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[发明专利]一种晶体生长装置-CN202010945820.3在审
发明人：郑国宗;胡子钰;林秀钦;李静雯 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2020-09-10 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体生长装置，属于晶体生长技术领域，能够解决现有载晶架高度限制晶体生长高度，严重制约晶体产出效率的问题。所述装置包括：晶体生长槽，用于容置晶体生长液；托盘，设置在晶体生长槽内，且靠近晶体生长槽底部，用于放置籽晶；第一驱动结构，与托盘连接，用于驱动托盘在水平面上旋转；搅拌结构，设置在晶体生长槽内，用于搅拌所述晶体生长液本发明用于晶体生长。
一种晶体生长装置

[发明专利]晶体生长炉冷却方法及系统、晶片-CN202310074549.4在审
发明人：请求不公布姓名;请求不公布姓名;马新成 -专利权人：三一硅能（株洲）有限公司
申请日： 2023-01-16 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，提供一种晶体生长炉冷却方法及系统、晶片，其中，晶体生长炉冷却方法包括：在晶体生长完成后，将晶体生长炉停炉；向晶体生长炉中加入用于冷却晶体生长炉的埚底料，埚底料是晶体生长后剩余的硅料如此，解决了现有技术中晶体生长炉冷却时长较长的问题，在晶体生长炉停炉后，将埚底料即回收的晶体生长剩余的硅料加入晶体生长炉中冷却晶体生长炉，由于硅料具有较高的导热系数和较大的比热容，可以使得晶体生长炉快速冷却，缩短了晶体生长炉的冷却时长，提高了冷却效率。埚底料是晶体生长所剩余的，可以就地取材，对埚底料二次利用，不需要额外的投入，可以重复使用，少投入高回报，大幅节约了成本，减少了资源浪费。
晶体生长冷却方法系统晶片

[发明专利]一种晶体生长设备控制方法及系统-CN202310197639.2在审
发明人：尚海波;周小勇;李强;臧洪波 -专利权人：扬州合晶科技有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本申请涉及晶体制备设备技术领域，提供一种晶体生长设备控制方法及系统。通过根据晶体类型、晶体生长量、粉体配比，基于智能匹配分析模型进行热场参数匹配获得动态热场变化序列，进一步结合晶体类型、晶体生长量、粉体配比进行生长参数聚类，基于聚类结果划分晶体生长监控周期，根据晶体生长监控周期划分结果、动态热场变化序列结合各周期晶体生长实时状态，构建长晶参数优化空间，基于优化参数组合控制晶体生长设备。解决现有技术中存在对于晶体生长制备设备的控制精度不足，导致基于晶体生长设备生产所获晶体与实际制备需求不适配的技术问题，实现提高对于晶体生长制备设备的控制精度，提高生产所获晶体与实际制备需求的适配度的技术效果
一种晶体生长设备控制方法系统

[发明专利]一种晶体生长用智能控制系统-CN202211358023.0在审
发明人：罗毅;龚瑞 -专利权人：安徽科瑞思创晶体材料有限责任公司
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体生长用智能控制系统，涉及晶体生长技术领域，解决了现有技术无法对晶体生长过程进行精确控制，影响晶体生长质量和效率的技术问题；本发明中的中枢控制模块与数据采集模块和生长控制模块相连接；数据采集模块与若干类型数据传感器相连接，生长控制模块与晶体生长设备相连接；本发明获取晶体生长整个过程的视频数据，基于视频数据构建或者及时更新晶体生长模型；将晶体生长模型与构建的标准晶体模型进行比较，根据二者差异确定控制参数，通过生长控制模块对晶体生长设备进行控制；本发明通过晶体生长模型来实现监控，降低了成本和劳动强度；通过与标准晶体模型进行比较来确定晶体生长设备的调整幅度，实现高精度的自动化调节。
一种晶体生长智能控制系统

[发明专利]一种VGF法彩色宝石晶体生长坩埚支撑平台固定方法-CN202210929755.4在审
发明人：李伦;周长城 -专利权人：北京铭镓半导体有限公司;河南铭镓半导体有限公司
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明涉及坩埚支撑技术领域，且公开了一种VGF法彩色宝石晶体生长坩埚支撑平台固定方法，包括晶体生长坩埚主体、保温机构、加热机构和支撑机构，所述保温机构位于晶体生长坩埚主体的外部，所述加热机构位于保温机构的内部，所述支撑机构位于晶体生长坩埚主体的底端，所述支撑机构包括石墨杆、石墨支撑板和支撑柱。该VGF法彩色宝石晶体生长坩埚支撑平台固定方法，安装了支撑机构，通过石墨杆支撑晶体生长坩埚主体，使晶体生长坩埚主体稳固站立，避免晶体生长坩埚主体外道倾斜，多个石墨杆可以更好的支撑晶体生长坩埚，石墨支撑板用于支撑石墨杆，石墨支撑板固定支撑石墨杆的位置，避免石墨杆位移而影响对晶体生长坩埚主体的支撑。
一种 vgf 彩色宝石晶体生长坩埚支撑平台固定方法

