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[发明专利]太阳能电池用大尺寸硅锭的制备方法-CN201811050560.2在审
发明人：王书杰;孟静 -专利权人：孟静
申请日： 2018-09-10 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池用大尺寸硅锭的制备方法，涉及多晶硅或单晶硅铸锭用方法技术领域。所述方法利用钼制硅单晶棒夹持工具将硅单晶棒按相同晶向阵列排列在钼坩埚与陶瓷环的复合坩埚中，然后向钼坩埚中添加助溶剂（高纯铜粉或者细小的铜块），通过多温区及等离子熔炼使得熔体产生温度梯度凝固。最终使得单晶块阵列快速凝固为一块整体的准单晶，利用具有高梯度凝固高速率凝固的特性，最后通过破坏陶瓷环来取出硅锭，该方法具有结晶效率高的特点。
凝固大尺寸硅锭太阳能电池硅单晶棒陶瓷环钼坩埚制备单晶硅等离子电极等离子熔炼界面稳定性复合坩埚夹持工具结晶效率快速凝固温度梯度阵列排列多晶硅多温区高纯铜高梯度硅熔体过冷度铜元素助溶剂准单晶单晶硅锭挥发晶向熔体铜块铸锭钼制取出

[发明专利]太阳能电池用大尺寸硅锭的制备装置-CN201811049988.5在审
发明人：王书杰;孟静 -专利权人：孟静
申请日： 2018-09-10 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池用大尺寸硅锭的制备装置，涉及多晶硅或单晶硅铸锭用装置技术领域。所述装置利用钼制硅单晶棒夹持工具将硅单晶棒按相同晶向阵列排列在钼坩埚与陶瓷环的复合坩埚中，然后向钼坩埚中添加助溶剂（高纯铜粉或者细小的铜块），通过多温区及等离子熔炼使得熔体产生温度梯度凝固。最终使得单晶块阵列快速凝固为一块整体的准单晶，利用具有高梯度凝固高速率凝固的特性，最后通过破坏陶瓷环来取出硅锭，具有结晶效率高的特点。
凝固大尺寸硅锭太阳能电池硅单晶棒制备装置陶瓷环钼坩埚装置技术领域单晶硅等离子电极等离子熔炼界面稳定性复合坩埚夹持工具结晶效率快速凝固温度梯度阵列排列多晶硅多温区高纯铜高梯度硅熔体过冷度铜元素助溶剂准单晶单晶硅锭挥发晶向熔体铜块铸锭钼制取出

[发明专利]N型少子寿命大于1000微秒太阳能硅片制造方法-CN201110227678.X有效
发明人：任丙彦;任丽 -专利权人：任丙彦;任丽
申请日： 2011-08-10 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H01L31/00 文献下载
摘要：以少子寿命大于1000微秒的N型太阳能硅单晶棒为原料，具体工艺步骤：方棒机械抛光，抛光电流6-10A，工件移动速度10-25mm/min，用HF酸与HNO3化学抛光，多线切割，硅片脱胶，硅片清洗，硅片烘干；在硅单晶切割、脱胶、清洗工艺中减小沾污以保持N型单晶硅片的寿命，本发明实用、效率高、成本低，能够制得N型、<100>晶向、电阻率范围为1～20Ω·cm、IRON (Fe)＜5E+13atoms/cm2、COPPER(Cu)＜20E+13atoms/cm2、少数载流子寿命＞1000μs的太阳能级单晶硅片，使其远优于普通方法制得的N型单晶硅片，能满足高效太阳能电池的要求。
少子寿命大于 1000 微秒太阳能硅片制造方法

[发明专利]用直拉区熔法制备6英寸N型太阳能硅单晶的方法-CN201210032561.0无效
发明人：王彦君;张雪囡;王岩;徐强;高树良;沈浩平 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2012-02-14 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：本发明涉及硅单晶的制备工艺，特别涉及一种用直拉区熔法制备6英寸N型太阳能硅单晶的方法。其特征在于，首先用直拉法进行硅多晶料的拉制；然后进行锭形加工、清洗腐蚀，再用区熔气掺的方法继续拉制掺杂的硅单晶，本发明的有益效果是：运用气相掺杂区熔硅单晶方法结合直拉硅单晶生产方法，通过控制抽空充气，掺杂气体浓度，掺杂气通入量，拉晶工艺参数范围，使工艺方法满足了生产6英寸N型太阳能硅单晶的要求。
用直拉区熔法制英寸太阳能硅单晶方法

[发明专利]外延碳化硅单晶基板及其制造方法-CN201080005900.5有效
发明人：蓝乡崇;柘植弘志;星野泰三;藤本辰雄;胜野正和;中林正史;矢代弘克 -专利权人：新日本制铁株式会社
申请日： 2010-01-29 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供一种具有在使用了偏离角度为6°及其以下的基板的外延生长中抑制了台阶束的发生的高品质外延膜的外延SiC单晶基板及其制造方法。本发明的外延碳化硅单晶基板，是在偏离角度为6°以下的碳化硅单晶基板上形成了碳化硅单晶薄膜的外延碳化硅单晶基板，其特征在于，所述碳化硅单晶薄膜表面的表面粗糙度(Ra值)为0.5nm以下。
外延碳化硅单晶基板及其制造方法

