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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种稀土绿碳化硅及其用途和稀土绿碳化硅磨料磨具-CN201210188797.3无效
发明人：赵钧永 -专利权人：赵钧永
申请日： 2012-06-08 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明涉及一种稀土绿碳化硅及其用途和稀土绿碳化硅磨料磨具。现有的绿碳化硅的硬度和韧性度较低，用作磨料其磨削和切割能力弱，易破碎，回收价值低。而现有的稀土铈碳化硅颜色较差，商品的品质和性能不稳定并难以衡量。本发明的稀土绿碳化硅，其含有微量的稀土元素氯化物。其品质性能易于衡量、外观颜色接近普通绿碳化硅，性能和使用价值优于普通绿碳化硅和稀土铈碳化硅。该稀土绿碳化硅用作磨料，其显微硬度、韧性度显著提高，磨削切割性能大幅度提高。本发明的稀土绿碳化硅用于制造陶瓷材料，具有优良的机械和耐蚀性能。以本发明的稀土绿碳化硅制成的稀土绿碳化硅磨具有更优良的磨削性能。
一种稀土碳化硅及其用途磨料磨具

[发明专利]一种碳化硅纳米线宏观有序体及其制备方法-CN201810865340.9在审
发明人：杨金山;闫静怡;董绍明;周海军;胡建宝 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2018-08-01 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： C01B32/956 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅纳米线宏观有序体及其制备方法，所述碳化硅纳米线宏观有序体的制备方法包括：将碳化硅纳米线分散于溶剂中，再加入分散剂、粘结剂和增塑剂混合，得到碳化硅纳米线浆料；采用流延法将碳化硅纳米线浆料制成无序碳化硅纳米线薄膜；采取机械拉伸法处理无序碳化硅纳米线薄膜，得到所述碳化硅纳米线宏观有序体。
碳化硅纳米线制备宏观浆料薄膜机械拉伸法分散剂流延法增塑剂粘结剂溶剂

[发明专利]一种碳化硅板修复的方法-CN201310151758.0无效
发明人：熊玉堂;杨启付;黄景德 -专利权人：福建省佳圣轩工艺品有限公司
申请日： 2013-04-27 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： C04B41/85 文献下载
摘要：一种碳化硅板修复的方法，涉及一种碳化硅板。提供一种可降低成本，解决产品粘脚的碳化硅板修复的方法。碳化硅板粗加工处理；将粗加工处理后的碳化硅板喷砂表面处理；将表面处理后的碳化硅板喷砂加热；将加热后的碳化硅板放至水帘机喷氧化铝涂层后，再用窑炉空烧，即得碳化硅板。
一种碳化硅修复方法

[发明专利]碳化硅粉末及其制备方法-CN201380050878.X有效
发明人：闵庚皙 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2013-05-28 - 公布日： 2017-06-27 - 主分类号： C01B32/956 文献下载
摘要：提供了一种制备碳化硅粉末的方法，该方法包括将第一碳化硅粉末与液态碳化硅前体混合；在第一温度下对该混合物进行退火并且将碳化硅前体转化为β相碳化硅颗粒物质；以及在第二温度下对该物质进行退火并且利用β相碳化硅颗粒物质将第一碳化硅粉末晶粒生长为第二碳化硅粉末
碳化硅粉末及其制备方法

[发明专利]碳化硅缓冲层电阻率的测试方法-CN201911101363.3在审
发明人：赵丽霞;杨龙;吴会旺 -专利权人：河北普兴电子科技股份有限公司
申请日： 2019-11-12 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明适用于碳化硅外延生长技术领域，提供了一种碳化硅缓冲层电阻率的测试方法，该方法包括：在碳化硅衬底上的预设位置测量碳化硅衬底的厚度，获得第一厚度；在与预设位置一致的位置分别测量碳化硅片的厚度以及碳化硅片的电阻，获得第二厚度以及方块电阻，碳化硅片为在碳化硅衬底上生长缓冲层获得的样品；根据碳化硅衬底的厚度、碳化硅片的厚度以及方块电阻，计算获得缓冲层的电阻率，从而可以快速、准确地获得缓冲层的电阻率，本实施例采用的碳化硅缓冲层电阻率的测试方法具有无损
碳化硅缓冲层碳化硅片电阻率衬底方块电阻预设位置测量碳化硅外延测试生长电阻无损

