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[发明专利]一种16K小麦全基因组mSNP区段组合、基因芯片及应用-CN202210046225.5有效
发明人：曾庆东;刘胜杰;相明杰;吴建辉;王长发;郑炜君;李春莲;袁凤平;康振生;韩德俊 -专利权人：西北农林科技大学
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C12Q1/6895 文献下载
摘要：本发明涉及一种16K小麦全基因组mSNP区段组合、基因芯片及应用，所述16K小麦全基因组mSNP区段组合，包括15478个mSNP区段，所述15478个mSNP区段的物理位置是基于小麦品种中国春(Chinese Spring)的全基因组序列比对确定的，所述16K小麦品种中国春的全基因组序列的版本号为Chinese_Spring IWGSC RefSeq 1.0，所述15478个mSNP区段如S00001‑15478所示。本发明的mSNP区段组合具有代表性高，多样性信息丰富、标记分布均匀的特点，同等的标记密度下，具有更低的成本价格，极大的降低了应用成本。
一种 16 小麦基因组 msnp 区段组合基因芯片应用

[发明专利]一种小麦条锈菌基因组SNP位点组合在小麦条锈菌基因分型中的应用-CN202310187152.6在审
发明人：曾庆东;严浩浩;赵晶;王洁荣;马哲;康振生;韩德俊 -专利权人：西北农林科技大学
申请日： 2023-03-01 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C12Q1/6895 文献下载
摘要：本发明涉及一种小麦条锈菌基因组SNP位点组合在小麦条锈菌基因分型中的应用，所述小麦条锈菌基因组SNP位点组合包括9365个SNP位点，所述9365个SNP位点的物理位置是基于小麦条锈菌参考基因组Pst_104E_v13_all_ctg比对确定的；所述9365个SNP位点的物理位置信息见表1。本发明能够高效、便捷、精准、高覆盖率，且经济、快速的进行小麦条锈菌基因分型检测。
一种小麦锈菌基因组 snp 组合基因中的应用

[发明专利]一种小麦抗条锈病基因YrNP63的功能KASP分子标记及其应用-CN202310200405.9在审
发明人：曾庆东;刘胜杰;王晓婷;程相瑞;相明杰;穆可卿;吴建辉;康振生;韩德俊 -专利权人：西北农林科技大学
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C12Q1/6895 文献下载
摘要：本发明涉及一种小麦抗条锈病基因YrNP63的功能KASP分子标记及其应用，所述功能KASP分子标记为KASP2683，所述功能KASP分子标记是根据特异性SNP位点G2683A设计的KASP2683的引物扩增DNA模板所获得的核苷酸序列；所述SNP位点G2683A位于YrNP63编码基因CDS序列的第2683位，SNP位点G2683A的多态性分别为A/G。本发明开发的功能型KASP分子标记KASP2683可以简便、快速、高通量地应用于小麦分子辅助育种和YrNP63基因的种质资源筛查中。
一种小麦条锈病基因 yrnp63 功能 kasp 分子标记及其应用

[发明专利]一种与小麦育种性状相关的SNP位点组合及其应用-CN202210833588.3有效
发明人：曾庆东;相明杰;刘胜杰;王长发;吴建辉;郑炜君;李春莲;袁凤平;康振生;韩德俊 -专利权人：西北农林科技大学
申请日： 2022-07-15 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C12Q1/6895 文献下载
摘要：本发明涉及一种与小麦育种性状相关的SNP位点组合及其应用，与小麦重要育种性状相关的SNP位点组合，包括99个SNP位点，每个SNP位点包含两种不同的碱基变异位点，用于检测该位点的等位基因变化，所述99个SNP位点的物理位置是小麦参考基因组IWGSC RefSeq v.2.1序列比对所确定；本发明99个SNP位点组合可应用于小麦的分子育种工作中，快速的筛分析种质资源，确定育种亲本材料是否含有优良基因和携带优异等位变异；此外，本发明采用的SNP位点组合仅仅包括99个SNP位点，位点数量少，大大降低了检测成本，更适用于进行大规模基因筛查工作。
一种小麦育种性状相关 snp 组合及其应用

