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[发明专利]一种数据存储方法、装置及电子设备-CN201710456543.8有效
发明人：周双 -专利权人：杭州海康威视数字技术股份有限公司
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种数据存储方法、装置及电子设备。该电子设备包括至少一个硬盘，该硬盘包括多个存储单元，所述多个存储单元分为两类存储单元，第一类存储单元用于存储用户数据，第二类存储单元用于存储非用户数据；其中，第一类存储单元中的各个存储单元均不同于第二类存储单元中的各个存储单元该方法包括：接收待存储的用户数据，将所述用户数据存储至所述第一类存储单元中；获得待存储的非用户数据，将所述非用户数据存储至所述第二类存储单元中。应用本申请实施例提供的方案，能够减少存储数据时所耗费的时间。
一种数据存储方法装置电子设备

[发明专利]MTP器件的单元结构及其操作方法-CN200910201913.9有效
发明人：胡晓明 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2009-12-08 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种MTP器件的单元结构及其操作方法，其单元结构包括主存储单元、参考存储单元和差分比较电路。其中，当主存储单元为已编程状态，则参考存储单元为已擦除状态。当主存储单元为已擦除状态，则参考存储单元为已编程状态。差分比较电路对主存储单元的漏端、参考存储单元的漏端电流大小进行比较。从而可以在多次编程和擦除后仍能判断出主存储单元的状态，这也就相当于提升了整个MTP器件的单元结构的耐久力。
mtp 器件单元结构及其操作方法

[发明专利]可锁定存储设备-CN202310369131.6在审
发明人： O·库特-阿恩贝克;N·H·韦尔;A·J·加加诺 -专利权人：实耐宝公司
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G07C9/00 文献下载
摘要：一种可锁定存储设备包括计算系统、通信模块、中央电源、连接到计算系统和中央电源的中央数据总线、以及多个存储单元。多个存储单元中的每个相应存储单元包括锁和数据总线。计算系统被配置为执行操作，该操作包括经由通信模块接收用于解锁多个存储单元中的存储单元的指示，并且响应于接收到用于解锁存储单元的指示，向多个存储单元发送指令以解锁存储单元的锁。
锁定存储设备

[发明专利]检测半导体存储装置中的干扰存储单元的装置及方法-CN201010296772.6有效
发明人：洪俊雄;林政宽;张坤龙 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2010-09-27 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种检测半导体存储装置中干扰存储单元的装置及方法。该检测一存储单元干扰情况的方法，包含施加多个阵列条件至该存储单元且决定该存储单元响应多个阵列条件时是否具有一编程存储单元的行为。假如该存储单元会对该组条件响应为被编程而在另一组条件响应为被擦除，则识别该存储单元为受干扰的存储单元。
检测半导体存储装置中的干扰单元方法

[发明专利]存储单元写入方法及其应用-CN201610153509.9有效
发明人：李亚睿;陈冠复 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2016-03-17 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：一种存储单元写入方法及其应用，此方法包括下述步骤：获取存储阵列中至少一个存储单元的第一临界电压。识别存储单元的目标临界电压，并根据第一临界电压来决定用来使存储单元达到目标临界电压所需要的写入射击的数目。将存储单元所需数目的写入射击施加至存储单元。验证存储单元被施予此数目的写入射击之后是否达到存储单元的目标临界电压。
存储单元写入方法及其应用

[发明专利]包括浮体晶体管无电容器存储单元的存储器件及相关方法-CN200610164262.7无效
发明人：李永宅 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-12-07 - 公布日： 2007-06-20 - 主分类号： G11C11/401 文献下载
摘要：一种包括存储单元阵列的半导体存储器件，该存储单元阵列包括多个单位存储单元，其中每个单位存储单元包括互补第一和第二浮体晶体管无电容器存储单元。由第一和第二浮体晶体管无电容器存储单元的阈值电压状态的差来定义向每个单位存储单元写入和从每个单位存储单元读取的逻辑值。
包括晶体管电容器存储单元器件相关方法