[发明专利]一种降低碳化硅单晶内部碳包体缺陷密度的方法-CN202110455797.4在审
发明人：毛开礼;魏汝省;赵丽霞;李斌;戴鑫;李天;范云;靳霄曦 -专利权人：山西烁科晶体有限公司
申请日： 2021-04-26 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低碳化硅单晶内部碳包体缺陷密度的方法，涉及碳化硅单晶制备技术领域；具体是将混合了粘合剂的碳化硅颗粒混合物烧结形成碳化硅多晶多孔块体，去除残余碳后将碳化硅多晶多孔块体放置于坩埚中碳化硅粉体上部，使碳化硅粉体和坩埚顶部的碳化硅籽晶相隔离，之后采用物理气相传输法制备碳化硅单晶；本发明降低了碳化硅单晶中的碳包体缺陷密度；通过控制多孔多晶料块的孔隙密度来实现对升华气氛输运的调节，从而调节晶体生长速率，有利于实现高质量碳化硅单晶的生长。
一种降低碳化硅内部碳包体缺陷密度方法

[发明专利]碳化硅肖特基二极管及其制作方法-CN201980000141.4有效
发明人：丘树坚;王兆伟 -专利权人：香港应用科技研究院有限公司
申请日： 2019-01-16 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：一种碳化硅二极管，其包含碳化硅衬底(20)、位于碳化硅衬底顶部的碳化硅层(24)、设置在碳化硅层上并沿着碳化硅层顶表面彼此分离两个第一低势垒金属部分(36)、连接到两个低势垒金属部分的第一高势垒金属部分碳化硅层比碳化硅衬底更薄并且具有更低的掺杂。第一高势垒金属部分位于碳化硅层上的沿着碳化硅层顶表面方向的两个第一低势垒金属部分之间。通过减小结势垒处的漏电流，碳化硅二极管的反向击穿电压显著提高。
碳化硅肖特基二极管及其制作方法

[发明专利]一种碳化硅纳米线阵列基压电纳米发电机的制备方法-CN201911032088.4有效
发明人：侯新梅;周林林;杨涛;王恩会;陈俊红;李斌 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2019-10-28 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H02N2/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅纳米线阵列基压电纳米发电机的制备方法，其步骤包括：将碳化硅单晶片切割成碳化硅片，然后对碳化硅片进行超声清洗和化学腐蚀，除去碳化硅片表面的氧化物；以碳化硅片和石墨片分别作为阳极和阴极，在蚀刻溶液中通电进行阳极氧化，制得碳化硅纳米线阵列；对碳化硅纳米线阵列进行剥离，使碳化硅纳米线阵列的阵列层脱落；以剥离后的碳化硅纳米线阵列为压电材料构筑上下电极式的压电纳米发电机。本发明提供的一种碳化硅纳米线阵列基压电纳米发电机的制备方法，制备过程简单、输出性能优越。
一种碳化硅纳米阵列压电发电机制备方法

[发明专利]一种利用氮化硼提高碳化硅陶瓷生长速率的方法-CN202110151670.3有效
发明人：戴培赟;王东娟;李晓丽;殷铭良;张吉亮;路金喜 -专利权人：潍坊工商职业学院
申请日： 2021-02-03 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅陶瓷制备领域，具体涉及一种利用氮化硼提高碳化硅陶瓷生长速率的方法。包括将碳化硅原料置于高纯石墨坩埚中，采用物理气相输运法制备碳化硅陶瓷，所述碳化硅原料在高纯石墨坩埚中自下而上分为三层，分别为碳化硅和淀粉形成的混合粉料A层，碳化硅和氮化硼形成混合粉料B层以及碳化硅粉形成的粉料本发明技术方案通过将三种不同粉料分层放置，在提高碳化硅陶瓷生长速率的同时避免了由于生长速率过快所导致的碳化硅晶体缺陷的产生，保证了碳化硅陶瓷的致密性。
一种利用氮化提高碳化硅陶瓷生长速率方法

[发明专利]一种提高固相合成碳化硅出料率的合成方法-CN202310905728.8有效
发明人：周元辉;陈建明;刘春艳 -专利权人：苏州优晶光电科技有限公司
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C01B32/984 文献下载
摘要：本发明属于碳化硅晶体生长的衍生技术领域，具体涉及一种提高固相合成碳化硅出料率的合成方法，包括使碳化硅产物块体进行破碎、筛分、清洗和干燥后获得碳化硅粉末，所述碳化硅产物块体为固相合成获得的碳化硅产物块体，所述碳化硅粉末的粒度为20目~80目；使碳粉、硅粉和所述碳化硅粉末均匀混合后得到用于所述固相合成的原料，所述原料中，所述碳化硅粉末的质量与碳粉和硅粉的质量之和的比值为0.04~0.2；将所述原料铺设至所述固相合成所用的坩埚内，将所述坩埚放入合成炉中，进行固相合成碳化硅。本发明的方法能够提高碳化硅固相合成出料率。
一种提高相合碳化硅出料率合成方法

