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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]碳化硅晶体生长坩埚及生长方法-CN202111361145.0在审
发明人：杨弥珺;赵新田 -专利权人：宁波合盛新材料有限公司
申请日： 2021-11-17 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明公开一种碳化硅晶体生长坩埚，通过设置石墨柱将碳化硅颗粒原料隔开或采用石墨腔体分装碳化硅颗粒原料的方式将碳化硅颗粒原料分堆隔开，可减缓碳化硅晶体生长过程中陶瓷体的重结晶，避免陶瓷体由于重结晶导致其气孔道堵塞，同时碳化硅颗粒原料与碳化硅颗粒原料之间以及碳化硅颗粒原料与石墨体(石墨柱外壁或石墨腔体内壁)之间形成用于碳化硅气相流动的输送通道，该输送通道能够实现碳化硅气相高效输送，进而延长碳化硅晶体的长晶时间，提高碳化硅晶体的长晶效率本发明还提出一种碳化硅晶体生长方法，可实现气流高效输送，提高长晶效率，避免高密度无孔道的陶瓷体的产生。
碳化硅晶体生长坩埚生长方法

[发明专利]碳化硅纳米线原位增强的碳化硅纤维材料及其制备方法-CN201510371113.7有效
发明人：余金山;周新贵;王洪磊;曾穗娟;殷刘彦;杨备;杨会永 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2015-06-30 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： D06M11/77 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅纳米线原位增强的碳化硅纤维材料及其制备方法。该碳化硅纳米线原位增强的碳化硅纤维材料包括碳化硅纤维基体和碳化硅纳米线，碳化硅纳米线原位生长且均匀分布于碳化硅纤维基体表面和内部，碳化硅纳米线之间相互缠绕成网状结构。本发明的碳化硅纳米线原位增强的碳化硅纤维材料，引入的碳化硅纳米线含量高、分布均匀且与碳化硅纤维结合良好，其制备方法具有制备工艺简单，设备要求低，制备周期短，制备过程中对环境无污染等优点。
碳化硅纳米原位增强纤维材料及其制备方法

[实用新型]一种碳化硅砖及其连接结构-CN201721775692.2有效
发明人：董良军;程平平;李亚伟;桑绍柏 -专利权人：宜兴市丁山耐火器材有限公司
申请日： 2017-12-19 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： F27D1/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种碳化硅砖，碳化硅砖的至少一面设有沿碳化硅砖宽度方向设置的半圆形沟槽，沿碳化硅砖长度方向的侧面设有贯穿碳化硅砖的通孔；本实用新型还公开了此种碳化硅砖的连接结构，包括多块碳化硅砖，上下的碳化硅砖在对应位置结合，使得上下的碳化硅砖的半圆形沟槽构成圆柱形沟槽，水平方向的碳化硅砖均沿碳化硅砖长度方向顺次排列，圆柱形沟槽和通孔中均插入塞棒。采用本实用新型的设计，上下的碳化硅砖和沿水平方向设置的碳化硅砖能够紧密的联合为一体。
碳化硅砖本实用新型半圆形沟槽圆柱形沟槽连接结构通孔水平方向设置顺次排列位置结合多块塞棒侧面贯穿联合

[发明专利]一种碳化硅表面处理方法-CN201910425889.0在审
发明人：刘骏;刘振华;张海 -专利权人：湖南太子新材料科技有限公司
申请日： 2019-05-21 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： C01B32/956 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅表面处理方法，包括：步骤一、对碳化硅颗粒进行粉碎并筛选出粒径为5～10μm的碳化硅粉末；步骤二、将所述碳化硅粉末置于温度为700～800℃的马弗炉中进行煅烧，以除去所述碳化硅粉末表面的游离碳；步骤三、对除碳后的碳化硅粉末进行酸洗和碱洗，以对除碳后的碳化硅粉末进行提纯；步骤四、将提纯后的碳化硅粉末分别进行分散浆化、物理分散、沉淀分离、烘干，即得表面处理后的碳化硅微粉。本发明公开的碳化硅表面处理方法能够针对性的除去碳化硅表面的杂质，提高碳化硅微粉的分散性，且成本低，能耗低。
碳化硅粉末碳化硅表面碳化硅微粉提纯碳化硅颗粒沉淀分离物理分散分散浆分散性马弗炉游离碳烘干碱洗粒径酸洗煅烧能耗筛选

