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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种保留砷化镓衬底的肖特基二极管衬底替换方法-CN202310269274.X在审
发明人：王宇轩;牛斌;代鲲鹏;孔月婵;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本申请公开了一种保留砷化镓衬底的肖特基二极管衬底替换方法，包括以下步骤：生长外延薄膜：在砷化镓衬底上通过分子束外延方法依次沉积非掺杂铟镓磷In0.48Ga0.52P层、纳米硅高掺杂N型砷化镓N+GaAs层、纳米硅低掺杂N型砷化镓N‑GaAs层形成外延薄膜；制作阴极金属和阳极金属；隔离腐蚀：光刻出二极管图形，并用第一腐蚀液去除二极管图形外的全部通过在砷化镓衬底和纳米硅掺杂砷化镓层间生长非掺杂铟镓磷In0.48Ga0.52P层，实现砷化镓衬底的保留，从而实现资源再利用
一种保留砷化镓衬底肖特基二极管替换方法

[发明专利]肖特基蓝紫光探测器及其制备方法-CN201710613015.9有效
发明人：王干;苏荫强;赵玉华;张志成;彭亮熙;陈俊树;梁家军 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2017-07-25 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：该肖特基蓝紫光探测器包括N型砷化镓单晶衬底、硒化锌单晶层和金属层，N型砷化镓单晶衬底的一侧溶入镓后形成欧姆接触层，硒化锌单晶层和金属层依次层叠在N型砷化镓单晶衬底远离欧姆接触层的一侧上。
肖特基蓝紫光探测器及其制备方法

[发明专利]一种在室温环境下向砷化镓材料引入杂质的方法-CN201610420343.2有效
发明人：秦国刚;李磊;侯瑞祥;徐万劲 -专利权人：北京大学
申请日： 2016-06-13 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L21/223 文献下载
摘要：本发明公布了一种在室温环境下向砷化镓材料中引入杂质的方法，是在室温环境下利用惰性气体产生的等离子体处理固态杂质源，使杂质源的原子或离子进入等离子体，这些原子或离子通过与等离子体中正离子和电子碰撞获得动能，进而进入砷化镓材料中。本方法由于不需高温，不仅可以用于砷化镓晶片的掺杂，还可以用于砷化镓器件的掺杂，与传统的高温扩散和离子注入工艺相比，既便捷又经济。
一种室温环境砷化镓材料引入杂质方法

[发明专利]太赫兹量子级联半导体激光器材料及其生长方法-CN200610112407.9无效
发明人：李路;刘峰奇;刘俊岐;邵烨;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2006-08-16 - 公布日： 2008-02-20 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：一种太赫兹量子级联半导体激光器材料的生长方法，其特征在于，包括如下生长步骤：步骤1：取一半绝缘砷化镓衬底；步骤2：利用分子束外延技术在半绝缘砷化镓衬底上生长N型砷化镓下欧姆接触层，用来制作下欧姆电极；步骤3：在下欧姆接触层上生长有源区，作为发光区；步骤4：在有源区上生长N型砷化镓上欧姆接触层，用来制作下欧姆电极，完成太赫兹量子级联半导体激光器材料的生长。
赫兹量子级联半导体激光器材料及其生长方法

[实用新型]高带宽光接收模块-CN201120222592.3无效
发明人：李佳 -专利权人：成都康益科技有限公司
申请日： 2011-06-28 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： H04B10/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高带宽光接收模块，含有一个光电转换二极管、一个输出接口，还包括有砷化镓MMIC放大模块；光电转换二极管的输出端与砷化镓MMIC放大模块的输入端连接；砷化镓MMIC放大模块的输出端连接至输出接口本实用新型采用砷化镓放大器模块代替原有的晶体管或硅管芯片放大模块，其射频信号带宽可达1.05GHz，可传输更多路的电视信号，有更强的输出电平。
带宽接收模块

[发明专利]激光器用砷化镓偏角度为15°晶片的清洗方法-CN202211310523.7在审
发明人：杨春柳;鲁闻华;李有云;刘汉保;韦华;牛应硕;杨杰 -专利权人：云南鑫耀半导体材料有限公司;云南中科鑫圆晶体材料有限公司;昆明云锗高新技术有限公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： B08B3/08 文献下载
摘要：激光器用砷化镓偏角度为15°晶片的清洗方法，涉及一种激光器用砷化镓偏角度为15°晶片的清洗方法，属于半导体加工技术领域。本发明的方法包括先用碱性溶液清洗再用酸性溶液清洗，从而减小晶片表面的氧化砷和氧化镓的比值。本发明的方法可以改善晶片表面的清洁度、微观粗糙度、均匀性、氧化层厚度及晶片表面氧化砷和氧化镓的比例。
激光器用砷化镓偏角 15 晶片清洗方法