[发明专利]小麦抗条锈病基因YrAK58功能性分子标记及其应用-CN202310107394.X在审
发明人：吴建辉;李晨晨;刘胜杰;韩金妤;张丹丹;王海英;韩德俊;曾庆东;王长发;李春莲;郑炜君;康振生 -专利权人：西北农林科技大学
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C12Q1/6895 文献下载
摘要：本发明属于分子生物学技术领域，具体涉及小麦抗条锈病基因YrAK58功能性分子标记及其应用。所述分子标记为Ta4417，该分子标记与小麦抗条锈病基因YrAK58共定位于小麦7B染色体上，该分子标记的核苷酸序列如SEQ IDNO.1所示，且核苷酸序列自5′端起第24位碱基是SNP位点，其中Y为碱基C或T。利用该分子标记的特异性引物可准确高效地鉴定抗条锈病小麦品种中是否含有抗条锈病基因YrAK58，以及是否抗条锈病，该分子标记可用于分子标记辅助育种中，极大地提高育种选择效率。
小麦条锈病基因 yrak58 功能分子标记及其应用

[发明专利]光电探测芯片的封装结构和封装方法-CN202211482710.3在审
发明人： 韩德俊;刘宇霄;杨茹 -专利权人：北京师范大学
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明提供一种光电探测芯片的封装结构和封装方法，封装结构包括：封装基板，背面有第一电极和第二电极，正面有第一导电焊盘和第二导电焊盘；光电探测芯片，正面靠近第二导电焊盘的一侧及其对侧均设置有正面电极，背面电极通过第一导电连接体与第一导电焊盘电连接，靠近第二导电焊盘的一侧的正面电极通过第二导电连接体与第二导电焊盘电连接；封装绝缘体，至少封装在第二导电连接体与光电探测芯片的侧壁之间以及第二导电连接体与光电探测芯片正面的非有源区之间；第一光电探测芯片和第二光电探测芯片分别贴装于偏离第一封装区域和第二封装区域的中心而偏向远离第二导电电连接体的一侧。
光电探测芯片封装结构方法

[发明专利]硅光电倍增探测器-CN202210682627.4有效
发明人： 韩德俊 -专利权人：北京师范大学
申请日： 2022-06-16 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明提供一种硅光电倍增探测器，包括：探测器主体，其包括由多个APD单元集成在衬底上形成的APD阵列，每个APD单元串联一个雪崩淬灭电阻，在探测器主体外围还设有另外的APD单元，所有APD单元的表面由均匀连续的重掺杂硅导电层连接，其上为绝缘介质层；正面电极，其位于探测器主体正面的绝缘介质层表面，正面电极包括平行金属条或相互垂直的栅格金属条，及与金属条连接的一个或多个金属引出电极；背面电极，其位于整个硅光电倍增探测器背面硅衬底的外侧。在绝缘介质层相应APD单元的顶角位置设有通孔，正面电极的金属条完全覆盖通孔，并与通孔下的重掺杂硅导电层形成欧姆接触。本发明具有探测效率高、动态范围大、增益均匀、单光子分辨好等优点。
光电倍增探测器

[发明专利]光电探测芯片的封装方法和封装结构-CN202110065307.X有效
发明人： 韩德俊;谭启广;程文譞;杨茹 -专利权人：北京师范大学
申请日： 2021-01-18 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种光电探测芯片的封装方法和封装结构，该封装方法包括：将光电探测芯片贴装在封装基板上，封装基板的背面具有第一电极和第二电极，正面具有第一导电焊盘和第二导电焊盘，第一导电焊盘和第一电极之间通过第一导电通孔连接，第二导电焊盘和第二电极之间通过第二导电通孔连接；光电探测芯片的背面电极与第一导电焊盘电连接；利用光刻技术在第一封装基体上形成图案化的封装绝缘体，使得所述封装绝缘体至少部分覆盖光电探测芯片的侧壁以及光电探测芯片正面的非有源区；沿封装绝缘体的至少部分表面形成第二导电连接体来将光电探测芯片的正面电极和第二导电焊盘相连接；在得到的封装基体上涂覆保护层，得到光电探测芯片的封装结构。
光电探测芯片封装方法结构