[发明专利]一种基于计算机云的存储空间分配方法-CN201810339111.3有效
发明人：牛路 -专利权人：亿享不道张家口信息科技有限公司
申请日： 2018-04-16 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H04L29/08 文献下载
摘要：本发明公开一种基于计算机云的存储空间分配方法，包括以下步骤：划分备用存储单元和若干存储单元；检测各存储单元内剩余的存储空间与总存储空间的比值是否在范围内，若在，获取占用请求；筛选存储文件的存储单元并统计剩余的存储空间容量；获取文件的存储容量与存储单元所剩余的存储容量的比值，以判断是否存储，并获取下一占用请求；若不在范围内，划分第一分配存储单元和第二分配存储单元，降低第一分配存储单元并增加第二分配存储单元的存储空间或减少备用存储单元增加第二分配存储单元的存储空间本发明有对存储单元进行空间的分配，提高了存储单元存储文件的利用率，并提高了存储空间的有效调配效果，满足存储需求。
一种基于计算机存储空间分配方法

[发明专利]磁性存储器及坏点标记方法-CN202310263858.6在审
发明人：金辉;李朋宾;王昭昊;赵巍胜 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G11C29/14 文献下载
摘要：本申请提供了一种磁性存储器及坏点标记方法，包括磁性存储单元阵列、行标记器和列标记器；所述磁性存储单元阵列包括阵列排布的多个磁性存储单元；所述行标记器包括与所述磁性存储单元阵列的每行磁性存储单元分别对应的多个行标记单元，用于标记对应行的磁性存储单元的可用状态；所述列标记器包括与所述磁性存储单元阵列的每列磁性存储单元分别对应的多个列标记单元，用于标记对应列的磁性存储单元的可用状态。本申请以行或列的磁性存储单元为单位进行坏点屏蔽，大大的节约了存储空间。
磁性存储器标记方法

[发明专利]用于NAND存储器操作的架构和方法-CN202080003973.4在审
发明人：李昌炫;赵向南;李海波 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： G11C29/12 文献下载
摘要：在一种用于读取包括第一存储单元串的存储器件的方法中，在预验证阶段内，在该第一存储单元串的选定的存储单元的栅极端子上施加第一验证电压，其中，该选定的存储单元被编程以及排列在第一相邻存储单元与第二相邻存储单元之间在该第一存储单元串的未被编程的至少一个存储单元的栅极端子上施加第一偏置电压。在验证阶段内，在该第一存储单元串的选定的存储单元的栅极端子上施加第二验证电压。在该第一存储单元串的未被编程的所述至少一个存储单元的栅极端子上施加第二偏置电压，其中，第二偏置电压小于第一偏置电压。
用于 nand 存储器操作架构方法

[发明专利]集群信息扫描方法和装置、电子设备和存储介质-CN202210681689.3在审
发明人：卢智华 -专利权人：北京金山云网络技术有限公司
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： G06F9/38 文献下载
摘要：本申请提供了一种集群信息扫描方法和装置、电子设备和存储介质，其中，该方法包括：确定多个子线程中的每个子线程与集群中的存储单元之间的对应关系，其中，集群中包括多个存储单元，每个子线程对应至少一个存储单元；按照对应关系，通过并发执行多个子线程，获取与每个存储单元对应的存储单元信息，其中，存储单元信息用于指示存储单元信息对应的存储单元的类型以及数据量；对所有存储单元信息进行合并，得到集群的集群信息的方式，通过本实施例中的方法，通过采用多个子线程对集群中的存储单元进行处理，可以同时确定多个存储单元的存储单元信息，有效克服相关技术中存在集群中信息扫描效率低下的问题。
集群信息扫描方法装置电子设备存储介质

[发明专利]存储单元装置、控制存储单元的方法、存储器阵列及电子设备-CN200810171402.2有效
发明人： R·斯特伦茨;W·兰海因里希;M·罗里克;R·韦斯纳;A·格拉茨;T·克恩;G·坦佩尔;岑柏湛 -专利权人：英飞凌科技股份公司
申请日： 2008-08-29 - 公布日： 2009-03-18 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：本发明涉及存储单元装置、控制存储单元的方法、存储器阵列及电子设备。在本发明的实施例中，存储单元装置包括衬底和至少一个包括电荷保存存储单元结构和选择结构的存储单元。该存储单元装置还包括设置在衬底之内的第一掺杂阱、第二掺杂阱和第三掺杂阱，其中电荷保存存储单元结构设置在第一掺杂阱之内或之上，第一掺杂阱设置在第二掺杂阱之内，第二掺杂阱设置在第三掺杂阱之内。该存储单元装置还包括与存储单元耦合的控制电路，其用于控制存储单元，这样通过至少第一掺杂阱对电荷保存存储单元结构进行充电或放电，来使电荷保存存储单元结构被编程或擦除。
存储单元装置控制方法存储器阵列电子设备