[发明专利]一种碳化硅籽晶的固定方法及固定结构-CN202111103172.8在审
发明人：钟红生;徐所成;王亚哲;陈鹏磊;姚秋鹏;皮孝东 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2021-09-18 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅籽晶的固定方法及固定结构，固定方法包括以下几个步骤：材料的预处理：在碳化硅籽晶片的上表面镀一层碳化膜；材料的固定：将钨箔片放置在碳化硅籽晶片的碳化膜和碳化硅陶瓷片之间，在碳化硅陶瓷片上放置压重块使得钨箔片、碳化硅籽晶片和碳化硅陶瓷片紧密接触；烧结成型：将固定后的材料放入加热设备中烧结一段时间使得钨箔片加热熔融后与碳化硅籽晶片、碳化硅陶瓷片固定连接，去掉压重块，最终获得碳化硅籽晶固定结构。本发明具有在粘接固定籽晶时无需使用粘接剂以避免粘接剂对碳化硅籽晶的腐蚀，紧密固定籽晶，提高碳化硅晶体的质量和良品率等优点。
一种碳化硅籽晶固定方法结构

[发明专利]一种碳化硅欧姆接触及其制备方法-CN202110388444.7在审
发明人：薛梦谦;许恒宇;万彩萍 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅欧姆接触及其制备方法，属于半导体技术领域，解决了现有技术中碳化硅欧姆接触的金属或者合金层存在可重复性差、抗氧化能力弱、表面质量差等问题。本发明的方法在碳化硅衬底上形成碳化硅掺杂层；在碳化硅掺杂层表面通过磁控溅射或蒸发的方式依次沉积镍层、铝层和钛层，得到待处理碳化硅欧姆接触；对待处理碳化硅欧姆接触依次进行阶梯式的两次退火处理，得到碳化硅欧姆接触本发明的碳化硅欧姆接触及其制备方法可用于碳化硅器件。
一种碳化硅欧姆接触及其制备方法

[发明专利]碳化硅外延衬底及其制造方法以及碳化硅半导体器件-CN201510518439.8在审
发明人：日吉透 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2015-08-21 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅外延衬底及其制造方法以及碳化硅半导体器件。所述制造碳化硅外延衬底的方法包括以下步骤：准备碳化硅衬底；和在碳化硅衬底上形成碳化硅层。在该制造方法中，在形成碳化硅层的步骤中，重复生长外延层的步骤和抛光外延层的表面的步骤两次或更多次。
碳化硅外延衬底及其制造方法以及半导体器件

[发明专利]一种复合碳化硅衬底及其制备方法-CN202210098073.3在审
发明人：王振中 -专利权人：无锡华鑫检测技术有限公司
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：本发明提出了一种复合碳化硅衬底，包括碳化硅单晶层、碳化硅多晶层以及位于碳化硅单晶层与碳化硅多晶层之间碳化硅陶瓷层；所述碳化硅单晶层晶体为六方相4H型，所述碳化硅多晶层晶体颗粒为立方相3C型；所述碳化硅陶瓷层晶体颗粒为六方相4H型和立方相3C型的混合；所述碳化硅陶瓷层靠近碳化硅单晶层的一侧，其六方相4H型晶体颗粒的平均尺寸大于陶瓷层中其他位置的4H型晶体颗粒；所述碳化硅陶瓷层靠近碳化硅多晶层的一侧，其立方相3C型晶体颗粒平均尺寸大于陶瓷层中其他位置的解决了碳化硅单晶和多晶复合衬底存在的界面空隙和缺陷问题，能有效保持衬底性能稳定及与后续垂直器件工艺的兼容性，为高性能低成本碳化硅基器件制备奠定基础。
一种复合碳化硅衬底及其制备方法

[发明专利]一种基于碳化硅单晶的X射线探测器及其制备方法-CN201810338112.6有效
发明人：梁红伟;夏晓川;张贺秋 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2018-04-12 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L31/115 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件制备技术领域，涉及一种基于碳化硅单晶的X射线探测器及其制备方法。该探测器主要包括：高阻碳化硅单晶、高电子浓度n型碳化硅层、低电子浓度n型碳化硅层、高空穴浓度p型碳化硅层、低空穴浓度p型碳化硅层、二氧化硅保护层、p型碳化硅欧姆接触电极、n型碳化硅欧姆接触电极、和金引线电极本发明提出一种有效而简便的工艺制造技术，解决了碳化硅基高能X射线探测器的制备难题，实现新型碳化硅辐射探测器的研制。
一种基于碳化硅射线探测器及其制备方法

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