[实用新型]晶体生长炉-CN200920076795.9无效
发明人：陈之战;施尔畏;严成锋;肖兵 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2009-06-22 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种晶体生长炉，属于晶体生长装置领域。本实用新型采用进样室和晶体生长室，进样室和晶体生长室连接真空系统和进气系统。本实用新型的晶体生长装置，能够克服现有技术的固有缺陷，保证了晶体生长室中的保温材料不和空气接触，最大程度减少了保温材料和生长室对氮及污染物的吸附。
晶体生长

[实用新型]一种晶体生长设备-CN202120746990.9有效
发明人：张春林 -专利权人：天津物科光电技术有限公司
申请日： 2021-04-13 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： C30B15/32 文献下载
摘要：本实用新型涉及晶体生长技术领域，具体公开了一种晶体生长设备，包括晶体生长炉，所述晶体生长炉上端开口设有炉盖，还包括晶体炉架，所述晶体炉架包括底座和升降组件；所述底座一端设有承载晶体生长炉的承载平台，所述升降组件包括水平布置的横梁和固定于底座对应承载平台两侧的升降柱，晶体生长设备的晶体生长炉能够安装在底座的承载平台上，承载能够在驱动机构的驱动下带动晶体生长炉转动；升降组件的横梁能够精确控制高度，从而调整籽晶杆的提拉高度；结合承载平台的旋转作用和升降组件的高度调整作用；可以使籽晶杆与晶体生长炉的炉体中心较为精准的对准同时又保证炉体的稳定性；有助于提高晶体生长质量。
一种晶体生长设备

[发明专利]HTCVD法碳化硅晶体生长装置-CN201110264570.8有效
发明人：刘兴昉;董林;郑柳;闫果果;王雷;赵万顺;孙国胜;曾一平;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2011-09-08 - 公布日： 2012-01-04 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：一种HTCVD法碳化硅晶体生长装置，所述晶体生长装置适用于高温化学气相沉积工艺，所述晶体生长装置包括：一真空室；一晶体生长室，与真空室连接，该晶体生长室包括多个独立的晶体生长腔；多个输送源气体的管路，该输送源气体的管路位于真空室和晶体生长室内，分别与晶体生长室的独立的晶体生长腔连通，用于向晶体生长室输送源气体；一用于排除尾气的管路，位于真空室和晶体生长室内，分别与多个晶体生长腔连接，用于排出晶体生长尾气。
htcvd 碳化硅晶体生长装置

[发明专利]一种晶体生长气泡消除装置及消除晶体生长气泡的方法-CN202210151701.X有效
发明人：郑国宗;胡子钰;林秀钦;李静雯;李鹏飞 -专利权人：闽都创新实验室;中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C30B7/08 文献下载
摘要：本申请公开了一种晶体生长气泡消除装置及消除晶体生长气泡的方法，属于晶体生长技术领域。一种晶体生长气泡消除装置，包括晶体生长槽、载晶架、电机、连接轴和旋转式扇叶；所述载晶架在晶体生长槽内；所述电机在晶体生长槽外；所述载晶架具有空心轴；所述连接轴穿过空心轴；所述连接轴和旋转式扇叶铰接；所述电机通过连接轴驱动旋转式扇叶旋转本发明在不影响溶液稳定性的情况下达到消除载晶架表面气泡的目的，节省晶体生长前的准备时间，有效提高晶体生长的成功率。
一种晶体生长气泡消除装置方法

[发明专利]一种重结晶生长GaN晶体的方法以及一种晶体生长设备-CN202110636709.0有效
发明人：吴熙 -专利权人：东莞理工学院
申请日： 2021-06-08 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：本发明涉及晶体生长技术领域，提供了一种重结晶生长GaN晶体的方法以及一种晶体生长设备。本发明利用GaN晶体粉末的分解为晶体生长提供镓源和氮源，无需外接氮源，并且本发明采用带有通孔的隔板将GaN晶体粉末和GaN籽晶分离开，可以避免GaN晶体粉末移动到GaN籽晶附近，GaN籽晶周围助熔剂的成分和比例不会发生改变，从而保证GaN晶体生长的可持续性和稳定性。本发明将重结晶技术引入到助熔剂法中，形成封闭的GaN晶体生长系统，提高了GaN晶体生长的稳定性，增强晶体生长的可延续性，延长晶体生长的时间，所得GaN晶体表面光滑整洁，质量高。
一种重结晶生长 gan 晶体方法以及晶体生长设备

