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[发明专利]一种存储快照的方法及装置-CN201710632524.6有效
发明人：张振广 -专利权人：苏州浪潮智能科技有限公司
申请日： 2017-07-28 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： G06F11/14 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种存储快照的方法及装置，包括预先依据预设规则及位置关系将快照卷与原卷对应的各个存储单元进行分组，得到各个存储组；依据用户输入的修改请求确定待修改的目标存储单元；依据目标存储单元确定出包括目标存储单元的存储组；建立与存储组中的各个存储单元分别对应的各个新建存储单元；将各个存储单元中分别存储的原数据分别拷贝至相应的新建存储单元中；将快照卷中分别指向各个存储单元的指针更改为分别指向相应的新建存储单元；将用户输入的与修改请求对应的数据信息存储至目标存储单元中并覆盖目标存储单元中的原数据可见，当用户对多个存储单元中的数据进行修改时，可以减少对原数据迁移的次数，提高写操作的工作效率。
一种存储快照方法装置

[发明专利]检测伪编程单元的方法和使用其对伪编程单元编程的方法-CN200710129990.9无效
发明人：朴镇寿 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2007-07-20 - 公布日： 2008-09-17 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：一种检测伪编程单元的方法包括检测被编程的第一存储单元中的第二存储单元。第二存储单元的阈值电压高于第一校验电压。在第二存储单元中检测第三存储单元。第三存储单元的阈值电压小于第二校验电压。一种对非易失存储器件中的单元进行编程的方法包括对选择的存储单元执行编程操作。在执行编程操作的存储单元中检测第一存储单元。第一存储单元的阈值电压高于第一校验电压。在第一存储单元中检测伪编程单元。伪编程单元的阈值电压小于第二校验电压。进而，对伪编程单元进行编程。
检测编程单元方法使用

[发明专利]一种防破解芯片、系统及其使用方法-CN201710182600.8有效
发明人：孙云;黄海霞;彭新平 -专利权人：杭州旗捷科技有限公司
申请日： 2017-03-24 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： B41J29/393 文献下载
摘要：本发明是通过以下技术方案得以实现的:一种防破解芯片，包含MCU内核单元和接口通信单元，还包含存储单元；所述存储单元包含非易失性存储单元和易失性存储单元；所述非易失性存储单元包含存储单元一和存储单元二，所述存储单元一存储有芯片的软件数据和配置数据，所述存储单元二存储有芯片的BOOT LOAD程序；当芯片进入所述存储单元二中的BOOT LOAD程序之后，会自动清除所述存储单元一中的数据。本发明的目的是提供一种防破解芯片、系统及其使用方法，芯片的软件数据和配置数据存储在单独的存储单元一中，在进入BOOT LOAD程序时会预先清除存储单元一中的数据，避免破解过程中的信息泄露。
一种破解芯片系统及其使用方法

[发明专利]非易失存储装置及退化检测方法-CN98120106.7无效
发明人：武田正树 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 1998-09-29 - 公布日： 1999-05-12 - 主分类号： G11C11/04 文献下载
摘要：一非易失半导体存储装置包括一存储单元阵列及一检测存储单元阵列,每个检测存储单元与包括多个存储单元的单元存储块相连并与存储单元性能相同,在每次将数据写入相应的单元存储块时,将一预定值写入检测存储单元通过将存储在检测存储器件中的值与预定值进行比较,可检测存储单元的退化状态。
非易失存储装置退化检测方法

[发明专利]具有多处理器的存储设备-CN201310003617.4有效
发明人：季茂林;王祎磊 -专利权人：北京忆恒创源科技有限公司
申请日： 2013-01-06 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： G06F12/0866 文献下载
摘要：提供了一种数据存储设备，包括主机接口，多个存储器芯片；每个存储器芯片中包括第一多个存储单元，由第二多个存储单元组成存储单元组，每个存储单元组内的存储单元可并行访问；所述数据存储设备还包括存储单元组地址生成电路，用于根据从主机接口接收的第一地址生成第一存储单元组地址，其中所述第一存储单元组地址用于访问第一存储单元组。
具有处理器存储设备