[发明专利]高功率微波及重离子注入的空间太阳能电池的分析方法-CN202110407601.4在审
发明人：柴常春;王瀚翔 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-04-15 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本发明提供的一种高功率微波及重离子注入的空间太阳能电池的分析方法，通过基于已获取的砷化镓太阳能电池的各层结构以及材料，构建砷化镓太阳能电池的结构模型；将砷化镓太阳能电池的每一层材料通用参数以及各层材料的掺杂参数输结构模型获得等效模型；在等效模型中同时注入高功率微波以及重离子，得出内部峰值温度随注入脉宽的变化趋势以及瞬态的温度分布图，进一步确定高功率微波与重离子同时对砷化镓太阳能电池造成的热损伤机理。由于本发明同时引入了高功率微波与重离子叠加注入后产生的相互作用，从而可以评估空间砷化镓太阳能电池在高功率微波注入下的重离子效应，更加准确的确定砷化镓太阳能电池的热损伤机理。
功率微波离子注入空间太阳能电池分析方法

[发明专利]基于摩擦诱导选择性刻蚀的砷化镓表面微纳米加工方法-CN201310732778.7有效
发明人：钱林茂;唐鹏;宋晨飞;余丙军;郭剑 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2013-12-27 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：一种基于摩擦诱导选择性刻蚀的砷化镓表面微纳米加工方法，主要应用于砷化镓表面微纳米结构的加工。其具体操作方法是：将金刚石探针安装在扫描探针显微镜或多点接触微纳米加工设备上，将清洗过的砷化镓固定在样品台上，启动设备，给探针施加不小于理论临界载荷F_c的载荷F，并使探针按照设定的扫描轨迹在砷化镓表面进行扫描sub>O按H₂SO₄:H₂O₂:H₂O=1:0.5:100的体积比配制混合溶液，再将扫描后的砷化镓置于所述的混合溶液中刻蚀该方法能在砷化镓表面加工出各种形状的凸起结构，且其操作简单、成本低、效率高、灵活性强。
基于摩擦诱导选择性刻蚀砷化镓表面纳米加工方法

[发明专利]超纯本征砷化镓材料的m-i-n二极管太赫兹辐射源及制作方法-CN201110428386.2有效
发明人：朱亦鸣;李州;杜少卿;陈麟;彭滟;袁明辉;倪争技;庄松林 -专利权人：上海理工大学
申请日： 2011-12-20 - 公布日： 2012-06-13 - 主分类号： H01S1/02 文献下载
摘要：一种超纯本征砷化镓材料的m-i-n二极管太赫兹超宽频辐射源，包括七层，自上而下依次为：上电极层、NiCr或半透明导电膜层、超纯本征砷化镓层、参杂硅的n型砷化镓缓冲层、砷化镓基底、In或者AuGeNi的合金层、下电极层；每层之间紧密相连；上电极层设置有一个窗口，上电极层、下电极层采用金或者良导体金属材料，并与外接电源连接，飞秒激光器发射的飞秒激光脉冲通过窗口照射到本征砷化镓层中，同时太赫兹电磁波从本征砷化镓层中通过窗口辐射出来
征砷化镓材料二极管赫兹辐射源制作方法

[发明专利]基于一维光子晶体的多波长垂直腔面发射激光器及制备方法-CN200910244429.4无效
发明人：关宝璐;郭霞;张敬兰;任秀娟;郭帅;李硕;沈光地 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2009-12-30 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：该激光器为内腔接触式的层叠结构，正向电极层(1)设置在p型欧姆接触层(5)上，欧姆接触层(5)以上依次为相位调节层(13)、铝砷化镓层(3)、砷化镓层(2)，欧姆接触层(5)以下依次为铝砷化镓氧化电流限制层(6)、有源区(7)、n型铝砷化镓层(8)、n型砷化镓层(9)、n型砷化镓衬底(10)、衬底电极层(11)，其中相位调节层(13)采用具有透光性的材料，其厚度可以根据设计双波长的位置、频差需要采用任意厚度
基于光子晶体波长垂直发射激光器制备方法

