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[发明专利]一种离子软沉积装置-CN202211501331.4在审
发明人：蒋吉春;花磊;樊志刚;李金旭;李海洋 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01J49/06 文献下载
摘要：本发明涉及化合物表征技术领域，尤其涉及一种离子软沉积装置。包括软沉积腔体及由上至下设置于软沉积腔体内的离子准直透镜组和传动底座，其中软沉积腔体的顶部设有与准直透镜组同轴线的通孔，通孔用于沉积离子的引入；传动底座可水平移动，传动底座上设有软沉积靶和MCP荧光屏，MCP荧光屏用于对沉积离子进行束斑成像；软沉积靶用于沉积离子的沉积。本发明通过离子减速控制离子沉积能量，通过MCP荧光屏进行离子可视化成像，减小束斑提升单位面积沉积效率，可辅助制备质谱实现更高效的样品制备。
一种离子沉积装置

[发明专利]一种氯离子沉积速率分布图构建方法、装置及介质-CN202310917554.7在审
发明人：贺琼瑶;吴遥;王津梅;赵方超;刘聪;周堃;张薇;张利娟 -专利权人：中国兵器装备集团西南技术工程研究所;重庆航天职业技术学院
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G16C60/00 文献下载
摘要：本发明涉及材料性能研究技术领域，特别涉及一种氯离子沉积速率分布图构建方法、装置及介质。包括：构建氯离子沉积速率预测模型；获取每个待测空间在待测时间段内的气象数据和地理环境数据；通过氯离子沉积速率预测模型，获取每个待测空间在待测时间段内的氯离子沉积速率；根据所有待测空间的经纬度和氯离子沉积速率，生成氯离子沉积速率分布图。本发明通过向氯离子沉积速率预测模型输入待测空间的气象数据和地理环境数据，就可预测该待测空间的氯离子沉积速率，结合若干待测空间的氯离子沉积速率，可生成氯离子沉积速率分布图；根据氯离子沉积速率分布图，可指导选择合适的材料在待测区域使用
一种氯离子沉积速率分布图构建方法装置介质

[发明专利]改良型等离子强化原子层沉积方法-CN201710293262.5在审
发明人：蔡俊雄;游国丰;范彧达 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-04-28 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：根据一例子，一种改良型等离子强化原子层沉积方法包括于基材上进行沉积制程的多个第一沉积循环，以及在进行多个第一沉积循环后，进行等离子强化层沉积循环。等离子强化层沉积循环包含等离子处理制程。多个第一层沉积循环的进行不包含等离子处理制程。
沉积循环等离子强化等离子处理制程原子层沉积改良型第一层基材制程沉积

[实用新型]一种金刚石沉积装置-CN202020123107.6有效
发明人：王忠强;丁雄傑;王琦;张国义 -专利权人：北京大学东莞光电研究院
申请日： 2020-01-17 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本实用新型涉及金刚石制备技术领域，具体涉及一种金刚石沉积装置，包括沉积腔、沉积台和等离子体单元，沉积台装设于沉积腔内，还包括位置控制装置，等离子体单元设有等离子体喷嘴，等离子体喷嘴设于沉积腔内，位置控制装置与等离子体喷嘴连接，与现有技术相比，本实用新型通过设置位置控制装置，可以控制等离子体喷嘴与沉积台的相对位置，根据沉积需要在沉积台的不同位置进行沉积，从而实现沉积出复杂形状的大面积金刚石薄膜。
一种金刚石沉积装置

[发明专利]等离子体雾化沉积方法及设备-CN202210860169.9在审
发明人：谷旭;熊孝经;孟宪钊;王磊;余立滨;陈国超;农晓东;毕云杰 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： B22F9/14 文献下载
摘要：本申请公开了一种等离子体雾化沉积方法及设备，所述等离子体雾化沉积设备包括雾化沉积舱、沉积器和至少一个等离子体源，其中，所述等离子体源的喷嘴设置于所述雾化沉积舱内，所述等离子体源用于向金属源喷射等离子体，以使得金属源在等离子体的作用下，雾化形成金属熔滴；所述沉积器设置于所述雾化沉积舱内，位于所述等离子体源的下方，用于接收雾化形成的所述金属熔滴，形成沉积坯锭。本申请解决了现有技术喷射沉积制备的坯锭的孔隙率较高的技术问题。
等离子体雾化沉积方法设备