[发明专利]具有偏角的硅单晶和III族氮化物单晶的层叠基板-CN201280072011.X有效
发明人：成田哲生;伊藤健治;冨田一义;大竹伸幸;星真一;松井正树 -专利权人：株式会社丰田中央研究所;株式会社电装
申请日： 2012-11-01 - 公布日： 2014-12-17 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：得到在硅单晶基板上III族氮化物单晶进行阶梯流动生长的现象。在硅单晶基板的表面上形成取向成硅单晶的<111>轴的氧化物的膜，在该氧化物的膜的表面上使III族氮化物单晶进行结晶。由此，晶体生长的III族氮化物单晶的<0001>轴取向成氧化物的c轴。如果对硅单晶基板赋予偏角，则III族氮化物单晶进行阶梯流动生长。通过将在硅单晶与氧化物的界面上形成的硅氧化物膜还原，氧化物的取向性得到改善。
具有偏角硅单晶 iii 氮化物层叠

[实用新型]一种可控制硅单晶的体微缺陷密度的单晶炉-CN202123017512.3有效
发明人：袁长宏;娄中士;李鹏飞;田旭东;李振;闫鹏飞;沙志强;张净源;周宏邦;贾海洋;王淼;张强 -专利权人：内蒙古中环领先半导体材料有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本实用新型提供一种可控制硅单晶的体微缺陷密度的单晶炉，在单晶炉的炉体内配设有用于监控已拉出硅单晶等径段的温度梯度的测温装置以及用于调控所述等径段温度梯度的调控装置，所述测温装置和所述调控装置均固设于所述炉体内侧本实用新型一种可控制硅单晶的体微缺陷密度的单晶炉，通过设置多组测温仪以监测硅单晶等径段中不同位置的阶梯温度，并通过设置不同位置的调控装置以保证不同阶梯温度的稳定性，提高硅单晶降温保温的精准度，以获得满足终端产片质量的硅单晶
一种控制硅单晶缺陷密度单晶炉

[发明专利]半导体集成电路硅单晶片衬底背面氮化硅层的新腐蚀方法-CN200410066298.2有效
发明人：季华;陈国庆 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2004-09-10 - 公布日： 2006-03-15 - 主分类号： H01L21/3063 文献下载
摘要：半导体集成电路硅单晶片衬底背面氮化硅层的腐蚀方法，包括以下步骤：(1)设置硅单晶片衬底；(2)硅单晶片衬底上淀积氧化物栅材料；(3)淀积多晶硅层；(4)硅单晶片衬底顶表面上和背面上形成氮化硅(SiN)保护层；(5)硅单晶片衬底顶表面上形成的氮化硅(SiN)层上形成二氧化硅(SiO₂)层；(6)用磷酸(H₃PO₄)湿腐蚀除去硅单晶片衬底背面上的氮化硅(SiN)层；(7)用氢氟酸(HF)腐蚀除去硅单晶片衬底顶表面的氮化硅(SiN)层上的二氧化硅(SiO₂)层，保留衬底顶表面的氮化硅(SiN)层。
半导体集成电路晶片衬底背面氮化腐蚀方法

[发明专利]硅单晶的制造方法-CN201811548364.8有效
发明人：铃木优作 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：硅单晶的制造方法，其中，通过在向熔融带域吹附掺杂气体的同时控制电阻率的FZ法，培育硅单晶，所述方法实施下述步骤：步骤(S1)，利用规定的培育装置而获取硅单晶的培育实际数据；步骤(S2)，基于培育实际数据，演算硅单晶的电阻率的实际值与硅单晶的掺杂气体吸收率的关系；步骤(S3)，基于电阻率的实际值和掺杂气体吸收率的关系，由使用同一培育装置制造的硅单晶的电阻率的目标值，演算掺杂气体供给量；和，步骤(S4)，在利用演算的掺杂气体供给量而吹附掺杂气体的同时，控制培育的硅单晶的电阻率。
硅单晶制造方法

[实用新型]一种倒角装置-CN202122075730.6有效
发明人：赵旭良 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： B24B9/06 文献下载
摘要：本申请提供了一种倒角装置，属于研磨技术领域，具体包括两个压盘、至少两个倒角磨轮和预紧构件；两个压盘竖直设置，压盘相对设置，硅单晶片竖直地设置于两个压盘之间，压盘相对于硅单晶片进行随动；至少两个倒角磨轮沿硅单晶片的下方圆周方向设置，多个倒角磨轮以硅单晶片所在平面的竖直轴线为对称轴进行对称布置，倒角磨轮由伺服电机驱动旋转；预紧构件设置于硅单晶片的上方，用于调整硅单晶片的目标直径。通过本申请的处理方案，可以提高硅单晶片研磨时的稳定性，降低碎片率，提高研磨效率。
一种倒角装置

