的变化而变化;模数转换器获取每个电阻器件两端的模拟的电压值,并将每个电阻器件两端的模拟的电压值转换为数字的电压码值;计算单元基于电压码值确定多个电阻器件各自的电阻码值,计算电阻码值的均值,并基于每个电阻器件的电阻码值与均值的大小关系生成设备的PUF特征码。本发明的用于生成PUF特征码的装置可以选自设备中固有的工作电路,在生成PUF特征码时具有较高的隐蔽性,且生成的PUF特征码0/1均衡,安全性更高。
  • 用于生成puf特征装置
  • [实用新型]一种模拟开关-CN202222291512.0有效
  • 杨家奇 - 杰平方半导体(上海)有限公司
  • 2022-08-30 - 2023-02-17 - H03K17/16
  • 本实用新型提供一种模拟开关,通过第一PMOS管和第二PMOS管的偏置点相接,第一NMOS管和第二NMOS管的偏置点相接,使得模拟开关关闭时,第一PMOS管和第二PMOS管的衬底透过第三PMOS管接到最高电平,使得第一PMOS管和第二PMOS管可以完全关闭;第一NMOS管和第二NMOS管的衬底透过第三NNMOS管接到最低电平,使得第一NMOS管和第二NMOS管完全关闭,从而解决了输出端串扰输入端造成的漏电风险;还使得模拟开关导通时,第一PMOS管的源极和衬底短接,第二PMOS管的源极和衬底短接,第一NMOS管的源极和衬底短接,第二NMOS管的源极和衬底短接,从而使得第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管均没有出现偏置效应,解决了因衬底偏置效应产生的问题。
  • 一种模拟开关
  • [实用新型]一种开关电路-CN202222365142.0有效
  • 杨家奇 - 杰平方半导体(上海)有限公司
  • 2022-09-06 - 2023-01-06 - H03K17/16
  • 本实用新型提供一种开关电路,开关电路的第一PMOS管的源极和衬底、第二PMOS管的源极和衬底、第四PMOS管的衬底和第三PMOS管的漏极均连接在第一节点处,第一NMOS管的源极和衬底、第二NMOS管的源极和衬底、第四NMOS管的衬底和第三NMOS管的漏极均连接在第二节点处,使得开关电路关闭时第一NMOS管、第二NMOS管、第四NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管和第四PMOS管可以完全关闭,从而解决了输出端串扰输入端造成的漏电风险;在导通时通过第一节点处的电压来确定第四PMOS管的衬底电压,第二节点处的电压来确定第四NMOS管的衬底电压,从而解决第四PMOS管和第四NMOS管因衬底偏置效应产生的问题。
  • 一种开关电路
  • [实用新型]一种模拟开关-CN202222388964.0有效
  • 杨家奇 - 杰平方半导体(上海)有限公司
  • 2022-09-06 - 2022-12-30 - H03K17/16
  • 本实用新型提供一种模拟开关,所述模拟开关的第一PMOS管的源极和衬底、第二PMOS管的衬底和第三PMOS管的漏极均连接在第一节点处,第一NMOS管的源极和衬底、第二NMOS管的衬底和第三NMOS管的漏极均连接在第二节点处,第一PMOS管的漏极、第二PMOS管的源极、第一NMOS管的漏极和第二NMOS管的源极均连接所述输入端,第二PMOS管的漏极和第二NMOS管的漏极均连接所述输出端,可以解决模拟开关中PMOS管和NMOS管的衬底偏置效应,以及避免了输出端会串扰输入端,引起漏电的风险。
  • 一种模拟开关
  • [实用新型]一种模拟开关-CN202222389805.2有效
  • 杨家奇 - 杰平方半导体(上海)有限公司
  • 2022-09-08 - 2022-12-30 - H03K17/16
  • 本实用新型提供一种模拟开关,通过第一PMOS管的源极和衬底、第二PMOS管的源极和衬底、第三PMOS管的衬底、第四NMOS管的源极、第五NMOS管的源极和第六PMOS管的漏极连接在第一节点处,使得第一PMOS管、第二PMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管和第六PMOS管构成第三PMOS管的偏置电路;第一NMOS管的源极和衬底、第二NMOS管的源极和衬底、第三NMOS管的衬底、第四PMOS管的源极和衬底、第五PMOS管的源极和衬底以及第六NMOS管的漏极连接在第二节点处,使得第一NMOS管、第二NMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管和第六NMOS管构成第三NMOS管的偏置电路,从而解决了输出端串扰输入端造成的漏电风险以及第三PMOS管和第三NMOS管因衬底偏置效应产生的问题。
  • 一种模拟开关
  • [实用新型]一种模拟开关-CN202222390488.6有效
  • 杨家奇 - 杰平方半导体(上海)有限公司
  • 2022-09-08 - 2022-12-30 - H03K17/16
  • 本实用新型提供一种模拟开关,在每个节点处通过PMOS管和NMOS管的搭配创建偏置电路,使得每个导通MOS管均具有一个偏置电路,并通过这些偏置电路确保各导通MOS管(即导通PMOS管和导通NMOS管)能够完全关闭,从而解决了所述输出端串扰所述输入端造成的漏电风险。还通过偏置电路确定各节点处的电压,从而解决各导通MOS管因衬底偏置效应产生的问题,还使得每个节点处的电压为全电压域,且模拟开关的反应速度加快。
  • 一种模拟开关
  • [实用新型]一种开关电路-CN202222292446.9有效
  • 杨家奇 - 杰平方半导体(上海)有限公司
  • 2022-08-30 - 2022-12-27 - H03K17/16
  • 本实用新型提供一种开关电路,开关电路的第一PMOS管的源极和衬底以及第一NMOS管的源极和衬底均连接输入端,第二NMOS管的源极和衬底以及第二PMOS管的源极和衬底均连接输出端。使得开关电路导通时,由于第一PMOS管的衬底和第一NMOS管的衬底均与输入端短接,第二PMOS管的衬底和第二NMOS管的衬底均与输出端短接,促使第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管没有偏置,从而解决了开关电路中PMOS管和NMOS管的衬底偏置效应产生的对阈值电压的影响以及导通电阻增大等问题,还解决了输出端串扰所述输入端造成的漏电风险。
  • 一种开关电路

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