[发明专利]基于人工智能的晶体生长分析方法及系统-CN202010502352.2在审
发明人：程章勇;张云伟;陈颖超;杨丽雯;何丽娟;李百泉;靳丽婕;李天运;韦玉平;王丽君 -专利权人：北京世纪金光半导体有限公司
申请日： 2020-06-05 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： G16C20/70 文献下载
摘要：本发明公开了基于人工智能的晶体生长分析方法及系统。具体涉及到晶体生长领域，尤其是碳化硅晶体生长领域。该发明主要分为试验、仿真、人工智能三部分。试验是数据最可靠的来源，也是验证人工智能分析、仿真分析的有效方法；仿真是对试验数据的补充，也是分析晶体生长的重要辅助方法；人工智能主要用于提取参数中的特征数据并分析、评估，界定晶体生长范围的方法。这样有利于构建一个分析、评价、评估、验证晶体生长状况，也可以界定晶体生长边界条件。
基于人工智能晶体生长分析方法系统

[实用新型]一种晶体生长气泡消除装置-CN202220339215.6有效
发明人：郑国宗;胡子钰;林秀钦;李静雯;李鹏飞 -专利权人：闽都创新实验室;中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： C30B7/08 文献下载
摘要：本申请公开了一种晶体生长气泡消除装置，属于晶体生长技术领域。一种晶体生长气泡消除装置，包括晶体生长槽、载晶架、电机、连接轴和旋转式扇叶；所述载晶架在晶体生长槽内；所述电机在晶体生长槽外；所述载晶架具有空心轴；所述连接轴穿过空心轴；所述连接轴和旋转式扇叶铰接；所述电机通过连接轴驱动旋转式扇叶旋转本实用新型在不影响溶液稳定性的情况下达到消除载晶架表面气泡的目的，节省晶体生长前的准备时间，有效提高晶体生长的成功率。
一种晶体生长气泡消除装置

[实用新型]一种具有可变生长空间的晶体生长装置-CN202120712333.2有效
发明人：王书杰;孙聂枫;史艳磊;邵会民;徐森锋;付莉杰;王阳;李晓岚;欧欣;宋瑞良;刘惠生;孙同年 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2021-04-08 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：一种具有可变生长空间的晶体生长装置，属于单晶制备领域，具体涉及晶体生长装置，特别涉及在晶体生长过程中根据晶体尺寸动态控制生长空间的晶体生长装置。设置在主体立柱之间的主炉体，主炉体内部有坩埚及坩埚加热、支撑结构，坩埚上方有籽晶杆及籽晶杆驱动装置，主炉体为开放的圆筒，通过主炉体驱动电机和主驱动臂定位在主体立柱上；设置与主炉体配套的可移动装置，可移动装置通过上下运动，实现晶体生长空间的变化控制采用本装置，在晶体生长的初期，生长空间小，热场对流小，容易进行晶体生长的引晶和放肩过程；待晶体长大后，炉体开始随着晶体的长大而伸长，晶体本身的降温会保证晶体生长的稳定性。
一种具有可变生长空间晶体生长装置

[发明专利]双室结构碳化硅晶体生长装置-CN200910053568.9有效
发明人：陈之战;施尔畏;严成锋;肖兵 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2009-06-22 - 公布日： 2010-12-29 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种双室结构碳化硅晶体生长装置，属于晶体生长装置领域。本发明采用进样室和晶体生长室，进样室和晶体生长室通过真空挡板阀连接分离，进样室和晶体生长室连接真空系统。本发明的晶体生长装置，能够克服现有技术的固有缺陷，保证了晶体生长室中的保温材料不和空气接触，最大程度减少了保温材料和生长室对氮及污染物的吸附，提高碳化硅晶体的纯度以及实现对杂质的精确控制，生长出高质量的导电型、掺杂半绝缘或高纯半绝缘等碳化硅晶体。
结构碳化硅晶体生长装置

[发明专利]一种晶体生长系统-CN201810885880.3在审
发明人：蒋子博 -专利权人：上海怡英新材料科技有限公司
申请日： 2018-07-28 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： C30B11/10 文献下载
摘要：本发明涉及晶体生长系统。该晶体生长系统包括晶体生长加料装置和晶体生长坩埚，该晶体生长加料装置包括加料坩埚、温控加热系统和加料导管，其中，温控加热系统用于加热并控制加料坩埚的温度，加料坩埚位于晶体生长坩埚上方，加料导管用于将加料坩埚中的熔化的晶体生长原料输送到晶体生长坩埚中本发明的晶体生长系统能够克服了现有技术中的晶体生长系统的诸多缺陷。例如，本发明能够方便地控制加料坩埚内及导管内原料熔液流入晶体生长坩埚的流量；能够使得晶体生长坩埚中晶体生长过程稳定；本发明还能解决加料时的加料溶液凝结而导致的加料不畅问题。同时，本发明的晶体生长系统能够结构简单，操作方便，能够大大降低了设备成本和生产成本。
加料晶体生长系统晶体生长坩埚坩埚导管温控加热系统加料装置晶体生长晶体生长过程晶体生长原料熔化设备成本原料熔液加热生产成本凝结

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