[发明专利]一种提高硅光电倍增器几何填充因子的凹凸复合微透镜-CN202110330395.1在审
发明人： 韩德俊;谭启广;杨茹 -专利权人：北京师范大学
申请日： 2021-03-24 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高硅光电倍增器几何填充因子的凹凸复合微透镜。所述凹凸复合微透镜阵列包括呈阵列布置的基础结构；基础结构的上部设有向外的凸透镜，相邻所述基础结构之间设有向内凹陷的凹透镜；基础结构、凸透镜和凹透镜均由光刻胶制成。本发明复合凸凹透镜材料的折射率为1.57～1.65，能够将入射到SiPM APD微单元上的光汇聚到所述微单元的中心，使入射到APD微单元之间的光折射、发散进入到APD微单元，从而提高SiPM的几何填充因子和探测效率。本发明制作凹凸复合微透镜阵列的材料兼具钝化保护SiPM的作用；并且，本发明制作凹凸复合微透镜阵列的方法与SiPM封装工艺兼容，使得凹凸复合微透镜阵列的制备可以在封装SiPM的过程中一次性完成。
一种提高光电倍增器几何填充因子凹凸复合透镜

[发明专利]烯丙胺类化合物用于制备防治小麦真菌病害药物的应用-CN202010897352.7有效
发明人：曾庆东;李翔;袁凤平;纪凡;刘佳劼;吴建辉;王琪琳;康振生;韩德俊 -专利权人：西北农林科技大学
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： A01N33/04 文献下载
摘要：本发明公开了烯丙胺类化合物用于制备防治小麦真菌病害药物的应用。实验研究表明，特比奈芬对小麦纹枯菌及赤霉菌具有显著的防治效果。本发明在全基因组测序基础上，预测出纹枯菌次生代谢核心酶‑角鲨烯合成酶，以此为靶点，利用烯丙胺类药物‑特比萘芬进行药效测试，发现该药对小麦赤霉菌和纹枯菌具有有效效果。该靶点不同于目前生产上大规模应用的DMI类药剂，能有效解决DMI引起的抗药性。
烯丙胺类化合物用于制备防治小麦真菌病害药物应用

[发明专利]主动淬灭型SPAD阵列探测器及其电路仿真模型的建立方法-CN202110256428.2有效
发明人： 韩德俊;吕文星 -专利权人：北京师范大学
申请日： 2021-03-09 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明提供一种主动淬灭型SPAD阵列探测器及其电路仿真模型的建立方法，所述SPAD阵列探测器，包括：封装基板；固定在封装基板上的FPGA芯片；以及置于FPGA芯片上的包含多个SPAD单元的SPAD阵列；各SPAD单元与FPGA芯片之间以及FPGA芯片与封装基板之间通过引线键合实现电气连接；FPGA芯片包括多个双向I/O端口和主动淬灭电路逻辑，主动淬灭电路逻辑包括多个主动淬灭电路和数字逻辑控制单元，每个SPAD单元与经一个双向I/O端口连接对应的主动淬灭电路，各主动淬灭电路连接数字逻辑控制单元，主动淬灭电路包括三态门电路，数字逻辑控制单元用于控制各SPAD单元的事件检测状态，使得事件检测状态至少包括四个状态：稳态检测状态、主动淬灭状态、保持关断状态和主动复位状态。
主动淬灭型 spad 阵列探测器及其电路仿真模型建立方法

