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[发明专利]半导体装置-CN202210804976.9在审
发明人：河野洋志;田中克久 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体装置具备：在碳化硅层的第1面侧沿第1方向延伸的沟槽；沟槽内的栅极电极；在碳化硅层中沿第1方向依次配置的第1导电型第1碳化硅区域、第2导电型第2碳化硅区域、第1导电型第3碳化硅区域、第4碳化硅区域；在第1至第4碳化硅区域与第1面之间设置且在第一方向上依次配置且杂质浓度比第1至第4碳化硅区域高的第1导电型第5碳化硅区域、第2导电型第6碳化硅区域、第1导电型第7碳化硅区域、第2导电型第8碳化硅区域；设在第5至第8碳化硅区域与第1面之间的第1导电型第9碳化硅区域；第9碳化硅区域与第1面之间的第2导电型第10碳化硅区域和第1导电型第11碳化硅区域；第1面侧的第1电极；与第1面对置的第2面侧的第2电极。
半导体装置

[发明专利]一种碳化硅二极管及其制造方法-CN201410037059.8在审
发明人：査祎英;杨霏;于坤山 -专利权人：国家电网公司;国网智能电网研究院
申请日： 2014-01-26 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明涉及一种微电子器件及其制造方法，具体涉及一种碳化硅二极管及其制造方法。碳化硅二极管包括：具有第一导电类型的碳化硅衬底；碳化硅衬底上具有低掺杂浓度的第一导电类型的第一层碳化硅；第一区碳化硅，具有第二导电类型且在第一层碳化硅上形成；第二区碳化硅，具有第二导电类型且在第一层碳化硅之上，第二区碳化硅、第一区碳化硅和第一层碳化硅形成台面结构，用于为碳化硅二极管提供边缘末端保护；第二区碳化硅上的第一电极；以及碳化硅衬底上的第二电极，还提供一种制造方法，本发明使碳化硅二极管制造过程简化，耐压能力提高
一种碳化硅二极管及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201610109489.5在审
发明人：河野洋志;森塚宏平;堀阳一;山下敦子;新田智洋 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2016-02-26 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：实施方式的半导体装置具备碳化硅层；第1电极；绝缘膜，设置在碳化硅层与第1电极之间；第2电极，设置在碳化硅层的与第1电极相反的一侧，电连接于碳化硅层；第1导电型的第1碳化硅区域，设置在碳化硅层内的第1电极侧；第2导电型的第2碳化硅区域，设置在第1碳化硅区域内的第1电极侧；第1导电型的第3碳化硅区域，设置在第2碳化硅区域内的第1电极侧；第2导电型的第4碳化硅区域，设置在第2碳化硅区域内的第3碳化硅区域的第2电极侧；及第3电极，一端设置在比第3碳化硅区域更靠第1电极侧，另一端设置在比第3碳化硅区域更靠第4碳化硅区域侧，包含金属硅化物。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN202111611613.5在审
发明人：朝羽俊介;楠本雄司;田中克久;原雄二郎;水上诚;古川大;河野洋志;永田真统 -专利权人：东芝电子元件及存储装置株式会社;株式会社东芝
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：实施方式的半导体装置具备：第一导电型的第一碳化硅区域；第一碳化硅区域之上的第二导电型的第二碳化硅区域；第二碳化硅区域之上的第二导电型的第三碳化硅区域；第三碳化硅区域之上的第一导电型的第四碳化硅区域及第五碳化硅区域；第一电极，包含有在第一方向上位于第四碳化硅区域与第五碳化硅区域之间的第一部分；以及金属硅化物层，设置于第一部分与第三碳化硅区域之间，与第三碳化硅区域相接，在第一方向上设置于第一部分与第四碳化硅区域之间，与第四碳化硅区域相接，在第一方向上设置于第一部分与第五碳化硅区域之间，与第五碳化硅区域相接。
半导体装置制造方法