[发明专利]碳化硅单晶生长装置及碳化硅单晶制备设备-CN201910108176.1在审
发明人：陈泽斌;张洁;廖弘基;陈华荣 -专利权人：福建北电新材料科技有限公司
申请日： 2019-02-02 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅单晶生长装置及碳化硅单晶制备设备，属于晶体生长领域。所述碳化硅单晶生长装置包括坩埚，坩埚包括主要由底壁和下侧壁组成的坩埚体，以及上侧壁和坩埚盖；上侧壁安装在所述下侧壁上，坩埚盖用于盖合在所述上侧壁上；坩埚体、上侧壁和坩埚盖形成用于生长碳化硅单晶的密闭空间；或者，坩埚包括主要由底壁和下侧壁组成的下坩埚体，以及主要由上侧壁和坩埚盖形成的上坩埚体；上坩埚体的上侧壁安装盖合在所述下坩埚体的下侧壁上，以使上坩埚体和下坩埚体形成用于生长碳化硅单晶的密闭空间。上述碳化硅单晶生长装置及碳化硅单晶制备设备制备碳化硅单晶的过程中可以避免坩埚整体损坏，并减少人员受伤的几率。
碳化硅单晶坩埚体上侧壁生长装置下侧壁坩埚盖制备设备坩埚密闭空间底壁晶体生长领域坩埚整体安装盖生长盖合制备受伤

[发明专利]一种碳化硅单晶及其生产方法和应用-CN202011344150.6有效
发明人：方帅;高宇晗;高超;石志强;杨世兴;宗艳民 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种碳化硅单晶及其生产方法和应用。所述方法包括如下步骤：使用物理气相传输法生长碳化硅单晶，根据所述碳化硅单晶的温度分布，通过透气性石墨材料向所述碳化硅单晶处渗透氮气的方式，调节所述碳化硅单晶中的掺氮量的分布。本发明在PVT长晶过程中使用石墨壁向内渗透氮气的方式，可以平衡PVT法碳化硅长晶存在的径向和轴向上的温度梯度所带来的掺氮量、电阻率分布不均的技术问题，本发明可以用于调节N型碳化硅单晶掺氮量、电阻率分布，在提高大尺寸N型碳化硅单晶掺氮量的分布均匀性、电阻率的分布均匀性以及提高碳化硅单晶品质等方面具有重要应用价值。
一种碳化硅及其生产方法应用

[发明专利]基于区熔硅单晶的双极光晶体管及其探测方法-CN03153378.7无效
发明人：韩德俊 -专利权人：北京师范大学
申请日： 2003-08-12 - 公布日： 2005-02-16 - 主分类号： H01L31/11 文献下载
摘要：本发明基于区熔硅单晶的双极光晶体管采用区熔硅单晶片来制作。由于区熔硅单晶的生长不需要坩埚，在制备过程中硅单晶除了与保护气体接触外不与其它任何材料直接接触，因此区熔硅单晶比直拉硅单晶或其它半导体单晶材料有更高的纯度、更少的杂质缺陷。采用区熔硅单晶制作的双极器件，缺陷(包括重金属杂质)少，因而产生复合中心少，少子的寿命长，能够极大地提高双极光晶体管小信号增益特性，提高探测微弱光信号的灵敏度。
基于区熔硅单晶极光晶体管及其探测方法

[发明专利]一种掺杂少量钒的高质量半绝缘碳化硅单晶及衬底-CN201811204690.7有效
发明人：高超;刘家朋;李加林;李长进;李霞;张红岩 -专利权人：山东天岳先进材料科技有限公司
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种掺杂少量钒的高质量半绝缘碳化硅单晶及衬底，属于半导体材料领域。该半绝缘碳化硅单晶包含浅能级杂质、低浓度深能级掺杂剂和极少量本征点缺陷；所述深能级掺杂剂与所述本征点缺陷共同补偿浅能级杂质，所述深能级掺杂剂的浓度小于掺杂半绝缘碳化硅单晶中深能级掺杂剂的浓度；所述本征点缺陷的浓度为室温下碳化硅单晶中的本征点缺陷原生浓度，所述本征点缺陷浓度不影响碳化硅单晶电学性能的稳定性。该半绝缘碳化硅单晶具有高度稳定的电阻率，并且具有高的电阻率均匀性。由该碳化硅单晶制备的碳化硅单晶衬底具有高的电阻率均匀性、低应力，使得碳化硅单晶衬底具有优异的面型质量，从而保证了后续外延质量的稳定性和一致性。
一种掺杂少量质量绝缘碳化硅衬底

[发明专利]高质量硅单晶结晶块的生长装置及使用此装置的生长方法-CN200610003165.X无效
发明人：赵铉鼎 -专利权人：希特隆股份有限公司
申请日： 2006-02-20 - 公布日： 2007-03-28 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于生长高质量硅单晶结晶块的生长装置和方法，以及由此生产的硅单晶结晶块和晶片。该生长装置将硅单晶结晶块中的氧含量控制为各种值，因此，以高的生产率生产出极度控制了生长缺陷的硅单晶结晶块。
质量硅单晶结晶生长装置使用方法