“硅化物镀层”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

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[实用新型]便携式电子装置外壳-CN01257926.2无效
发明人：简文山 -专利权人：鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2001-11-07 - 公布日： 2002-10-30 - 主分类号： H05K5/04 文献下载
摘要：一种便携式电子装置外壳,包括金属基体及镀层。镀层是经等离子化学气相沉积(PlasmaChemicalVapourDeposition)而在该金属基体表面形成的含氧硅化物(SixOy)层,达到防止使用者因触摸而在便携式电子装置外壳表面留下指纹的效果
便携式电子装置外壳

[发明专利]一种熔盐法镀碳化硅层的碳纤维制备方法-CN201811369641.9在审
发明人：何林恺;孙友宏;骆奕霖;孟庆南;张弛;吴金昊 -专利权人：吉林大学
申请日： 2018-11-17 - 公布日： 2019-02-26 - 主分类号： D06M11/77 文献下载
摘要：本发明公开了一种熔盐法镀碳化硅层的碳纤维制备方法，熔盐中的硅化物镀层将于800℃～1000℃下形成，熔盐由氯化钠、氯化钾、氟化钠、氟硅酸钠和硅粉组成，其中Si与Si⁴⁺离子按一定比例反应形成Si²⁺离子，Si²⁺离子沉积在碳纤维基底上形成SiC镀层，该发明熔盐法镀碳化硅层工艺简单，成本低廉和设备要求低，制备的碳化硅镀层均匀，调节温度和保温时间可以控制镀层厚度
熔盐法碳化硅层碳纤维制备镀层熔盐制备离子氯化钠氯化钾超高温陶瓷硅化物镀层碳化硅镀层氟硅酸钠抗氧化性离子沉积设备要求碳纤维基复合材料氟化钠碳纤维硅粉可用保温

[发明专利]半导体器件和制造方法-CN202010252418.7在审
发明人：卢炜业;蔡彦明;陈泓旭;张志维;林圣轩 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-04-01 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供了一种具有多个硅化物区域的半导体器件。在实施例中，在源极/漏极区域上沉积第一硅化物前体和第二硅化物前体。形成具有第一相的第一硅化物，并且第二硅化物前体不溶于第一硅化物的第一相内。第一硅化物的第一相被修改为第一硅化物的第二相，并且第二硅化物前体可溶于第一硅化物的第二相。利用第二硅化物前体和第一硅化物的第二相来形成第二硅化物。
半导体器件制造方法

[发明专利]具有镍锗硅化物栅极的MOSFET及其形成方法-CN03823253.7有效
发明人： E·N·佩顿;相奇;P·R·贝瑟;林明仁;M·V·恩戈;王海宏 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2003-09-12 - 公布日： 2005-10-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：以镍进行硅化，以形成镍锗硅化物(62，64)，该镍锗硅化物较佳地包括镍硅化物的单硅化物相。硅化物中包含的锗在形成单硅化物相的期间内，提供了较宽的温度范围，而却实质地维持了镍单硅化物所呈现的较好薄层电阻。结果，在随后的处理期间，镍锗硅化物比镍单硅化物更能够抵挡较高的温度，而却仍能够提供与镍单硅化物大约相同的薄层电阻与其它有利特性。
具有镍锗硅化物栅极 mosfet 及其形成方法

[发明专利]一种半导体器件及其制作方法、电子装置-CN201610331274.8有效
发明人：包小燕;董天化;吴亮 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-05-18 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置，该制作方法包括下述步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有图形化的第一多晶硅层和第二多晶硅层；在图形化的第一多晶硅层和第二多晶硅层上形成底部硅化物阻挡层、中间硅化物阻挡层和顶部硅化物阻挡层；图形化顶部硅化物阻挡层，以定义待形成硅化物的区域；以图形化的顶部硅化物阻挡层为遮蔽层，去述中间硅化物阻挡层位于待形成硅化物的区域内的部分；去除底部硅化物阻挡层位于待形成硅化物的区域内的部分，其中，中间硅化物阻挡层对顶部硅化物阻挡层和底部硅化物阻挡层具有选择性。该制作方法可以提高多晶硅互连层侧壁硅化物形成能力。该半导体器件和电子装置具有电学性能更好。
一种半导体器件及其制作方法电子装置