[发明专利]碳化硅结势垒肖特基二极管及其制作方法-CN202110926271.X在审
发明人：张新;赵龙杰 -专利权人：无锡华润华晶微电子有限公司
申请日： 2021-08-12 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅结势垒肖特基二极管及其制作方法，碳化硅结势垒肖特基二极管包括：N型碳化硅衬底、N型碳化硅漂移区、N型碳化硅缓冲层、P型阱区、阴极以及阳极；N型碳化硅缓冲层位于N型碳化硅衬底与N型碳化硅漂移区之间，N型碳化硅缓冲层的N型离子掺杂浓度大于N型碳化硅漂移区的N型离子掺杂浓度，且小于N型碳化硅衬底的N型离子掺杂浓度；P型阱区位于N型碳化硅漂移区内；阴极位于N型碳化硅衬底的下方，阴极与N型碳化硅衬底之间为欧姆接触；阳极位于P型阱区与N型碳化硅漂移区的上方，阳极与P型阱区之间为欧姆接触，阳极与N型碳化硅漂移区之间形成肖特基势垒。
碳化硅结势垒肖特基二极管及其制作方法

[发明专利]一种适配铝碳化硅基材的介质浆料及其制备方法-CN201610998830.7有效
发明人：廖玉超;苏冠贤 -专利权人：东莞珂洛赫慕电子材料科技有限公司
申请日： 2016-11-14 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： H01C7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种适配铝碳化硅基材的介质浆料及其制备方法，该介质浆料包括重量份为：74%‑79%玻璃粉、20%‑25%有机相、1%‑3%助剂；玻璃粉由氧化锌、氧化铋、氧化硼、氧化钡、氧化铝、氧化钛组成，有机相由松油醇、丁基卡必醇、丁基卡必醇醋酸酯、邻苯二甲酸二丁酯、柠檬酸三丁酯、乙基纤维素组成；该介质浆料含铅量为0，且热性质与铝碳化硅基材匹配度高，经烧结后形成的介质层不起皮、不鼓泡，对铝碳化硅基材起到优异的绝缘保护作用
一种适配铝碳化硅基材介质浆料及其制备方法

[发明专利]碳化硅单晶生长装置-CN202010987523.5在审
发明人：裴悠松;徐洙莹;李钟海 -专利权人：山东国晶电子科技有限公司
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅单晶生长装置，包括：用于容纳碳化硅原料和碳化硅籽晶的坩埚，所述坩埚外周包裹有隔热层，所述坩埚包括上部的碳化硅原料区和下部的碳化硅单晶生长区；在所述的碳化硅原料区，坩埚内外壁之间设置有开口向上的碳化硅原料槽，碳化硅原料槽内侧槽壁上端与坩埚上端内壁形成石墨通道；在所述的碳化硅单晶生长区，坩埚内腔中设置有石墨管，石墨管的管壁上端与碳化硅原料区的坩埚内壁下端无缝对接，碳化硅籽晶位于坩埚底部且位于石墨管的内腔中，石墨管的内腔构成碳化硅单晶生长室；经加热，升华的碳化硅原料通过石墨通道沿重力方向移动至碳化硅单晶生长室。本发明提供缩短工艺时间和降低成本的方式制造高品质碳化硅晶的装置。
碳化硅生长装置

[发明专利]一种碳化硅粉表面处理生产工艺及其使用方法-CN202010942266.3在审
发明人：朱广彬 -专利权人：徐州凌云硅业股份有限公司
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： C01B32/956 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅粉表面处理生产工艺，属于碳化硅粉技术领域，具体步骤如下：步骤a、将含有碳化硅粉进行筛选；步骤b、将碳化硅粉混合物至于浮选液中，并进行搅拌，搅拌时间为20‑40min，然后向混合液中持续通入空气，然后等待混合液静置分层，得到上层的碳化硅粉，取出上层的碳化硅粉，然后用去离子水清洗3‑7遍，甩干；步骤c、将碳化硅粉送入球磨机中进行研磨；步骤d、将碳化硅持续喷撒雾状的表面处理剂，处理剂喷撒完毕后将碳化硅粉加热到100‑150摄氏度，然后搅拌完毕后将碳化硅粉在烘干机中烘干，得到成型的碳化硅粉。本申请能够有效的取出碳化硅粉中的杂质，还能对碳化硅粉的表面进行处理，加强碳化硅粉的特性，使碳化硅粉的品质得到提升。
一种碳化硅表面处理生产工艺及其使用方法