[发明专利]一种碳化硅外延结构的制备方法及半导体设备-CN202110042524.7在审
发明人：周长健;潘尧波;唐军 -专利权人：中电化合物半导体有限公司
申请日： 2021-01-13 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅外延结构的制备方法，对反应腔室进行净化处理；在净化处理之后的所述反应腔室内壁生长碳化硅保护层；将碳化硅衬底放入所述反应腔室内，并对所述碳化硅衬底进行原位刻蚀；在刻蚀后的所述碳化硅衬底上生长碳化硅缓冲层；在所述碳化硅缓冲层上生长N型碳化硅外延层；在所述N型碳化硅外延层上生长P型碳化硅外延层。本发明的制备方法简单，可在同一腔室内完成不同掺杂类型外延层的生长，实现不同掺杂外延层的连续生长，降低碳化硅外延结构的表面缺陷，提高碳化硅器件的良率。
一种碳化硅外延结构制备方法半导体设备

[发明专利]一种碳化硅单晶生长装置及其生长方法-CN202011633769.9在审
发明人：张洁;廖弘基;陈华荣;陈泽斌;杨树;洪棋典 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅单晶生长装置及其生长方法，涉及碳化硅生长技术领域。该碳化硅单晶生长装置包括坩埚、顶盖、碳化硅多晶过渡层和碳化硅耔晶。顶盖盖设于坩埚上，且与坩埚共同围成生长空腔，碳化硅多晶过渡层设置于顶盖靠近生长空腔的一侧，碳化硅耔晶粘接于碳化硅多晶过渡层远离顶盖的一侧。与现有技术相比，本发明提供的碳化硅单晶生长装置由于采用了设置于顶盖上的碳化硅多晶过渡层，所以能够防止顶盖与碳化硅耔晶直接接触，降低由于热膨胀而引起的热应力，避免碳化硅单晶产生位错缺陷和裂纹。
一种碳化硅生长装置及其方法

[发明专利]一种碳化硅外延结构及其制备方法-CN202210719055.2在审
发明人：周长健;沈淳;张优优;赵哲;潘尧波 -专利权人：中电化合物半导体有限公司
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅外延结构及其制备方法，具体涉及碳化硅外延生长技术领域。本发明制备方法，包括以下步骤：选取碳化硅衬底，并对其进行湿法清洗；将湿法清洗后的碳化硅衬底置于反应室内，并将所述反应室抽至真空；向所述反应室内通入氢气和氯化氢对所述碳化硅衬底进行原位刻蚀；向所述反应室内通入生长源及掺杂源生长碳化硅缓冲层，其中所述碳化硅缓冲层的掺杂浓度在所述碳化硅衬底的掺杂浓度与碳化硅外延层的掺杂浓度之间变化；在所述碳化硅缓冲层上生长所述碳化硅外延层。采用本发明的制备方法可改善碳化硅外延层的质量。
一种碳化硅外延结构及其制备方法

[发明专利]一种碳化硅粒度砂和致密烧结用超细微粉的生产方法-CN201110170624.4无效
发明人：阮秀春 -专利权人：阮秀春
申请日： 2011-06-23 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： C01B31/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅粒度砂和致密烧结用超细微粉的生产方法，包括步骤：(1)选取、处理碳化硅原料：选取碳化硅原料，用对辊机进行破碎，然后筛分、整形得到椭圆行的碳化硅颗粒在80％以上，然后对碳化硅颗粒进行酸洗除杂、干燥；(2)粉碎、分级碳化硅颗粒：使用磨粉机将碳化硅颗粒粉碎可获得粒径小于10微米的碳化硅颗粒；(3)再次分级获得合格的碳化硅颗粒：使用超声波筛分机进行振动时，超碳化硅颗粒之间相互装机及超声波的冲击和空化作用，使得95％的碳化硅颗粒都能达到要求。本发明的优点是：碳化硅颗粒粒度均匀，堆积密度大，生产效率高。
一种碳化硅粒度致密烧结细微生产方法

[发明专利]碳化硅单晶生长装置及碳化硅单晶制备设备-CN201910108177.6在审
发明人：陈泽斌;张洁;廖弘基;陈华荣 -专利权人：福建北电新材料科技有限公司
申请日： 2019-02-02 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅单晶生长装置及碳化硅单晶制备设备，属于晶体生长领域。所述碳化硅单晶生长装置包括坩埚和生长基座；所述坩埚底部设置有环形的容置空间，所述容置空间内用于放置碳化硅粉料；所述生长基座设置在所述坩埚的顶部，用于在所述生长基座上生长碳化硅单晶。所述碳化硅单晶制备设备包括上述碳化硅单晶生长装置。上述碳化硅单晶生长装置及碳化硅单晶制备设备制备碳化硅单晶的过程中可以减少碳化硅粉料的浪费，降低生产成本。
碳化硅单晶生长装置制备设备坩埚生长碳化硅粉料容置空间晶体生长领域制备