[实用新型]具有多处理器的存储设备-CN201320005234.6有效
发明人：季茂林;王祎磊 -专利权人：北京忆恒创源科技有限公司
申请日： 2013-01-06 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： G06F12/08 文献下载
摘要：提供了一种具有多处理器的存储设备，包括主机接口，多个存储器芯片；每个存储器芯片中包括第一多个存储单元，由第二多个存储单元组成存储单元组，每个存储单元组内的存储单元可并行访问；所述存储设备还包括存储单元组地址生成电路，用于根据从主机接口接收的第一地址生成第一存储单元组地址，其中所述第一存储单元组地址用于访问第一存储单元组。
具有处理器存储设备

[发明专利]增强相邻存储单元之间漏电的方法及漏电检测方法、装置-CN202210172926.3在审
发明人：刘欢欢;王伟洲 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G11C29/12 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种增强相邻存储单元之间漏电的方法及漏电检测方法、装置，所述增强相邻存储单元之间漏电的方法包括：对存储阵列进行写入操作，形成列条纹测试图形；所述列条纹测试图形为低电平存储单元和高电平存储单元按列排布，相邻两列低电平存储单元之间有N列高电平存储单元，N≥2；对所述低电平存储单元和所述高电平存储单元进行电压调节，以增加所述低电平存储单元和所述高电平存储单元之间的电势差。
增强相邻存储单元之间漏电方法检测装置

[发明专利]一种基于相变存储单元的非挥发查找表电路及其工作方法-CN201310133919.3无效
发明人：亢勇;陈邦明 -专利权人：上海新储集成电路有限公司
申请日： 2013-04-17 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： G11C16/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于相变存储单元的非挥发查找表电路，包括：非挥发存储单元阵列，及分别与非挥发存储单元阵列连接的编程单元、译码单元和输出单元；非挥发存储单元阵列中包括相变存储单元，编程单元改变非挥发存储单元阵列中相变存储单元的阻态实现写入数据；译码单元选择并导通待查找的非挥发存储单元阵列中的相变存储单元，导通的电流根据相变存储单元的阻态生成不同电压的信号并通过输出单元输出，实现读取非挥发存储单元阵列中的数据。本发明还公开了一种基于相变存储单元的非挥发查找表电路的工作方法。本发明具有掉电保护功能，不需配置额外的配置芯片实现配置查找表数据。
一种基于相变存储单元挥发查找电路及其工作方法

[发明专利]用于NAND存储操作的架构和方法-CN202180001860.5有效
发明人：李昌炫 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-06-04 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：在一种用于对存储单元串进行编程的方法中，在选定的字线上施加编程电压以对存储单元串中的选定的存储单元进行编程。将第一通过电压施加在耦合到存储单元中的第一存储单元的第一字线上。将第二通过电压施加在耦合到存储单元中的第二存储单元的第二字线上。此外，将第三通过电压施加在耦合到存储单元中的第三存储单元的第三字线上。第一、第二和第三存储单元位于存储单元串中的选定的存储单元的第一侧，并且第二存储单元设置在第一存储单元和第三存储单元之间。第二通过电压高于第一通过电压和第三通过电压。
用于 nand 存储操作架构方法

[发明专利]三维存储器及其编程方法-CN202210614831.2在审
发明人：魏镜;王瑜;栗山正男 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本申请提供了一种三维存储器及其编程方法，三维存储器包括位于多个存储串，每个存储串包括多个存储单元，所述方法包括：将选中的所述存储串除编程存储单元之外的多个存储单元划分成多个非编程存储单元组；以及根据各个非编程存储单元组与编程存储单元的相对距离，向各个非编程存储单元组施加导通电压；其中，非编程存储单元组与编程存储单元的相对距离越大，施加到非编程存储单元组的导通电压越小。通过上述三维存储器的编程方法，可在一定程度上减小非编程存储单元的导通电压的干扰。
三维存储器及其编程方法

[发明专利]用于存储卷的一致拷贝的方法、系统和制造品-CN200410059225.0有效
发明人：萨姆·克拉克·沃纳;威廉·弗兰克·麦克卡;斯汪·泰;伊法特·纳瑞尔;希莉·拉哈维;盖尔·安德里亚·斯匹尔;沃伦·K·斯坦利 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2004-06-09 - 公布日： 2005-07-27 - 主分类号： G06F11/14 文献下载
摘要：提供了一种用于拷贝存储的方法、系统和制造品。对源存储单元执行拷贝操作以拷贝到目标存储单元，其中拷贝操作在目标存储单元中创建源存储单元的一致副本。当执行从一个源存储单元拷贝到一个目标存储单元的拷贝操作的时候，限制对这个源存储单元执行写入操作，直到对源存储单元执行完拷贝操作。
用于存储一致拷贝方法系统制造品