[发明专利]碳化硅光学镜及其制备方法-CN201910764369.2在审
发明人：刘海鹰;冯磊;蒋鹏 -专利权人：扬州霞光光学仪器有限公司
申请日： 2019-08-19 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： C04B30/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅光学镜及其制备方法，该碳化硅光学镜包括6H多晶型的碳化硅、15R多晶型的碳化硅、增塑剂、滑石粉、增强剂和紫外线吸收剂，其中，6H多晶型的碳化硅和15R多晶型的碳化硅的含量的总和为70重量％以上；本发明含6H多晶型的碳化硅、15R多晶型的碳化硅的重量比越多，则通过控制碳化硅多晶型的粒径比，能提高碳化硅颗粒的烧结特性，从而促进所得到的碳化硅质烧结体的反应；另外，6H多晶型的碳化硅、15R多晶型的碳化硅较其他碳化硅晶型在高温下显示出稳定相的多晶型，则能更有效地促进含碳化硅颗粒的烧结反应，从而提高了其致密性，降低了孔隙率。
碳化硅多晶型碳化硅颗粒光学镜碳化硅质烧结体紫外线吸收剂滑石粉烧结特性烧结孔隙率粒径比稳定相有效地增强剂增塑剂致密性重量比晶型制备

[发明专利]一种铝基碳化硅复合材料及其制备方法-CN202210113833.3在审
发明人：闫春泽;王长顺;刘桂宙;杨潇;史玉升 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2022-01-30 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C04B38/06 文献下载
摘要：本发明属于铝基碳化硅复合材料相关技术领域，其公开了一种铝基碳化硅复合材料及其制备方法，步骤如下：(1)将碳化硅复合材料坯体进行固化，以获得多孔碳化硅/碳坯体；(2)将多孔碳化硅/碳坯体进行反应烧结；(3)将多孔碳化硅坯体进行碳化硅增密处理，使得多孔碳化硅坯体的孔隙率在预定范围内，以获得多孔碳化硅预制体；(4)将多孔碳化硅预制体进行溶胶凝胶界面改性；(5)将改性后的多孔碳化硅预制体进行铝合金浸渗，多孔碳化硅预制体内部的孔隙被铝合金液填充，以获得预定铝合金体积分数的铝基碳化硅复合材料。通过此方法可以获得碳化硅‑铝体积分数可调、结构复杂度可控、尺寸大小符合需求的铝基碳化硅构件，具有广泛的应用前景。
一种碳化硅复合材料及其制备方法

[发明专利]一种低损耗的碳化硅晶圆切片方法-CN202210758478.5在审
发明人：严立巍;朱亦峰 -专利权人：浙江同芯祺科技有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： B23K26/38 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅晶圆加工技术领域，具体的是一种低损耗的碳化硅晶圆切片方法，本发明包括以下步骤：S1、取一个厚度为3.5‑6cm的碳化硅晶锭，采用激光切割，切割成厚度为825‑4000μm的碳化硅晶柱；S2、对步骤S1中得到的碳化硅晶柱，采用激光隐形切割，在碳化硅上形成裂纹，在碳化硅晶柱上形成厚度为80‑200μm的碳化硅薄片和厚度为625‑3920μm的碳化硅厚片，然后在碳化硅薄片上涂布黏着剂，切片时，每次只产生打磨的损耗，对碳化硅切片时产生的损耗更小，对于每1000μm的碳化硅晶柱，能够分离出6个碳化硅薄片，比传统的多线切割技术不但能够分离出更多的碳化硅薄片，而且所产生的损耗更小，有效的降低碳化硅晶圆的加工成本
一种损耗碳化硅切片方法