[发明专利]等离子体化学气相沉积系统及方法-CN201811069708.7有效
发明人：孙元成;宋学富;杜秀蓉;张晓强;钟利强;杨晓会 -专利权人：中国建筑材料科学研究总院有限公司
申请日： 2018-09-13 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：本发明是关于一种等离子体化学气相沉积系统。该沉积系统包括等离子体沉积装置，该等离子体沉积装置包括等离子体炬和沉积室。该沉积系统还包括：尾气循环装置、新鲜气体供给装置和在线监控装置，该尾气循环装置一端连接于沉积室的排气口，另一端连接于等离子体炬的进气口；该新鲜气体供给装置，连接于等离子体炬的进气口；该在线监控装置用于实时检测气体组分、温度、沉积室压力及沉积基体温度。本发明还提出了一种等离子体化学气相沉积方法。本发明方法将等离子体化学气相沉积系统排放的气体经简单处理后进行气体循环使用，克服现有技术气体消耗较大的问题，大大降低气体成本，同时保证沉积系统的稳定性。
等离子体化学沉积系统方法

[发明专利]一种钨掺杂类金刚石薄膜的制备方法-CN201810560536.7在审
发明人：沈洪雪;倪嘉;姚婷婷;杨勇;李刚 -专利权人：中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
申请日： 2018-06-04 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开一种钨掺杂类金刚石薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1、清洗衬底,去除衬底表面的油污和杂质；S2、采用连通的离子束沉积设备与线性离子源沉积设备，离子束沉积设备采用钨靶为掺杂源，线性离子源沉积设备采用甲烷为碳源；将衬底置于离子束沉积设备的真空腔室中，开启离子束沉积设备，使氩离子轰击钨靶，同时开启线性离子源沉积设备，进行碳源的注入，钨与碳相反应得到钨掺杂类金刚石薄膜；整个过程中离子束沉积设备与线性离子源沉积设备都是单独工作，不相互干扰，工艺参数各自设定；整个过程碳与钨简单的进行反应，无其它离子存在，工艺简单，可控性较强。
离子束沉积线性离子源沉积设备类金刚石薄膜钨掺杂衬底钨靶制备氩离子轰击衬底表面真空腔室掺杂源可控性甲烷油污去除离子连通清洗

[实用新型]一种提高镀膜速率的等离子全方位离子沉积设备-CN202121472613.7有效
发明人：陈国龙 -专利权人：浙江摩鼎纳米科技有限公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种提高镀膜速率的等离子全方位离子沉积设备，包括等离子全方位离子沉积设备本体，所述等离子全方位离子沉积设备本体底部开设有凹槽，所述等离子全方位离子沉积设备本体的底部设有底座。本实用新型中，等离子全方位离子沉积设备本体产生的震动经过第一弹簧传至缓冲板上，第一弹簧具有缓冲作用，缓冲了一部分震动，缓冲板经过第一固定柱、连杆和挡板将震动传至第二弹簧上，第二弹簧具有缓冲作用，缓冲了一部分震动，避免等离子全方位离子沉积设备本体与地面直接硬接触，避免震动导致等离子全方位离子沉积设备本体内部安装的零件出现松动，提高等离子全方位离子沉积设备本体的使用寿命。
一种提高镀膜速率等离子全方位离子沉积设备

[发明专利]用于使用常压等离子体进行沉积的方法和装置-CN201280054145.9有效
发明人：马尔维·A·马托斯;利亚姆·S·平格里 -专利权人：波音公司
申请日： 2012-10-01 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： C23C14/22 文献下载
摘要：一种装置可包括等离子体沉积单元、移动系统以及网孔系统。等离子体沉积单元可被配置为产生等离子体。移动系统可被配置为移动等离子体沉积单元下方的基板。网孔系统可位于等离子体沉积单元与基板之间，其中，网孔可包括用于沉积到基板上的一些材料，并且其中，穿过网孔的等离子体可以使一些材料中的一部分从网孔被沉积到基板上。
用于使用常压等离子体进行沉积方法装置

[发明专利]一种多功能的离子沉积薄膜制备装置及薄膜沉积方法-CN202310121914.2在审
发明人：武旭;胡世昊;胡亘宇;王宇森;许自强;邵岩;王业亮 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2023-02-16 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种多功能的离子沉积薄膜制备装置及薄膜沉积方法，包括薄膜生长机构，进样承载机构，离子源提供机构、分子束外延机构和化学气相沉积机构；进样承载机构用于向薄膜生长机构中提供样品；离子源提供机构提供经过筛分后的待沉积离子，用于离子沉积；分子束外延机构产生分子束流，用于分子束外延生长；化学气相沉积机构产生气态物质，用于化学气相沉积。通过离子源提供机构、分子束外延机构和化学气相沉积机构的协同配合，一次操作过程中可完成分子束外延、化学气相沉积、离子沉积等多种薄膜制备功能，实现电中性分子和带电离子的共沉积，可用于氧化物、氮化物、硒化物以及金刚石等薄膜材料及其异质结的原位制备
一种多功能离子沉积薄膜制备装置方法