[发明专利]微波大功率，低限幅电平的砷化镓PIN管限幅器单片电路-CN201010254151.1无效
发明人：陈新宇;蒋东铭;刘军霞 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2010-08-16 - 公布日： 2011-01-05 - 主分类号： H03G11/02 文献下载
摘要：本发明是微波大功率，低限幅电平的砷化镓(GaAs)PIN管限幅器单片电路，采用3级结构设计，第1级采用6个相同的GaAs PIN二极管的对管结构，其中3个砷化镓PIN二极管阴阳极相串联，阳极连接微波信号传输线，阴极连接地，另3个砷化镓PIN二极管阴阳极相串联，阴极连接微波信号传输线，阳极连接地；第2级和第3级采用相同的二极管的对管结构，其中1个砷化镓PIN二极管阳极连接微波信号传输线，阴极连接地；另1个砷化镓可通过3英寸砷化镓PIN二极管单片工艺批量生产，一致性好，成本低。
微波大功率限幅电平砷化镓 pin 限幅器单片电路

[发明专利]中浓度P型掺杂透射式砷化镓光阴极材料及其制备方法-CN200310121794.9无效
发明人：王晓峰;曾一平 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2003-12-24 - 公布日： 2005-06-29 - 主分类号： H01J1/34 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料技术，用于透射式负电子亲和势砷化镓光阴极器件。砷化镓光阴极材料核心部件是有源区。有源区是P型掺杂砷化镓，掺杂源是铍。本发明砷化镓光阴极材料有源区有两层：内层和表面层，内层的外侧是窗口层，表面层的外侧是铯/氧激活层。本发明通过改变透射式砷化镓光阴极材料的结构，提高透射式负电子亲和势砷化镓光阴极的光电灵敏度。
浓度掺杂透射式砷化镓光阴极材料及其制备方法

[实用新型]多路无线电射频信号预处理装置-CN201720722226.1有效
发明人：何永东 -专利权人：成都电迅达科技有限公司
申请日： 2017-06-21 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： H04B1/00 文献下载
摘要：本实用新型为多路无线电射频信号预处理装置，主要由第一数控砷化镓射频开关（1）、第二数控砷化镓射频开关（2）、第三数控砷化镓射频开关（3）、第一射频带通滤波器（4）、第二射频带通滤波器（5）、数控射频衰减器（6）、中央处理器（7）、与中央处理器连接的以太网（8）接口组成，中央处理器（7）的多个接口分别与第一、第二、第三数控砷化镓射频开关上的对应接口连接从而向各数控砷化镓射频开关发出命令控制各数控砷化镓射频开关选通所需的射频通道
无线电射频信号预处理装置

[发明专利]一种砷化镓多晶的合成方法及合成装置-CN201711455507.6在审
发明人：李超;朱刘;狄聚青;高鹏飞;黄宇彬 -专利权人：广东先导先进材料股份有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：本发明提供一种砷化镓多晶的高压合成方法，包括以下步骤：在真空和保护性气体气氛下，将高纯镓单质和砷单质依次进行升温、均匀化、VGF定向凝固和降温，得到砷化镓多晶；所述VGF定向凝固为：均匀化后采用VGF工艺降温反应完成、均匀化之后的定向凝固步骤借鉴VGF工艺，不需要机械装置，设备简单、密封性能好。本方法得到的砷化镓多晶棒不用切割，避免二次污染。本发明还提供了一种砷化镓多晶的合成装置。
砷化镓多晶定向凝固均匀化合成装置液相反应单质保护性气体二次污染高压合成机械装置密封性能低成本多晶棒高纯镓石英管双温区速率比污染液高纯切割合成移动配套

[发明专利]砷化铟薄膜的外延层结构、霍尔器件及制备方法-CN202211220089.3在审
发明人：李鑫;朱忻;何渊;吴铭;余泽辉;蔡兴文;万楚华 -专利权人：苏州矩阵光电有限公司;深圳市赛迈科技有限公司
申请日： 2022-10-08 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种砷化铟薄膜的外延层结构，涉及化合物半导体的技术领域，包括一砷化镓衬底；一缓冲层，覆盖于所述砷化镓衬底的上表面一砷化铟缓冲结构，覆盖所述缓冲层；一砷化铟功能层，覆盖于所述砷化铟缓冲结构的上表面解决了现有技术中砷化铟霍尔器件信噪比低的技术问题，达到了在不降低灵敏度的基础上提高信噪比的技术效果。
砷化铟薄膜外延结构霍尔器件制备方法

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