[发明专利]一种碳化硅复合衬底及其制造方法-CN202310207459.8在审
发明人：母凤文;郭超 -专利权人：青禾晶元（天津）半导体材料有限公司
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅复合衬底的制造方法，所述制造方法包括以下步骤：在供体衬底表面的碳化硅单晶层中预埋弱化层；将碳化硅衬底与所述碳化硅单晶层进行键合连接；施加应力使所述碳化硅单晶层沿所述弱化层断裂，得到剩余供体衬底以及碳化硅复合衬底；所述碳化硅单晶层的缺陷密度小于所述碳化硅衬底的缺陷密度。所述碳化硅复合衬底中碳化硅单晶层的BPD缺陷密度为0，所述制造方法可以减少高质量碳化硅供给衬底的浪费情况，降低生产成本。
一种碳化硅复合衬底及其制造方法

[发明专利]研磨浆料及其研磨方法-CN201080066082.X无效
发明人：山口靖英;堀内干正 -专利权人：三井金属矿业株式会社
申请日： 2010-11-22 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： B24B37/00 文献下载
摘要：本发明提供能够高效且高表面精度地对难以研磨处理的碳化硅进行研磨处理的研磨技术。本发明涉及一种用于研磨基材的研磨浆料，其特征在于，研磨粒子以氧化锰为主成分，研磨粒子的含量相对于研磨浆料不足10重量%。此外，本发明的研磨浆料是适用于碳化硅基材的研磨浆料。
研磨浆料及其方法

[发明专利]一种碳化硅连接件及激光辅助硅铝合金连接碳化硅陶瓷及其复合材料的方法-CN202211613543.1在审
发明人：陈健;黄常聪;黄政仁;李凡凡;陈忠明;刘学建 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C04B37/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅连接件及激光辅助硅铝合金连接碳化硅陶瓷及其复合材料的方法。所述碳化硅连接件包括：第一待连接碳化硅部件和第二待连接碳化硅部件，以及形成在第一待连接碳化硅部件和第二待连接碳化硅部件之间的第一高硅铝合金层、低硅铝合金层和第二高硅铝合金层；优选地，所述第一待连接碳化硅部件和第二待连接碳化硅部件为碳化硅陶瓷及其复合材料
一种碳化硅连接激光辅助铝合金陶瓷及其复合材料方法

[发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN202110388636.8在审
发明人：罗军;袁述;许静;张丹 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种半导体器件的制造方法，方法包括：提供衬底，所述衬底上形成有碳化硅层；采用离子注入对所述碳化硅层进行轰击，以使所述碳化硅层的表层非晶化，形成碳化硅的非晶层；进行氧化工艺，以将所述碳化硅的非晶层氧化为氧化硅层通过采用离子注入对碳化硅层进行轰击，使碳化硅层的表层非晶化，形成碳化硅的非晶层，之后对碳化硅的非晶层进行氧化工艺，生成氧化硅层。相较于致密的碳化硅层，碳化硅的非晶层在进行氧化工艺时具有更快的氧化速度，并且碳化硅的非晶层在进行氧化工艺时，通过固相外延再次生长，能够改善SiC和氧化硅的界面质量。
一种半导体器件制造方法

[发明专利]碳化硅质陶瓷以及蜂窝构造体-CN201180047346.1有效
发明人：金田淳志;井上崇行;渡边刚 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2011-09-29 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：一种碳化硅质陶瓷，含有碳化硅晶体，碳化硅晶体中含有0.1～25质量%的4H型碳化硅晶体以及50～99.9质量%的6H型碳化硅晶体，优选氮的含量在0.01质量%以下，更优选含有含碳化硅晶体的多个碳化硅粒子和令碳化硅粒子互相结合的硅提供温度变化引起的电阻率的变化量小、可通过通电而发热的碳化硅质陶瓷。
碳化硅陶瓷以及蜂窝构造

[发明专利]W-ZrC-SiC金属陶瓷及其制备方法-CN200910227194.8无效
发明人：王松;张守明;李伟;祝玉林;陈朝辉 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2009-12-11 - 公布日： 2010-05-19 - 主分类号： C22C29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种W-ZrC-SiC金属陶瓷及其制备方法，本发明的金属陶瓷包含有45％～65％体积分数的碳化锆、25％～45％体积分数的钨和1％～20％体积分数的碳化硅，其步骤是以碳化钨和聚碳硅烷先驱体为原料成型碳化钨素坯，碳化钨素坯经高温裂解制得碳化钨-碳化硅多孔陶瓷，再以碳化钨-碳化硅多孔陶瓷为基材，用金属锆或者锆的合金进行金属熔渗，最后经高温热处理得到W-ZrC-SiC金属陶瓷。
zrc sic 金属陶瓷及其制备方法

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