[发明专利]一种存储芯片故障检测方法-CN202011139215.3在审
发明人：周文蓉;戴洋洋;陈宗廷;李斌 -专利权人：深圳市宏旺微电子有限公司
申请日： 2020-10-22 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： G06F11/22 文献下载
摘要：本申请涉及芯片检测技术领域，提供了一种存储芯片故障检测方法，该方法包括：依次在第一存储单元中写入第一数据、在第二存储单元中写入第二数据、在第三存储单元中写入第三数据，第一存储单元、第三存储单元为存储芯片中与第二存储单元相邻的存储单元；读取第二存储单元中的数据，判断第二存储单元中读取的数据与第二数据是否相同；在第二存储单元中读取的数据与第二数据不相同，且第二存储单元中读取的数据与第一数据或者第三数据相同的情况下，存储芯片发生故障。本申请提供的方法，可以确定第二存储单元受到了第一存储单元或者第三存储单元的影响，确定存储芯片发生邻域模式敏感故障，从而提高故障覆盖率。
一种存储芯片故障检测方法

[发明专利]小面积电子擦写式可复写只读存储器阵列的操作方法-CN201410748915.0有效
发明人：林信章;黄文谦;范雅婷;叶仰森;吴政颖 -专利权人：亿而得微电子股份有限公司
申请日： 2014-12-09 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种小面积电子擦写式可复写只读存储器阵列的操作方法，此小面积电子擦写式可复写只读存储器阵列包含多条字元线、字线、共源线与子存储阵列，此些位元线区分为多组位元线，字线包含第一字线，共源线包含第一共源线，每一子存储阵列包含与两组位元线、一字线与一共源线连接的一第一存储单元、第二存储单元、第三存储单元、第四存储单元，其中第一存储单元、第二存储单元对称配置，第三存储单元、第四存储单元对称配置，且第一存储单元、第二存储单元与第三存储单元、第四存储单元以第一共源线分别对称配置。本发明可一次选择所有操作存储单元，并利用特殊的偏压设定来实现大量存储单元的写入及擦写。
面积电子擦写复写只读存储器阵列操作方法

[发明专利]数据处理装置-CN200510067243.8有效
发明人：中井嘉之;角田浩一;山之内隆男;嶋泽耀一 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2005-04-20 - 公布日： 2005-11-02 - 主分类号： H04N1/21 文献下载
摘要：图像处理装置(数据处理装置)经存储控制单元(输入－输出装置)在存储单元(存储装置)中存储数据、向存储单元输入数据并从存储单元输出数据，并且用控制单元(处理装置)处理从存储单元输出的数据。存储控制单元用DMA方法通过经DMA控制单元的路径将图像数据输入到存储单元并从存储单元输出图像数据，并且用PIO方法通过经由PIO控制单元的路径将诸如控制指令的其他数据输入到存储单元并从所述存储单元输出由在用于DMA方法的所述输入－输出路径上所提供的加密/解密单元，在输入操作中对要用DMA方法输入到存储单元及从所述存储单元输出的图像数据，进行加密，并在输出操作中解密。
数据处理装置

[发明专利]一种存储器及其控制方法与存储系统-CN202010088755.7有效
发明人：林毅泓;赵启鹏 -专利权人：合肥康芯威存储技术有限公司
申请日： 2020-02-12 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明提出一种存储器及其控制方法与存储系统，包括，存储单元阵列，包括多个第一存储单元及多个第二存储单元；控制器，设有第一擦除次数表，第二擦除次数表及第三擦除次数表，所述第一擦除次数表记录每一所述第一存储单元的擦除次数，所述第二擦除次数表记录每一所述第二存储单元的擦除次数；其中，当所述存储单元阵列在存储数据时，所述存储单元阵列中的多个存储单元允许当作所述第一存储单元及所述第二存储单元，所述控制器形成第三擦除次数表，并根据所述第三擦除次数表，将所述多个存储单元当作所述第一存储单元或所述第二存储单元。本发明提出的存储器使用寿命长。
一种存储器及其控制方法存储系统