[发明专利]铝碳化硅材料的制备方法及制备得到的铝碳化硅材料-CN201910057950.0有效
发明人：陈迎龙;肖浩;杨盛良 -专利权人：湖南浩威特科技发展有限公司
申请日： 2019-01-22 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： C22C21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种铝碳化硅材料的制备方法及制备得到的铝碳化硅材料，铝碳化硅材料的制备方法，将被铝浸湿的碳化硅与铝合金熔液混合，搅拌，装入模具中，加压成型，获得铝碳化硅材料。本发明的铝碳化硅材料的制备方法，将被铝浸湿的碳化硅与铝合金熔液混合，使得在与铝合金熔液混合之前，碳化硅颗粒被铝充分润湿，再通过搅拌铸造法将被铝浸湿的碳化硅材料采用铝合金熔液进行稀释，制备获得铝碳化硅材料由于碳化硅表面包裹铝，使得碳化硅颗粒被充分润湿，再将其加入到铝合金熔液中时就更加容易与铝合金熔液溶合，即相同体积的铝合金熔液中可以溶更多的碳化硅，提高铝碳化硅材料中碳化硅含量。
铝碳化硅铝合金熔液制备碳化硅浸湿润湿碳化硅颗粒搅拌铸造法碳化硅表面碳化硅材料反应进程加压成型溶合稀释模具装入

[发明专利]一种碳化硅晶片位错腐蚀方法及装置-CN202210244788.5有效
发明人：李佳君;王蓉;皮孝东;杨德仁 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-03-14 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅加工技术领域，公开了一种碳化硅晶片位错腐蚀方法及装置，包括：提供碳化硅晶片，将碳化硅晶片放置到坩埚中，其中，碳化硅陪片的第一表面面向腐蚀剂，碳化硅陪片的第二表面面向碳化硅晶片的碳面，碳化硅陪片的尺寸与坩埚内壁的尺寸相适应且碳化硅陪片的侧边与坩埚的内壁之间留有间隙，碳化硅晶片的碳面与碳化硅陪片的第二表面之间小于或等于预定距离；基于加热工艺对坩埚进行加热，加热形成的腐蚀剂蒸汽对所述碳化硅晶片和所述碳化硅陪片进行腐蚀。本发明使得在保证高温腐蚀活性的同时有效降低腐蚀剂浓度，实现碳化硅晶片碳面和硅面位错的显露，在碳化硅晶片的碳面和硅面得到区分度高的位错腐蚀坑，识别明确。
一种碳化硅晶片腐蚀方法装置

[发明专利]一种快速生长高质量碳化硅的方法-CN202110880193.4有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司
申请日： 2021-08-02 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种快速生长高质量碳化硅的方法，属于碳化硅晶体制备技术领域。为解决现有气相传输法制备碳化硅晶体生长速度下降的问题，本发明提供了一种快速生长高质量碳化硅的方法，首先制备不同孔径和孔隙率的多孔碳化硅原料片，然后在坩埚底部依次铺设常规碳化硅粉料、小孔径多孔碳化硅原料片和大孔径多孔碳化硅原料片，以气相传输法进行碳化硅晶体生长。大孔径多孔碳化硅原料片能够防止在碳化硅气体在原料表面结晶，将碳化硅晶体生长速度提高了20～30％；小孔径的多孔碳化硅原料片能够过滤气体组分中的碳颗粒，减少碳化硅晶体生长过程中产生的包裹物、微管、位错等缺陷，从而获得具有较高质量的碳化硅晶体。
一种速生长高质量碳化硅方法

[实用新型]一种换热管-CN201220477503.4有效
发明人：王家邦;吉国青;郭森;安霓虹 -专利权人：王家邦;吉国青;郭森;安霓虹
申请日： 2012-09-19 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： F28F1/08 文献下载
摘要：本实用新型适用于换热设备技术领域，提供了一种换热管，所述换热管设有包括碳化硅外管和碳化硅内管的双层封闭套管结构，所述碳化硅外管设有出气口，所述碳化硅内管设有进气口，所述碳化硅内管穿过所述碳化硅外管的顶端并设有内管延伸机构，所述进气口设置在所述延伸机构的末端，所述碳化硅外管在所述出气口位置的下端设有隔离机构，所述隔离机构将所述碳化硅外管分为碳化硅外管上段和碳化硅外管下段，所述碳化硅外管下段的下端部和碳化硅内管的下端部形成一热交换空腔本实用新型提供的换热管设有包括碳化硅外管和碳化硅内管的双层封闭套管结构，碳化硅材料提高了换热管的换热效率，并提高换热管的使用寿命。
一种热管