[发明专利]半导体器件中金属硅化物层电阻的仿真方法-CN201110185880.0有效
发明人：范象泉 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2011-07-04 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种半导体器件中金属硅化物层电阻的仿真方法，通过选取多组硅化物层样本判断所述金属硅化物层是由单相或多相金属硅化物材料构成；对单相金属硅化物材料，以对应方块电阻值作为电阻模型中的方块电阻参数，建立相应电阻模型；对多相金属硅化物材料，根据多相金属硅化物材料在所述金属硅化物层中分布情况，获取各相金属硅化物材料的方块电阻与所述金属硅化物层的方块电阻的关系；基于所述关系形成电阻模型中的方块电阻参数，建立相应电阻模型；在后续对于所述半导体器件中金属硅化物层电阻仿真时，选择相应的电阻模型，结合仿真时所处的电压及温度环境，对所述金属硅化物层电阻进行仿真。从而，能够获得较为精确的金属硅化物电阻模拟结果。
半导体器件金属硅化物层电阻仿真方法

[发明专利]半导体器件及其制造工艺-CN200680050602.1无效
发明人：长谷卓 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 2006-12-26 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：该半导体器件的特征在于包括PMOS晶体管、NMOS晶体管、包括具有高介电系数的含Hf－的绝缘膜的栅绝缘膜、包括硅化物区(A)和硅化物区(B)的线电极，所述硅化物区(A)和硅化物区(B)之一包括在硅化反应中用作扩散物种的金属M的硅化物(a)、包含与栅绝缘膜接触的硅化物层(C)的另一硅化物区，所述硅化物层(C)包括金属M的硅化物(b)，所述硅化物(b)具有比硅化物(a)更小的金属M的原子组份比、以及可以基本上防止金属M在所述硅化物
半导体器件及其制造工艺

[发明专利]金属硅化物与其制造方法与半导体组件的制造方法-CN03145935.8无效
发明人：刘宏伟;陈光钊;施学浩 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2003-07-17 - 公布日： 2005-01-26 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明是关于一种金属硅化物与其制造方法与半导体组件的制造方法，该金属硅化物包括：一第一金属硅化物层；一第二金属硅化物层；及一阻绝层，配置于第一金属硅化物层及第二金属硅化物层之间，阻绝层中包括一离子；第一金属硅化物层的晶粒分布较第二金属硅化物层的晶粒分布均匀该金属硅化物的制造方法，首先提供一硅层，然后进行离子植入步骤以在硅层中掺入离子；接着在硅层上形成金属层；之后进行回火制程，使硅层与金属层反应生成金属硅化物。由于在进行回火制程前先进行离子植入步骤，可使金属硅化物阻值降低，而可增加金属硅化物接触可靠度。其可解决现有习知金属硅化物会有高阻值问题，另可解决现有闸极(或源极/汲极)阻值过大而导致组件可靠度不佳的问题。
金属硅与其制造方法半导体组件

[发明专利]垂直通道存储器中的自对准二硅硅化物位线与源极线着陆垫-CN201810720939.3有效
发明人：赖二琨;龙翔澜 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2018-07-02 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：一种用以制造存储器装置的方法，包括形成初始硅化物层，其包含于叠层导电条纹叠层的顶表面上的硅材料层上沉积及退火前驱物金属，前驱物金属的量有效造成初始硅化物层的过半部分为前驱物金属的单硅硅化物。方法包括在初始硅化物层上沉积并退火额外的硅材料，额外的硅材料的量有效造成前驱物金属的二硅硅化物的形成，以形成着陆垫在叠层导电条纹叠层的顶表面上，前驱物金属的二硅硅化物的形成消耗初始硅化物层的单硅硅化物，使得着陆垫的硅化物的过半部分为二硅硅化物。
垂直通道存储器中的对准二硅硅化物位线源极线着陆

[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法及实行刻蚀工艺的方法-CN202210241945.7在审
发明人：程仲良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：一种半导体装置包括多硅化物结构，所述多硅化物结构包括至少两个共形硅化物层。多硅化物结构可包括源极/漏极上的第一共形硅化物层、第一共形硅化物层上的第二共形硅化物层以及第二共形硅化物层之上的顶盖层。半导体装置包括多硅化物结构上的接触结构。半导体装置包括接触结构周围的介电材料。在一些实施方案中，控制器可确定将由刻蚀工具用于对半导体装置实行原子层刻蚀(ALE)工艺的迭代的刻蚀工艺参数。
半导体装置制造方法实行刻蚀工艺

