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[发明专利]一种预防单晶掉落的装置-CN201711426647.0有效
发明人：王雅楠;刘卓;韩秋雨;姜舰;翟顺元;张金义 -专利权人：有研半导体材料有限公司
申请日： 2017-12-25 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种预防单晶掉落的装置。该装置包括单晶炉拉伸筒、下法兰、金属弯头、连接杆及底托，下法兰安装在单晶炉拉伸筒的下端，下法兰上设有金属柱，金属弯头上设有供该金属柱穿过的孔，金属弯头的下端与连接杆一端相连，连接杆的另一端连接底托。在取单晶时，先将晶体上升到拉伸筒内，将金属弯头挂在拉伸筒下法兰的金属柱子上，用连接杆连接好金属弯头与底托，将晶体下降，使晶体的尾部(尖)下降到底托的孔中，再将拉伸筒旋出。旋转到位后，将金属弯头从金属柱上取下，再将晶体落下取单晶棒。采用本发明的装置能够在取出单晶过程中预防发生意外，安全、方便地进行取棒操作。
一种预防掉落装置

[发明专利]一种直拉法生产单晶硅过程中对挂料的处理方法-CN201611213827.6在审
发明人：王雅楠;崔彬;刘卓;姜舰;韩秋雨;翟顺元 -专利权人：有研半导体材料有限公司
申请日： 2016-12-23 - 公布日： 2018-07-03 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种直拉法生产单晶硅过程中对挂料的处理方法。该方法采用反射工具对挂料进行处理，包括以下步骤：(1)当发生挂料时将籽晶夹头部分拆下，换上反射工具。(2)将反射工具的反射面对准挂料位置，反射的热量集中到挂料位置，通过观察窗观察挂料位置的熔化情况，使晶转、埚转同步，使热量集中的部位相对固定；(3)待多晶块料掉落到熔体中，再进行隔离取出反射工具，换上籽晶夹头进行生产。本发明可针对不同的热场尺寸，在不增加太多功率的前提下，使挂料区域局部升温，避免了由于温度过高出现的石英坩埚软化、漏硅的情况。本发明的使用大大降低了烤料时间，降低了烤料漏硅的几率，缩短了运行时间，有很大的市场价值。
挂料反射单晶硅热量集中直拉法熔化多晶块料石英坩埚温度过高籽晶夹头多功率反射面观察窗籽晶夹掉落分拆热场熔体埚转软化生产对准取出隔离观察

[发明专利]一种籽晶夹头组件-CN201310542301.2有效
发明人：姜舰;崔彬;戴小林;韩秋雨;王雅楠;吴志强 -专利权人：有研新材料股份有限公司
申请日： 2013-11-05 - 公布日： 2015-05-13 - 主分类号： C30B15/32 文献下载
摘要：本发明提供一种籽晶夹头组件，包括软轴、联接杆和籽晶夹头，所述联接杆由上端联接杆、防脱块、及下端联接杆组成，该上端联接杆的顶端设有圆台，沿该上端联接杆的中心轴向其侧面开设有一槽部，该槽部与软轴下端的结构相匹配；该防脱块套设在该圆台上，其侧面设有供所述软轴进入的开槽，并设有与上端联接杆的槽部匹配的挡块；该下端联接杆通过销钉与籽晶夹头连接。本发明用于直拉硅单晶炉内连接籽晶，在更换籽晶夹头时，不需要从软轴处拆下就可以简单快捷的实现籽晶夹头与软轴下端部快速联接，缩短了装配时间，提高了硅单晶棒的生产效率。
一种籽晶夹头组件

[实用新型]一种硅单晶棒截断用夹持装置-CN201120512763.6有效
发明人：朱秦发;姜舰;邓树军;韩秋雨;郭庆生 -专利权人：有研半导体材料股份有限公司
申请日： 2011-12-09 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： B28D7/04 文献下载
摘要：本实用新型提供一种硅单晶棒截断用夹持装置，包括垫槽和两个夹紧块，该垫槽内开设有凹槽，该凹槽内设有螺杆，该螺杆的一端延伸至垫槽外侧，并于该端设有旋钮；该螺杆位于凹槽内的部分由两段组成，该两段螺杆的外螺纹绕向相反；两夹紧块的底部均开设有具有内螺纹的通孔，并通过螺纹分别连接在两段螺杆上；在两夹紧块外侧的螺杆上分别设有螺母。本实用新型结构简单、使用方便，用于硅单晶棒截断时主体的固定，使单晶棒整体受力更加均匀，固定更加可靠牢固；从而减少或避免了硅单晶棒尤其是大直径硅单晶棒被截断时发生崩边。
一种硅单晶棒截断夹持装置

[发明专利]一种清除直拉硅单晶炉内SiO的方法及装置-CN200510132574.5有效
发明人：戴小林;吴志强;韩秋雨;姜舰;周旗钢;张果虎 -专利权人：北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司
申请日： 2005-12-26 - 公布日： 2007-07-04 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：一种清除直拉硅单晶炉内SiO的方法及装置，方法是：在单晶炉晶体停止加热后，向单晶炉室内通入空气，所述的装置包括三通管、管道、阀门和流量计。本发明的优点是：本方法和设备简单，操作方便，可清除在晶体生长期间，在炉室及真空管道的内表面上沉结的大量SiO(又称挥发物)，防止在拉制晶体结束后，清理炉室时，遇到空气时，发生燃烧甚至爆炸。
一种清除直拉硅单晶炉内 sio 方法装置

[实用新型]一种带有后氧化装置的直拉硅单晶炉-CN200520146921.5无效
发明人：戴小林;吴志强;韩秋雨;姜舰;周旗钢;张果虎 -专利权人：北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司
申请日： 2005-12-26 - 公布日： 2007-04-18 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：一种带有后氧化装置的直拉硅单晶炉，它包括：石英坩埚、石墨坩埚、加热器、保温材料、金属筒、筒盖、热屏，其特征在于：它还包括后氧化装置，该装置包括三通管、管道、阀门和流量计，后氧化装置安装在单晶炉上炉室与主真空泵之间的管道上。实用新型的优点是：本设备简单，操作方便，可清除在晶体生长期间，在炉室及真空管道的内表面，沉结的大量SiO(又称挥发物)，防止在拉制晶体结束后，清理炉室时，遇到空气时，发生燃烧甚至爆炸。
一种带有氧化装置直拉硅单晶炉