[发明专利]一种离子束沉积制备CN薄膜的方法-CN201810560534.8在审
发明人：沈洪雪;倪嘉;姚婷婷;杨勇;李刚 -专利权人：中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
申请日： 2018-06-04 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： C23C14/46 文献下载
摘要：本发明公开一种离子束沉积制备CN薄膜的方法，包括以下步骤：S1、清洗衬底，去除衬底表面油污与杂质；S2、采用连通的离子束沉积设备与离子注入机，离子束沉积设备采用C靶，将衬底置于离子束沉积设备的真空腔室内，以氩离子轰击C靶；同时，开启离子注入机，注入N离子，在衬底表面得到CN薄膜；C靶的工艺参数通过离子束沉积设备进行独立控制，N离子源的提供由离子注入机完成，整个过程中离子束沉积设备与离子注入机都是单独工作，不相互干扰；C与N的简单的进行反应得到CN薄膜，无其它离子存在，工艺简单，可控性较强。
离子束沉积离子注入机薄膜衬底表面衬底制备氩离子轰击独立控制可控性真空腔油污去除离子连通清洗室内

[发明专利]离子束沉积装置以及具有其的沉积系统-CN202011020907.6在审
发明人：朴正宪;金晥均;金硕埙;郑峻昊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： C23C14/22 文献下载
摘要：本公开提供了离子束沉积装置以及具有其的沉积系统。一种离子束沉积装置包括：用于固定基板的基板组件；相对于基板组件倾斜的靶组件，该靶组件包括具有沉积材料的靶；离子枪，用于将离子束喷射到靶上，使得沉积材料的离子朝向基板组件释放以在基板上形成薄层；以及基板加热器，用于将基板加热到高于室温的沉积温度。
离子束沉积装置以及具有系统

[发明专利]覆铜板及其制造方法-CN201710786228.1有效
发明人：王志建;宋红林;张晓峰;杨志刚 -专利权人：武汉光谷创元电子有限公司
申请日： 2017-09-04 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： C23C14/48 文献下载
摘要：具体而言，公开了一种利用离子注入法制造覆铜板的方法，包括：提供由绝缘材料构成的基材并对其进行前处理；通过离子注入在基材上注入第一金属离子以在基材的表面以内一定深度范围形成离子注入层；对经过离子注入的基材进行等离子体沉积以形成第一等离子体沉积层；进行等离子体沉积以在第一等离子体沉积层上形成第二等离子体沉积层以制得覆铜板。此外，还公开了一种铜箔厚度超薄并且结合力很高的覆铜板，其在第一等离子体沉积层和第二等离子体沉积层的界面处形成厚度为5‑50nm的合金层。
铜板及其制造方法

[发明专利]监测室漂移的方法-CN201980015547.X在审
发明人：约瑟夫·阿贝尔;普鲁肖塔姆·库马尔;阿德里安·拉沃伊 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2019-02-21 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：提供了一种用于监测等离子体处理室中的漂移以进行半导体处理的方法。提供多个循环，其中每个循环包括在等离子体处理室中的卡盘上方沉积沉积层，等离子体蚀刻所述沉积层以及测量用于等离子体蚀刻所述沉积层以蚀刻穿过所述沉积层的时间。所测得的用于等离子体蚀刻的时间用于确定等离子体处理室的漂移。
监测漂移方法

[发明专利]一种离子液体电沉积金属钴的方法-CN200610010063.0无效
发明人：杨培霞;安茂忠 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2006-05-19 - 公布日： 2006-12-27 - 主分类号： C25C1/08 文献下载
摘要：一种离子液体电沉积金属钴的方法，它涉及一种离子液体电沉积金属的方法。它解决了目前用含EMIC的离子液体电沉积钴的方法在基体表面容易形成合金沉积层的缺陷。本发明的离子液体电沉积金属钴的方法按以下步骤进行：(一)EMIC、无水氯化钴和有机醇按1∶0.3～2∶2.5～18的摩尔比混合；(二)将基体放入离子液体电沉积液，采用电流密度为30～150A/m²、温度为60～100℃的恒电流电沉积，阳极不与离子液体电沉积液发生化学反应，阳极与基体间的距离为1～10cm；(三)将带有电沉积层的基体从离子液体电沉积液中取出后依次用乙醇和蒸馏水冲洗，再经过干燥，即在基体表面得到钴沉积层；其中步骤(一)在真空手套箱中进行。本发明可在基体上电沉积得到均匀的、具有金属光泽的纯钴沉积层。
一种离子液体沉积金属方法

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