[发明专利]金属硅化物的缺陷检测方法及半导体结构的形成方法-CN201910508368.1有效
发明人：胡航标;周伦潮 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2019-06-12 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种金属硅化物的缺陷检测方法及半导体结构的形成方法，包括提供衬底及覆盖部分衬底的金属硅化物层，然后在衬底上形成介质层，介质层覆盖衬底及金属硅化物层并露出金属硅化物层的表面，以使金属硅化物层以外的区域均绝缘，然后采用电子束轰击金属硅化物层，并根据金属硅化物层逸出的二次电子的浓度分布得到金属硅化物层的缺陷状况，从而可以对金属硅化物层的缺陷进行定量的检测，提高了缺陷检测精度，并且，金属硅化物的缺陷检测方法是在半导体结构的形成过程中进行的，能够实时、在线的反应出金属硅化物的缺陷状况，也不会打乱半导体器件的正常制备过程，不会增加额外的工序，能够降低检测的成本和时间。
金属硅缺陷检测方法半导体结构形成

[发明专利]具有多样的金属硅化物的半导体元件及其制造方法-CN200410057340.4有效
发明人：林俊杰;李文钦;杨育佳;林全益;胡正明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-08-27 - 公布日： 2005-03-09 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明提供一种具有多样的金属硅化物的半导体元件及其制造方法。该半导体元件包括一个半导体基底，一个位于基底的第一区的第一金属硅化物，以及一个位于基底的第二区的第二金属硅化物。其中，第一金属硅化物不同于第二金属硅化物。此外，第一金属硅化物和第二金属硅化物可以是一个合金金属硅化物。本发明能够在同一芯片不同型式的晶体管上形成具有不同功函数的金属硅化物，因而能够得到可靠的接触状况，并能解决现有技术的缺点。
具有多样金属硅半导体元件及其制造方法

[发明专利]具有硅化物膜的半导体装置以及半导体装置的制造方法-CN02143204.X无效
发明人：井原良和;西田笃弘 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2002-09-18 - 公布日： 2003-04-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：所述半导体装置具备形成于第1硅区域上的第1硅化物膜与形成于第2硅区域上的第2硅化物膜，第2硅化物膜由与第1硅化物膜相同的硅化物材料构成，同时使其与第1硅化物膜的膜质不同，而具有与第1硅化物不同的薄膜电阻值这时，例如通过将杂质导入第2硅化物膜自体中使与第1硅化膜的膜质不同，则通过控制杂质的种类和导入条件，可获得具有任意高的薄膜电阻值的第2硅化物膜。
具有硅化物膜半导体装置以及制造方法

[发明专利]一种一次性编程存储器中金属硅化物掩膜的制备方法-CN201410106573.2在审
发明人：张智侃;曹亚民;杨斌 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-03-20 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： H01L21/8246 文献下载
摘要：本发明为一种一次性编程存储器中金属硅化物掩膜的制备方法，该方法包括以下步骤：提供一含有OTP浮栅的衬底；在该衬底上生长第一硅化物，在该第一硅化物上生长第二硅化物；去除覆盖该OTP浮栅的第二硅化物以及部分第一硅化物，以使所述OTP浮栅暴露；去除残留的第一硅化物；去除杂质，并生长富硅氧化硅，以覆盖暴露的OTP浮栅。本发明选用富硅氧化硅作为金属硅化物掩蔽膜，代替原有的二氧化硅加氮化硅组合。在OTP浮栅上形成局部的富硅氧化硅金属硅化物掩蔽膜，其他区域保持原有的二氧化硅加氮化硅金属硅化物掩蔽膜，这样既不影响原有工艺以及其他器件，又能将浮栅上的金属硅化物膜改变为富硅氧化硅金属硅化物掩蔽膜，从而提高
一种一次性编程存储器金属硅化物掩膜制备方法

[发明专利]形成金属硅化物的工艺参数的检测方法-CN202211636397.4有效
发明人：李成龙;赵丽丹 -专利权人：粤芯半导体技术股份有限公司
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种形成金属硅化物的工艺参数的检测方法，该方法包括：提供硅衬底，于硅衬底上形成金属层，并检测金属层的电阻值；执行第一次退火工艺，以使金属层与部分硅衬底反应形成金属硅化物层，金属硅化物层包括第一金属硅化物层和第二金属硅化物层；检测金属硅化物层的电阻值，并基于金属硅化物层的电阻值和金属层的电阻值，得到第一次退火工艺的退火温度；执行第二次退火工艺，以使第一金属硅化物层全部转化为第二金属硅化物层；量测第二次退火工艺后第二金属硅化物层的厚度，并基于第二次退火工艺后第二金属硅化物层的厚度，得到第一次退火工艺前金属层的厚度。本发明能够简化检测金属硅化物的工艺参数的过程，提高检测效率。
形成金属硅工艺参数检测方法

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