[发明专利]一种信息处理方法及电子设备-CN201610193050.5有效
发明人：杨碧波;闻军会;毛兴中 -专利权人：深圳忆联信息系统有限公司
申请日： 2016-03-30 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种信息处理方法及电子设备，其中，方法包括：获取到针对存储设备的N个存储单元中每个存储单元的操作指令集合；基于每个存储单元的操作指令集合对应的控制位，为N个存储单元切换分配所述通道，并通过所述通道向所述N个存储单元发送指令；其中，所述为N个存储单元切换分配所述通道，并通过所述通道获取到所述N个存储单元的操作指令包括：每次为第n存储单元分配所述通道，基于第n存储单元的操作指令集合中的控制位，向第n存储单元发送与第n存储单元对应的操作指令集合中的第m组指令；直至向N个存储单元发送完毕操作指令集合中的指令。
一种信息处理方法电子设备

[发明专利]具有电场可编程存储元件的存储单元以及操作它的方法-CN200510098031.6无效
发明人： E·C·戈里尔;R·J·默菲;C·R·斯兹曼达 -专利权人：罗姆和哈斯公司
申请日： 2005-03-23 - 公布日： 2006-05-10 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有存取晶体管和电场可编程双稳态元件的存储单元。存取晶体管可以是具有耦合到电场可编程双稳态或多稳态元件的门极、源极或漏极的MOSFET晶体管。本发明也公开了多个存储单元，每个具有唯一的、不同的和/或独特的电场可编程双稳态元件以及共用的存取晶体管。本发明还公开了一种具有配置的用于存储互补数据状态的多个存储单元的差动存储单元。差动存储单元包括第一存储单元和第二存储单元，其中的第一存储单元保持与第二存储单元有关的互补状态。本发明还公开了具有N－沟道型存储单元和P－沟道型存储单元的互补存储单元。
具有电场可编程存储元件单元以及操作方法

[发明专利]一种具有读取自参考功能的 2-1T1R RRAM 存储单元-CN201410075614.6无效
发明人：任奇伟;潘立阳;韩小炜 -专利权人：山东华芯半导体有限公司
申请日： 2014-03-03 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明提供一种具有读取自参考功能的2-1T1R RRAM存储单元,该存储单元由两个传统的RRAM1T1R存储单元组成，一个为主存储单元，另外一个为参考存储单元。写操作时，将两个1T1R存储单元分别写入两个相反的状态，主存储单元写入‘1’，参考存储单元写入‘0’，则2-1T1R存储的值为‘1’；或者主存储单元写入‘0’，参考存储单元写入‘1’，则2-1T1R存储的值为‘0’；读操作时，参考存储单元作为产生主存储单元读取参考电流的参考单元。与传统的存储阵列使用固定读取参考电流或利用共享的参考单元产生读取参考电流相比，本发明读操作时的读裕度增加了一倍，大大提高了读取速度和成功率。
一种具有读取参考功能 t1r rram 存储单元

[发明专利]终端设备和启动终端设备的操作系统的方法-CN201110202546.1有效
发明人：冯晓毅;刘旭国;易贤群 -专利权人：联想（北京）有限公司
申请日： 2011-07-19 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： G06F9/445 文献下载
摘要：终端设备以及启动该终端设备的操作系统的方法，所述终端设备包括第一存储单元，配置来存储包含操作系统的数据；第二存储单元，其中所述第二存储单元的存取速度高于所述第一存储单元的存取速度；存取控制器，与所述第一存储单元和所述第二存储单元连接，并且配置来将所述第一存储单元中的数据的一部分写入到所述第二存储单元；以及处理单元，配置来对包含所述第一存储单元、第二存储单元以及存取控制器的元件进行初始化，并且配置来启动所述操作系统，其中，在所述处理单元响应于启动命令对所述第一存储单元、所述第二存储单元以及所述存取控制器进行初始化之后，并且在所述处理单元启动所述操作系统之前，所述存取控制器将第一数据从所述第一存储单元写入到所述第二存储单元中。
终端设备启动操作系统方法