[发明专利]小麦抗条锈病基因QYr.nwafu-6BL.2的连锁KASP分子标记、引物及应用-CN201910182783.2有效
发明人：吴建辉;曾庆东;刘胜杰;韩德俊;康振生 -专利权人：西北农林科技大学
申请日： 2019-03-12 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： C12Q1/6895 文献下载
摘要：本发明属于小麦基因检测技术领域，特别涉及一种小麦抗条锈病主效应位点基因QYr.nwafu‑6BL.2的连锁KASP分子标记、引物及应用，该所述分子标记为分子标记KASP‑630和分子标记KASP‑162。本发明的两个分子标记的组合使用对条锈病主效位点QYr.nwafu‑6BL.2的预测准确率高达98％。
小麦条锈病基因 qyr nwafu bl 连锁 kasp 分子标记引物应用

[发明专利]一种与小麦抗条锈病基因Yr26紧密连锁的分子标记、引物及其应用-CN201910214777.0有效
发明人：曾庆东;吴建辉;刘胜杰;王琪琳;韩德俊;康振生 -专利权人：西北农林科技大学
申请日： 2019-03-20 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： C12Q1/6895 文献下载
摘要：本发明属于分子生物学领域，具体涉及一种与小麦抗条锈病基因Yr26紧密连锁的分子标记、引物及其应用，该标记位于小麦1B染色体第326913074‑326914227位，其核苷酸序列如序列表中的SEQ ID NO.1所示，该分子标记WRS1633有利于小麦分子标记辅助育种体系的建立所述的分子标记与Yr26基因为共分离，本发明的分子标记可以简便、快速、高通量地应用于小麦分子辅助育种。
一种小麦条锈病基因 yr26 紧密连锁分子标记引物及其应用

[发明专利]位置灵敏硅光电倍增探测器-CN202010608650.X在审
发明人： 韩德俊;彭彧 -专利权人：北京师范大学
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本发明涉及一种位置灵敏的硅光电倍增探测器，该硅光电倍增探测器包括：探测器主体，其包括由多个APD单元集成在硅外延片上形成的APD阵列，每个APD单元串联一个雪崩淬灭电阻；正面电极，其位于探测器主体正面的表面，所述正面电极包括环绕所述APD阵列的金属条以及设置于金属条的多个特定位置的、与金属条连接的多个金属引出电极，所述金属条和多个金属引出电极形成封闭的金属电极结构，每个引出电极用于独立输出信号；背面电极，其位于探测器主体背面硅衬底的外侧；所有APD单元的表面由均匀连续的重掺杂硅电阻层连接，正面电极的金属条形成在硅电阻层边缘的重掺杂区的表面且与重掺杂区接触并环绕APD阵列。本发明具有响应线性度高、畸变程度小的优点。
位置灵敏光电倍增探测器

[发明专利]单光子雪崩光电二极管阵列探测器-CN201910418229.X有效
发明人： 韩德俊;刘健 -专利权人：北京师范大学
申请日： 2019-05-20 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： G01J11/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种单光子雪崩光电二极管阵列探测器，包括：传感器芯片，其包括至少一个雪崩光电二极管；信号控制与读出芯片，其通过倒装焊方式、或引线键合方式、或中介层方式与传感器芯片集成在一起，以使得雪崩光电二极管与信号控制与读出芯片电气连接；信号控制与读出芯片包括：I/O端口，其用于读入来自雪崩光电二极管的电平信号，并向雪崩光电二极管输出电平信号；主动逻辑，其基于从雪崩光电二极管读入的电平信号触发内部逻辑，从而向雪崩光电二极管输出淬灭信号以及复位信号；以及数字信号读出电路，用于读出从雪崩光电二极管取样的电信号。本公开能够提高探测器的填充因子，降低制作成本，缩短研发周期，适应性更好。
光子雪崩光电二极管阵列探测器

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